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Diskrete Halbleiterprodukte (2909)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Diodenkonfiguration	Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If	Reverse Recovery Time (trr)	Strom – Rückwärtsleckage bei Vr	Betriebstemperatur – Verbindungsstelle	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	Kapazität @ Vr, F	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Diodentyp	Spannung – Spitzenumkehr (max.)	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Widerstand - Basis (R1)	Widerstand – Emitterbasis (R2)	Kapazitätsverhältnis	Bedingung für das Kapazitätsverhältnis	Q @ Vr, F
TK9A45D(STA4,Q,M)	1.7100	Anfrage	8473	Toshiba Semiconductor und Storage	π-MOSVII	Rohr	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	TK9A45	MOSFET (Metalloxid)		TO-220SIS	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	50			N-Kanal	450 V	9A (Ta)	10V	770 mOhm bei 4,5 A, 10 V	4V bei 1mA	16 nC bei 10 V	±30V	800 pF bei 25 V	-	40 W (Tc)
TPWR8004PL,L1Q	2.9700	Anfrage	1220	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSIX-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerWDFN	TPWR8004	MOSFET (Metalloxid)		8-DSOP-Vorschuss	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	5.000			N-Kanal	40 V	150A (Tc)	4,5 V, 10 V	0,8 mOhm bei 50 A, 10 V	2,4 V bei 1 mA	103 nC bei 10 V	±20V	9600 pF bei 20 V	-	1 W (Ta), 170 W (Tc)
SSM6K211FE,LF	0,5400	Anfrage	2	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSIII	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SSM6K211	MOSFET (Metalloxid)		ES6	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	4.000			N-Kanal	20 V	3,2A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	47 mOhm bei 2 A, 4,5 V	1 V bei 1 mA	10,8 nC bei 4,5 V	±10V	510 pF bei 10 V	-	500 mW (Ta)
TK110A10PL,S4X	1.0900	Anfrage	328	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Rohr	Aktiv	175°C	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	TK110A10	MOSFET (Metalloxid)		TO-220SIS	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	50			N-Kanal	100 V	36A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,8 mOhm bei 18 A, 10 V	2,5 V bei 300 µA	33 nC bei 10 V	±20V	2040 pF bei 50 V	-	36W (Tc)
TPHR9203PL,L1Q	1.6300	Anfrage	8	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSIX-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	TPHR9203	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5)	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	5.000			N-Kanal	30 V	150A (Tc)	4,5 V, 10 V		2,1 V bei 500 µA	80 nC bei 10 V	±20V	7540 pF bei 15 V	-	132W (Tc)
TPC8134,LQ(S	0,7300	Anfrage	2	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVI	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	TPC8134	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	2.500			P-Kanal	40 V	5A (Ta)	4,5 V, 10 V	52 mOhm bei 2,5 A, 10 V	2V bei 100µA	20 nC bei 10 V	+20V, -25V	890 pF bei 10 V	-	1W (Ta)
RN2703,LF	0,2900	Anfrage	5173	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	RN2703		200 mW	USV	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50V	100mA			500nA	2 PNP – voreingestellt (Dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	70 bei 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	22kOhm
RN4987FE,LF(CT	0,2700	Anfrage	32	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	RN4987		100 mW	ES6	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	4.000																							50V	100mA			500nA	1 NPN, 1 PNP – vorgespannt (dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	10kOhm	47kOhm
RN1309,LXHF	0,3900	Anfrage	3	Toshiba Semiconductor und Storage	Automobil, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	RN1309		100 mW	SC-70	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100mA			500nA	NPN – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	70 bei 5 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	22 kOhm
BAV99,LM	0,1900	Anfrage	687	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV99	Standard		SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0070	3.000		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)												1 Paar Reihenschaltung	100 V	215mA	1,25 V bei 150 mA	3 ns	200 nA bei 80 V	150 °C (max.)
