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Diskette HalblerProdukte (2909)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
TPCC8104, L1Q (CM	- - -	RFQ	2662	Toshiba Semiconductor und Lagerung	U-mosvi	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C.	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	TPCC8104	MOSFET (Metalloxid)		8-Tson-Fortschnitt (3.1x3.1)	- - -		1 (unbegrenzt)	264-TPCC8104L1Q (CMTR	Ear99	8541.29.0095	5.000			P-Kanal	30 v	20a (ta)	4,5 V, 10 V.	8.8mohm @ 10a, 10V	2v @ 500 ähm	58 NC @ 10 V	+20V, -25 V.	2260 PF @ 10 V	- - -	700 MW (TA), 27W (TC)
2SK3670, F (m	- - -	RFQ	2389	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Schüttgut	Veraltet			K. Loch	To-226-3, bis 92-3 Langer Körper	2SK3670			To-92mod	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	2SK3670F (m	Ear99	8541.21.0095	1					670 Ma (TJ)
RN4989, LXHF (CT	0,4400	RFQ	5	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4989		200 MW	US6	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0075	3.000																				50V	100 ma	500NA			1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual)	300 mV @ 250 ua, 5 mA	70 @ 10ma, 5V	250 MHz, 200 MHz	47kohm	22kohm
TK20E60W, S1VX	5.3700	RFQ	1878	Toshiba Semiconductor und Lagerung	Dtmosiv	Rohr	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	TK20E60	MOSFET (Metalloxid)		To-220	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal	600 V	20a (ta)	10V	155mohm @ 10a, 10V	3,7 V @ 1ma	48 nc @ 10 v	± 30 v	1680 PF @ 300 V	- - -	165W (TC)
CMZ36 (TE12L, Q, M)	0,5800	RFQ	2937	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 10%	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOD-128			2 w	M-Flat (2,4x3,8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.10.0050	3.000															1,2 V @ 200 Ma	10 µA @ 28,8 V.							36 v	30 Ohm
TPH3R704PC, LQ	0,9900	RFQ	14	Toshiba Semiconductor und Lagerung	U-MOSIX-H	Band & Rollen (TR)	Aktiv		175 ° C.	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	TPH3R704	MOSFET (Metalloxid)		8-fuß-äharsch (5x5)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal	40 v	82a (TC)	4,5 V, 10 V.	3,7 MOHM @ 41A, 10V	2,4 v Bei 300 ähm	47 NC @ 10 V	± 20 V	3615 PF @ 20 V	- - -	830 MW (TA), 90 W (TC)
2SD2129, Alpsq (m	- - -	RFQ	9406	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	2SD2129		2 w	To-220nis	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	3 a	100 µA (ICBO)			Npn	2v @ 12 ma, 3a	2000 @ 1,5a, 3V	- - -
2SK2962, F (j	- - -	RFQ	4731	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Schüttgut	Veraltet			K. Loch	To-226-3, bis 92-3 Langer Körper	2SK2962			To-92mod	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0095	1					1a (TJ)
Hn1a01fe-y, lf	0,3300	RFQ	1298	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666	HN1A01		100 MW	Es6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0095	4.000																				50V	150 Ma	100NA (ICBO)			2 PNP (Dual)	300mv @ 10 mA, 100 mA	120 @ 2MA, 6V	80MHz
1SS385FV, L3F	0,2400	RFQ	157	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOT-723	1SS385	Schottky		VESM	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.10.0070	8.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit												10 v	500 mV @ 100 mA	20 µa @ 10 V	125 ° C (max)	100 ma	20pf @ 0v, 1 MHz
HN1B04FU-GR, LXHF	0,4200	RFQ	6	Toshiba Semiconductor und Lagerung	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		- - -	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN1B04		200 MW	US6	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0075	3.000																				50V	150 Ma	100NA (ICBO)			NPN, PNP	250mv @ 10 mA, 100 mA / 300 mv @ 10 mA, 100 mA	200 @ 2ma, 6v	150 MHz, 120 MHz
Hn2a01fu-y (TE85L, f	0,4500	RFQ	2	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Klebeband (CT) Schneiden	Aktiv		125 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN2A01		200 MW	US6	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0095	3.000																				50V	150 Ma	100NA (ICBO)			2 PNP (Dual)	300mv @ 10 mA, 100 mA	120 @ 2MA, 6V	80MHz
2SA1020-y (T6omi, fm	- - -	RFQ	4882	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 Langer Körper	2SA1020		900 MW	To-92mod	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0075	1																				50 v	2 a	1 µA (ICBO)			PNP	500mv @ 50 Ma, 1a	70 @ 500 mA, 2V	100 MHz
2SC5171, ONKQ (j	- - -	RFQ	7689	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	2SC5171		2 w	To-220nis	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0075	1																				180 v	2 a	5 µA (ICBO)			Npn	1v @ 100 mA, 1a	100 @ 100 Ma, 5V	200 MHz
TTC5200 (q)	2.7000	RFQ	1	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Tablett	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-3pl	TTC5200		150 w	To-3p (l)	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0075	100																				230 V	15 a	5 µA (ICBO)			Npn	3v @ 800 mA, 8a	80 @ 1a, 5V	30 MHz
