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Diskette HalblerProdukte (2909)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TPC8031-H (TE12LQM) | - - - |  | 5858 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TPC8031 | MOSFET (Metalloxid) | 5,5x6.0) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 13,3 MOHM @ 5,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 21 NC @ 10 V | 2150 PF @ 10 V | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Tdtc124e, lm | 0,1800 | | 4840 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TDTC124 | 320 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 49 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TK4P60DB (T6RSS-Q) | - - - | | 1320 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | π-mosvii | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TK4P60 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TK4P60DBT6RSSQ | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 600 V | 3.7a (ta) | 10V | 2OHM @ 1,9a, 10V | 4,4 V @ 1ma | 11 NC @ 10 V | ± 30 v | 540 PF @ 25 V. | - - - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | TK4A60D (STA4, Q, M) | - - - | | 6275 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | π-mosvii | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TK4A60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220sis | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 4a (ta) | 10V | 1,7ohm @ 2a, 10V | 4,4 V @ 1ma | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 600 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SJ380 (f) | - - - | | 1045 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SJ380 | MOSFET (Metalloxid) | To-220nis | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 12a (ta) | 4 V, 10V | 210mohm @ 6a, 10V | 2V @ 1ma | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 1100 PF @ 10 V | - - - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | TPHR8504PL, L1Q | 1.9400 | | 5381 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | U-MOSIX-H | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Tphr8504 | MOSFET (Metalloxid) | 8-fuß-äharsch (5x5) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 150a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,85 MOHM @ 50a, 10 V. | 2,4 V @ 1ma | 103 NC @ 10 V | ± 20 V | 9600 PF @ 20 V | - - - | 1W (TA), 170W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | SSM3K7002KFU, LXH | 0,4000 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MOSFET (Metalloxid) | USM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 400 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1,5OHM @ 100 mA, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 40 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | RN2409, LXHF | 0,3400 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2409 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6K405TU, LF | 0,3700 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | SSM6K405 | MOSFET (Metalloxid) | UF6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 1,5 V, 4V | 126mohm @ 1a, 4V | 1v @ 1ma | 3.4 NC @ 4 V. | ± 10 V | 195 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | RN1910FE, LF (CT | 0,2700 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN1910 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SV324TPH3F | 0,4200 | | 972 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 1SV324 | USC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 12pf @ 4v, 1 MHz | Einzel | 10 v | 4.3 | C1/C4 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1421TE85LF | 0,4200 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN1421 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 800 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250mv @ 2MA, 50 mA | 60 @ 100 mA, 1V | 300 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| TPCC8002-H (TE12LQM | - - - | | 2576 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | U-Mosv-H | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | TPCC8002 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tson-Fortschnitt (3,3x3,3) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 22a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8.3mohm @ 11a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 2500 PF @ 10 V | - - - | 700 MW (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SSM3J140TU, LXHF | 0,5500 | | 126 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automotive, AEC-Q101, U-Mosvi | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | MOSFET (Metalloxid) | UFM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4,4a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 25,8 MOHM @ 4A, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 24,8 NC @ 4,5 V. | +6 V, -8v | 1800 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1SV282TPH3F | 0,0886 | | 1657 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 1SV282 | Esc | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 3PF @ 25V, 1 MHz | Einzel | 34 v | 12.5 | C2/C25 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TPH3R704PL, L1Q | 0,9400 | | 60 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | U-MOSIX-H | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | TPH3R704 | MOSFET (Metalloxid) | 8-fuß-äharsch (5x5) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 92a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,7 MOHM @ 46A, 10V | 2,4 V @ 200 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 2500 PF @ 20 V | - - - | 960 MW (TA), 81W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| TPCA8109 (TE12L1, V. | - - - | | 3844 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | U-mosvi | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | TPCA8109 | MOSFET (Metalloxid) | 8-fuß-äharsch (5x5) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TPCA8109 (TE12L1VTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 30 v | 24a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 12a, 10V | 2v @ 500 ähm | 56 NC @ 10 V | +20V, -25 V. | 2400 PF @ 10 V. | - - - | 1,6W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| RN1966FE (TE85L, F) | 0,3800 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN1966 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RN1673 (TE85L, F) | - - - | | 6017 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1673 | 300 MW | US6 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | - - - | 47kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RN2109ACT (TPL3) | 0,3400 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | RN2109 | 100 MW | CST3 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 80 Ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| TK65S04N1L, LQ | 2.0100 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | U-mosviii-h | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TK65S04 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak+ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 65a (ta) | 10V | 4.3mohm @ 32.5a, 10V | 2,5 V Bei 300 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2550 PF @ 10 V | - - - | 107W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| TK22V65X5, LQ | 5.6600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Dtmosiv-H | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-VSFN-Exponiertebad | MOSFET (Metalloxid) | 4-DFN-EP (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 650 V | 22a (ta) | 10V | 170Mohm @ 11a, 10V | 4,5 V @ 1,1 Ma | 50 nc @ 10 v | ± 30 v | 2400 PF @ 300 V | - - - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | RN2709, LF | 0,3100 | | 8528 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | RN2709 | 200 MW | USV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 47kohm | 22kohm | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM3J306T (TE85L, F) | - - - | | 5083 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SSM3J306 | MOSFET (Metalloxid) | TSM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2.4a (TA) | 4 V, 10V | 117mohm @ 1a, 10V | - - - | 2,5 NC @ 15 V | ± 20 V | 280 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
| SSM3J15CT, L3F | 0,3100 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | MOSFET (Metalloxid) | CST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 30 v | 100 mA (ta) | 2,5 V, 4 V. | 12ohm @ 10 ma, 4V | 1,7 V @ 100 µA | ± 20 V | 9.1 PF @ 3 V. | - - - | 100 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
| SSM6K403TU, LF | 0,4900 | | 6811 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | U-mosiii | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | SSM6K403 | MOSFET (Metalloxid) | UF6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4.2a (TA) | 1,5 V, 4V | 28mohm @ 3a, 4V | 1v @ 1ma | 16,8 NC @ 4 V. | ± 10 V | 1050 PF @ 10 V | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| TK4A60DA (STA4, Q, M) | - - - | | 8479 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | π-mosvii | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TK4A60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220sis | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 3,5a (TA) | 10V | 2,2OHM @ 1,8a, 10V | 4,4 V @ 1ma | 11 NC @ 10 V | ± 30 v | 490 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
| Tk6a65d (STA4, Q, M) | 1.9400 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | π-mosvii | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TK6A65 | MOSFET (Metalloxid) | To-220sis | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 6a (ta) | 10V | 1.11ohm @ 3a, 10V | 4v @ 1ma | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 1050 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| TK25A20D, S5X | 1.7900 | | 40 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C. | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220sis | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 25a (ta) | 10V | 70 MOHM @ 12.5A, 10V | 3,5 V @ 1ma | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2550 PF @ 100 V | - - - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 1SS427, L3m | 0,2700 | | 55 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-923 | 1SS427 | Standard | SOD-923 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1,2 V @ 100 mA | 1,6 ns | 500 na @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 100 ma | 0,3PF @ 0V, 1 MHz |
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