SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Toleranz Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Geschwindigkeit FET-Typ Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If Strom – Rückwärtsleckage bei Vr Betriebstemperatur – Verbindungsstelle Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Kapazität @ Vr, F Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Diodentyp Spannung – Spitzenumkehr (max.) Strom – Kollektorabschaltung (max.) Spannung – Zener (Nom) (Vz) Impedanz (Max) (Zzt) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang Widerstand - Basis (R1) Widerstand – Emitterbasis (R2) Kapazitätsverhältnis Bedingung für das Kapazitätsverhältnis Q @ Vr, F
RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1414,LF 0,1900
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ECAD 4137 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1414 200 mW S-Mini herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA NPN – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 50 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 1 kOhm 10 kOhm
JDH2S02SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02SL,L3F 0,4200
Anfrage
ECAD 7 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 2-SMD, kein Anschlusskabel JDH2S02 Schottky SL2 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 10.000 Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit 10 V 25 µA bei 500 mV 125 °C (max.) 10mA 0,25 pF bei 200 mV, 1 MHz
RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412,LXHF 0,0645
Anfrage
ECAD 2650 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 mW S-Mini herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 100nA (ICBO) PNP – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 120 bei 1 mA, 5 V 200 MHz 22 kOhm
RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV,L3F 0,1800
Anfrage
ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-723 RN1131 150 mW VESM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100mA 100nA (ICBO) NPN – Voreingestellt 300 mV bei 500 µA, 5 mA 120 bei 1 mA, 5 V 100 kOhm
TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL,L1Q 1.5800
Anfrage
ECAD 9110 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSIX-H Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C Oberflächenmontage 8-PowerVDFN TPH1R405 MOSFET (Metalloxid) 8-SOP-Vorschuss (5x5) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 45 V 120A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,4 mOhm bei 50 A, 10 V 2,4 V bei 500 µA 74 nC bei 10 V ±20V 6300 pF bei 22,5 V - 960 mW (Ta), 132 W (Tc)
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT(TPL3) -
Anfrage
ECAD 2343 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet Oberflächenmontage SC-101, SOT-883 RN1101 50 mW CST3 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 10.000 20 V 50mA 500nA NPN – Voreingestellt 150 mV bei 250 µA, 5 mA 30 bei 10 mA, 5 V 4,7 kOhm 4,7 kOhm
2SK3309(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309(TE24L,Q) -
Anfrage
ECAD 7505 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 2SK3309 MOSFET (Metalloxid) TO-220SM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 450 V 10A (Ta) 10V 650 mOhm bei 5 A, 10 V 5 V bei 1 mA 23 nC bei 10 V ±30V 920 pF bei 10 V - 65 W (Tc)
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB,L1XHQ 1.8400
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ECAD 9 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVIII-H Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C Oberflächenmontage 8-SOIC (0,197", 5,00 mm Breite) XPH6R30 MOSFET (Metalloxid) 8-SOP-Vorschuss (5x5) - 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 100 V 45A (Ta) 6V, 10V 6,3 mOhm bei 22,5 A, 10 V 3,5 V bei 500 µA 52 nC bei 10 V ±20V 3240 pF bei 10 V - 960 mW (Ta), 132 W (Tc)
RN2106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV,L3XHF(CT 0,3400
Anfrage
ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-723 RN2106 150 mW VESM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100mA 500nA PNP – Voreingestellt 300 mV bei 500 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 47 kOhm
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909,LXHF(CT 0,3500
Anfrage
ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200 mW US6 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500nA 2 NPN – Vorgespannt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 70 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 47kOhm 22kOhm
2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y,LXHF 0,3900
Anfrage
ECAD 690 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv - Oberflächenmontage SC-75, SOT-416 120 mW SSM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150mA 100nA (ICBO) PNP 300 mV bei 10 mA, 100 mA 120 bei 2 mA, 6 V 80 MHz
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC,L3F 0,3400
Anfrage
ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVII Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage SC-101, SOT-883 SSM3J35 MOSFET (Metalloxid) CST3C herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 10.000 P-Kanal 20 V 250mA (Ta) 1,2 V, 4,5 V 1,4 Ohm bei 150 mA, 4,5 V 1 V bei 100 µA ±10V 42 pF bei 10 V - 500 mW (Ta)
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H(TE12LQM -
Anfrage
ECAD 2576 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSV-H Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-VDFN freiliegendes Pad TPCC8002 MOSFET (Metalloxid) 8-TSON Advance (3,3x3,3) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 V 22A (Ta) 4,5 V, 10 V 8,3 mOhm bei 11 A, 10 V 2,5 V bei 1 mA 27 nC bei 10 V ±20V 2500 pF bei 10 V - 700 mW (Ta), 30 W (Tc)
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R006PL,L1Q 0,8500
Anfrage
ECAD 22 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSIX-H Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C (TJ) Oberflächenmontage 8-PowerVDFN TPH7R006 MOSFET (Metalloxid) 8-SOP-Vorschuss (5x5) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 V 60A (Tc) 4,5 V, 10 V 13,5 mOhm bei 10 A, 4,5 V 2,5 V bei 200 µA 22 nC bei 10 V ±20V 1875 pF bei 30 V - 81W (Tc)