TPCC8002-H (TE12L, Q	- - -	RFQ	2822	Toshiba Semiconductor und Lagerung	U-Mosv-H	Band & Rollen (TR)	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-VDFN Exposed Pad	TPCC8002	MOSFET (Metalloxid)		8-tson-Fortschnitt (3,3x3,3)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal	30 v	22a (ta)	4,5 V, 10 V.	8.3mohm @ 11a, 10V	2,5 V @ 1ma	27 NC @ 10 V	± 20 V	2500 PF @ 10 V	- - -	700 MW (TA), 30W (TC)
2SD2257, Nikkiq (j	- - -	RFQ	2832	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	2SD2257		2 w	To-220nis	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	3 a	10 µA (ICBO)			Npn	1,5 V @ 1,5 Ma, 1,5a	2000 @ 2a, 2v	- - -
TPCF8201 (TE85L, F, M.	- - -	RFQ	6558	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-smd, Flaches Blei	TPCF8201	MOSFET (Metalloxid)	330 MW	VS-8 (2,9x1,5)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0095	4.000	2 n-kanal (dual)			20V	3a		49mohm @ 1,5a, 4,5 V.	1,2 V @ 200 ähm	7.5nc @ 5v		590PF @ 10V	Logikpegel -tor
RN2109, LXHF (CT	0,3300	RFQ	6	Toshiba Semiconductor und Lagerung	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-75, SOT-416	RN2109		100 MW	SSM	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0095	3.000																				50 v	100 ma	500NA			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 250 ua, 5 mA	70 @ 10ma, 5V	200 MHz	47 Kohms	22 Kohms
CMS07 (TE12L, Q, M)	0,1916	RFQ	2620	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOD-128	CMS07	Schottky		M-Flat (2,4x3,8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.10.0080	3.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												30 v	450 mV @ 2 a	500 µa @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C.	2a	- - -
RN1607 (TE85L, F)	0,4700	RFQ	1	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-74, SOT-457	RN1607		300 MW	Sm6	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0095	3.000																				50V	100 ma	100NA (ICBO)			2 NPN - Voresingenben (Dual)	300 mV @ 250 ua, 5 mA	80 @ 10ma, 5V	250 MHz	10kohm	47kohm
TK380A60Y, S4X	1.5700	RFQ	63	Toshiba Semiconductor und Lagerung	Dtmosv	Rohr	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	TK380A60	MOSFET (Metalloxid)		To-220sis	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal	600 V	9.7a (TC)	10V	380MOHM @ 4,9a, 10V	4V @ 360 ähm	20 nc @ 10 v	± 30 v	590 PF @ 300 V	- - -	30W
RN4987, LF (CT	0,3500	RFQ	4365	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4987		200 MW	US6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0095	3.000																				50V	100 ma	500NA			1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual)	300 mV @ 250 ua, 5 mA	80 @ 10ma, 5V	250 MHz, 200 MHz	10kohm	47kohm
RN1109 (T5L, F, T)	- - -	RFQ	2234	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	SC-75, SOT-416	RN1109		100 MW	SSM	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0075	3.000																				50 v	100 ma	500NA			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 250 ua, 5 mA	70 @ 10ma, 5V	250 MHz	47 Kohms	22 Kohms
TK7R4A10PL, S4X	1.4100	RFQ	1092	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Rohr	Aktiv		175 ° C.	K. Loch	To-220-3 Full Pack	TK7R4A10	MOSFET (Metalloxid)		To-220sis	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal	100 v	50a (TC)	4,5 V, 10 V.	7.4mohm @ 25a, 10V	2,5 V @ 500 ähm	44 NC @ 10 V.	± 20 V	2800 PF @ 50 V	- - -	42W (TC)
TK8S06K3L (T6L1, NQ)	1.2600	RFQ	4739	Toshiba Semiconductor und Lagerung	U-mosiv	Band & Rollen (TR)	Aktiv		175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	TK8S06	MOSFET (Metalloxid)		Dpak+	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	2.000			N-Kanal	60 v	8a (ta)	6 V, 10V	54mohm @ 4a, 10V	3V @ 1ma	10 nc @ 10 v	± 20 V	400 PF @ 10 V.	- - -	25W (TC)
TK6R7A10PL, S4X	1.5200	RFQ	2989	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Rohr	Aktiv		175 ° C.	K. Loch	To-220-3 Full Pack	TK6R7A10	MOSFET (Metalloxid)		To-220sis	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal	100 v	56a (TC)	4,5 V, 10 V.	6,7 MOHM @ 28a, 10V	2,5 V @ 500 ähm	58 NC @ 10 V	± 20 V	3455 PF @ 50 V	- - -	42W (TC)
SSM3J145TU, LXHF	0,3700	RFQ	2	Toshiba Semiconductor und Lagerung	Automotive, AEC-Q101, U-Mosvi	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C.	Oberflächenhalterung	3-smd, Flache Leitungen		MOSFET (Metalloxid)		UFM	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0095	3.000			P-Kanal	20 v	3a (ta)	1,5 V, 4,5 V.	103mohm @ 1a, 4,5 V.	1v @ 1ma	4,6 NC @ 4,5 V.	+6 V, -8v	270 PF @ 10 V.	- - -	500 MW (TA)
RN2901 (T5L, F, T)	- - -	RFQ	3843	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN2901		200 MW	US6	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ear99	8541.21.0095	3.000																				50V	100 ma	100NA (ICBO)			2 PNP - Voreeinnensmen (Dual)	300 mV @ 250 ua, 5 mA	30 @ 10ma, 5v	200 MHz	4.7kohm	4.7kohm
RN2105MFV, L3F	- - -	RFQ	8823	Toshiba Semiconductor und Lagerung	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOT-723	RN2105		150 MW	VESM	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)	RN2105MFVL3F	Ear99	8541.21.0095	8.000																				50 v	100 ma	100NA (ICBO)			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 500 µA, 5 mA	80 @ 10ma, 5V		2.2 Kohms	47 Kohms

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (2909)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²