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Diskette HalblerProdukte (2909)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FU-y (TE85L, f 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2C01 200 MW US6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 250mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3F (CT 0,1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 RN1106 150 MW VESM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 5 mA 80 @ 1ma, 5v 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963FE (TE85L, F) 0,1000
RFQ
 ECAD 915 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN1963 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 250 MHz 22kohm 22kohm
2SA949-Y(JVC1,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-y (JVC1, F, M) - - -
RFQ
 ECAD 8449 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA949 800 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 ma 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1ma, 10a 70 @ 10ma, 5V 120 MHz
HN2S03FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03fute85LF 0,4300
RFQ
 ECAD 560 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2S03 Schottky US6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 3 Unabhängig 20 v 50 ma 550 MV @ 50 Ma 500 NA @ 20 V 125 ° C (max)
2SC6040(TPF2,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6040 (TPF2, Q, M) - - -
RFQ
 ECAD 6660 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch SC-71 2SC6040 1 w MSTM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 800 V 1 a 100 µA (ICBO) Npn 1v @ 100 mA, 800 mA 60 @ 100 Ma, 5V - - -
RN1417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN1417 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906, LF (CT 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1906 200 MW US6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7kohm 47kohm
RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1606 (TE85L, F) 0,4200
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 RN1606 300 MW Sm6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7kohm 47kohm
TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA (STA4, Q, M) 1.2100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK3A60 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 2,5a (TA) 10V 2,8OHM @ 1,3a, 10 V 4,4 V @ 1ma 9 NC @ 10 V. ± 30 v 380 PF @ 25 V. - - - 30W (TC)
RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103CT (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 2562 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN1103 50 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 250 ua, 5 mA 100 @ 10ma, 5V 22 Kohms 22 Kohms
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR, LF 0,3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 HN1A01 100 MW Es6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 300mv @ 10 mA, 100 mA 200 @ 2ma, 6v 80MHz
RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110CT (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 2591 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN1110 50 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 250 ua, 5 mA 300 @ 1ma, 5v 4.7 Kohms
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-OT85LF 0,2000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2SC2712 150 MW To-236 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 70 @ 2ma, 6v 80MHz
RN1910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE (T5L, F, T) - - -
RFQ
 ECAD 8332 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN1910 100 MW Es6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 250 MHz 4.7kohm - - -
RN2307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307, lf 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906, lf 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200 MW US6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 4.7kohm 47kohm
2SA949-Y,ONK-1F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-y, ONK-1F (m - - -
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA949 800 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 ma 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1ma, 10a 70 @ 10ma, 5V 120 MHz
SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K336R, LF 0,4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvii-H Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-3 Flache Leitungen SSM3K336 MOSFET (Metalloxid) SOT-23F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 3a (ta) 4,5 V, 10 V. 95mohm @ 2a, 10V 2,5 V @ 100 µA 1,7 NC @ 4,5 V. ± 20 V 126 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
RN1908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908 (T5L, F, T) 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200 MW US6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 22kohm 47kohm
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118MFV (TPL3) 0,2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 RN2118 150 MW VESM Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 47 Kohms 10 Kohms
RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 633 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN1115 100 MW SSM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 250 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
RN1907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN1907 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 10kohm 47kohm
2SA1020-Y,F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y, f (m - - -
RFQ
 ECAD 1478 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA1020 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) 2SA1020-YF (m Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
2SA1428-Y,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-y, T2F (m - - -
RFQ
 ECAD 5045 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch SC-71 2SA1428 900 MW MSTM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
DSR01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SC (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 0201 (0603 Metrik) DSR01S30 Schottky SC2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 30 v 620 mv @ 100 mA 700 µa @ 30 V 125 ° C (max) 100 ma 8.2pf @ 0v, 1 MHz
2SC2712-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-BL, LF 0,2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2SC2712 150 MW S-mini Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 70 @ 2ma, 6v 80MHz
RN1103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3F 0,1700
RFQ
 ECAD 254 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 RN1103 150 MW VESM Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 22 Kohms 22 Kohms
TTA0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Tta0002 (q) 3.4100
RFQ
 ECAD 7945 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-3pl Tta0002 180 w To-3p (l) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Tta0002q Ear99 8541.29.0075 100 160 v 18 a 1 µA (ICBO) PNP 2v @ 900 mA, 9a 80 @ 1a, 5V 30 MHz
2SC1627A-O,PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC1627A-O, PASF (m - - -
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC1627 800 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 80 v 400 ma 100NA (ICBO) Npn 400mv @ 20 Ma, 200a 70 @ 50 Ma, 2V 100 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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