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011(TE85L,F,M) -
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ECAD 5591 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSIV Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 TPC6011 MOSFET (Metalloxid) VS-6 (2,9x2,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 V 6A (Ta) 4,5 V, 10 V 20 mOhm bei 3 A, 10 V 2,5 V bei 1 mA 14 nC bei 10 V ±20V 640 pF bei 10 V - 700 mW (Ta)
CRY75(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY75(TE85L,Q,M) -
Anfrage
ECAD 7359 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet ±10 % -40°C ~ 150°C Oberflächenmontage SOD-123F CRY75 700 mW S-FLACH (1,6x3,5) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V bei 200 mA 10 µA bei 4,5 V 7,5 V 30 Ohm
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6008-H(TE85L,FM -
Anfrage
ECAD 7556 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVI-H Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 TPC6008 MOSFET (Metalloxid) VS-6 (2,9x2,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 V 5,9 A (Ta) 4,5 V, 10 V 60 mOhm bei 3 A, 10 V 2,3 V bei 100 µA 4,8 nC bei 10 V ±20V 300 pF bei 10 V - 700 mW (Ta)
RN4901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE,LXHF(CT 0,3800
Anfrage
ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-563, SOT-666 RN4901 100 mW ES6 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP – vorgespannt (dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 30 bei 10 mA, 5 V 200 MHz, 250 MHz 4,7 kOhm 4,7 kOhm
1SV323,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV323,H3F 0,3800
Anfrage
ECAD 19 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 125°C (TJ) Oberflächenmontage SC-79, SOD-523 1SV323 ESC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0080 4.000 7,1 pF bei 4 V, 1 MHz Einzeln 10 V 4.3 C1/C4 -
RN4904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904,LXHF(CT 0,4400
Anfrage
ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200 mW US6 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP – vorgespannt (dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 200 MHz, 250 MHz 47kOhm 47kOhm
CUS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I30A(TE85L,QM -
Anfrage
ECAD 5115 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet Oberflächenmontage SC-76, SOD-323 CUS10I30 Schottky US-FLACH (1,25x2,5) herunterladen RoHS-konform CUS10I30A(TE85LQM EAR99 8541.10.0080 4.000 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 30 V 390 mV bei 700 mA 60 µA bei 30 V 150 °C (max.) 1A 50 pF bei 10 V, 1 MHz
TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK170V65Z,LQ 3.6700
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DTMOSVI Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage 4-VSFN freiliegendes Pad TK170V65 MOSFET (Metalloxid) 4-DFN-EP (8x8) herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 650 V 18A (Ta) 10V 170 mOhm bei 9 A, 10 V 4 V bei 730 µA 29 nC bei 10 V ±30V 1635 pF bei 300 V - 150 W (Tc)
RN1412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412,LXHF 0,0645
Anfrage
ECAD 6934 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200 mW S-Mini herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 100nA (ICBO) NPN – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 120 bei 1 mA, 5 V 250 MHz 22 kOhm
RN1315,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315,LXHF 0,3900
Anfrage
ECAD 8527 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-70, SOT-323 RN1315 100 mW SC-70 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA NPN – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 50 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm 10 kOhm
RN4982FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE,LXHF(CT 0,3800
Anfrage
ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-563, SOT-666 RN4982 100 mW ES6 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP – vorgespannt (dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 50 bei 10 mA, 5 V 250 MHz, 200 MHz 10kOhm 10kOhm
TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4K1A60F,S4X 0,8300
Anfrage
ECAD 8560 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv 150°C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK4K1A60 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 2A (Ta) 10V 4,1 Ohm bei 1 A, 10 V 4 V bei 190 µA 8 nC bei 10 V ±30V 270 pF bei 300 V - 30W (Tc)
1SS394TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS394TE85LF 0,3900
Anfrage
ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS394 Schottky SC-59 herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 3.000 Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit 10 V 500 mV bei 100 mA 20 µA bei 10 V 125 °C (max.) 100mA 40 pF bei 0 V, 1 MHz
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L,LXHQ 1.6500
Anfrage
ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVI Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TJ60S06 MOSFET (Metalloxid) DPAK+ herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 60 V 60A (Ta) 6V, 10V 11,2 mOhm bei 30 A, 10 V 3V bei 1mA 156 nC bei 10 V +10V, -20V 7760 pF bei 10 V - 100 W (Tc)
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y,S4X 1.5700
Anfrage
ECAD 12 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DTMOSV Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK560A65 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform Nicht anwendbar EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 7A (Tc) 10V 560 mOhm bei 3,5 A, 10 V 4 V bei 240 µA 14,5 nC bei 10 V ±30V 380 pF bei 300 V - 30W
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE(T5L,F,T) -
Anfrage
ECAD 8069 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet Oberflächenmontage SOT-563, SOT-666 RN2904 100 mW ES6 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100nA (ICBO) 2 PNP – voreingestellt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 200 MHz 47kOhm 47kOhm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Vorrätiges Lager