TPC8092,LQ(S	-	Anfrage	8376	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVII	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	TPC8092	MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal	30 V	15A (Ta)	4,5 V, 10 V	9 mOhm bei 7,5 A, 10 V	2,3 V bei 200 µA	25 nC bei 10 V	±20V	1800 pF bei 10 V	-	1W (Ta)
TJ20S04M3L(T6L1,NQ	1.3300	Anfrage	9822	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVI	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	TJ20S04	MOSFET (Metalloxid)		DPAK+	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	2.000			P-Kanal	40 V	20A (Ta)	6V, 10V	22,2 mOhm bei 10 A, 10 V	3V bei 1mA	37 nC bei 10 V	+10V, -20V	1850 pF bei 10 V	-	41W (Tc)
TK1P90A,LQ(CO	-	Anfrage	9799	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	TK1P90	MOSFET (Metalloxid)		PW-FORM	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	TK1P90ALQ(CO	EAR99	8541.29.0095	2.000			N-Kanal	900 V	1A (Ta)	10V	9 Ohm bei 500 mA, 10 V	4V bei 1mA	13 nC bei 10 V	±30V	320 pF bei 25 V	-	20W (Tc)
TRS16N65FB,S1Q	6.0900	Anfrage	238	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Rohr	Aktiv		Durchgangsloch	TO-247-3	TRS16N65	SiC (Siliziumkarbid) Schottky		TO-247	-		1 (Unbegrenzt)	264-TRS16N65FBS1Q	EAR99	8541.10.0080	30		Keine Erholungszeit > 500 mA (Io)												1 Paar gemeinsame Kathode	650 V	8A (DC)	1,6 V bei 8 A	0 ns	40 µA bei 650 V	175°C
SSM6P54TU,LF	0,4100	Anfrage	1	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	6-SMD, flache Anschlüsse	SSM6P54	MOSFET (Metalloxid)	500 mW (Ta)	UF6	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 P-Kanal (Dual)			20V	1,2A (Ta)		228 mOhm bei 600 mA, 2,5 V	1 V bei 1 mA	7,7 nC bei 4 V		331pF bei 10V	Logikpegel-Gate, 1,5-V-Antrieb
1SS417,L3M	0,2700	Anfrage	9195	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	2-SMD, Flachanschluss	1SS417	Schottky		fSC	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0070	10.000		Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit													40 V		620 mV bei 50 mA		5 µA bei 40 V	125 °C (max.)	100mA	15 pF bei 0 V, 1 MHz
1SV324TPH3F	0,4200	Anfrage	972	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-76, SOD-323	1SV324			USC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.10.0070	3.000																						12pF bei 4V, 1MHz			Einzeln	10 V								4.3	C1/C4	-
RN1116,LXHF(CT	0,3300	Anfrage	6	Toshiba Semiconductor und Storage	Automobil, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-75, SOT-416	RN1116		100 mW	SSM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100mA			500nA	NPN – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	50 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	10 kOhm
XPN3R804NC,L1XHQ	1.4700	Anfrage	9	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVIII	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	XPN3R804	MOSFET (Metalloxid)		8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	5.000			N-Kanal	40 V	40A (Ta)	4,5 V, 10 V	3,8 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 300 µA	35 nC bei 10 V	±20V	2230 pF bei 10 V	-	840 mW (Ta), 100 W (Tc)
TK22V65X5,LQ	5.6600	Anfrage	2	Toshiba Semiconductor und Storage	DTMOSIV-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	4-VSFN freiliegendes Pad		MOSFET (Metalloxid)		4-DFN-EP (8x8)	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal	650 V	22A (Ta)	10V	170 mOhm bei 11 A, 10 V	4,5 V bei 1,1 mA	50 nC bei 10 V	±30V	2400 pF bei 300 V	-	180 W (Tc)
TK22A65X,S5X	3.8400	Anfrage	188	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Rohr	Aktiv	150°C	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	TK22A65	MOSFET (Metalloxid)		TO-220SIS	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	50			N-Kanal	650 V	22A (Ta)	10V	150 mOhm bei 11 A, 10 V	3,5 V bei 1,1 mA	50 nC bei 10 V	±30V	2400 pF bei 300 V	-	45W (Tc)
TK60F10N1L,LXGQ	2.3200	Anfrage	1	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVIII-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB	TK60F10	MOSFET (Metalloxid)		TO-220SM(W)	-		3 (168 Stunden)		EAR99	8541.29.0095	1.000			N-Kanal	100 V	60A (Ta)	6V, 10V	6,11 mOhm bei 30 A, 10 V	3,5 V bei 500 µA	60 nC bei 10 V	±20V	4320 pF bei 10 V	-	205 W (Tc)
TK8Q60W,S1VQ	2.4800	Anfrage	7622	Toshiba Semiconductor und Storage	DTMOSIV	Rohr	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 Stichleitungen, IPak	TK8Q60	MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	75			N-Kanal	600 V	8A (Ta)	10V	500 mOhm bei 4 A, 10 V	3,7 V bei 400 µA	18,5 nC bei 10 V	±30V	570 pF bei 300 V	-	80 W (Tc)
2SC6026MFV-Y,L3F	0,1900	Anfrage	7	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-723	2SC6026		150 mW	VESM	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0095	8.000																							50 V	150mA			100nA (ICBO)	NPN	250 mV bei 10 mA, 100 mA	120 bei 2 mA, 6 V	60 MHz
RN2709,LF	0,3100	Anfrage	8528	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	RN2709		200 mW	USV	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50V	100mA			500nA	2 PNP – voreingestellt (Dual)	300 mV bei 250 µA, 5 mA	70 bei 10 mA, 5 V	200 MHz	47kOhm	22kOhm
TPH9R00CQ5,LQ	2.5500	Anfrage	5	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSX-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	175°C	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5)	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)				5.000			N-Kanal	150 V	108A (Ta), 64A (Tc)	8V, 10V	9 mOhm bei 32 A, 10 V	4,5 V bei 1 mA	44 nC bei 10 V	±20V	5400 pF bei 75 V	-	3W (Ta), 210W (Tc)
TK6A65D(STA4,Q,M)	1.9400	Anfrage	6	Toshiba Semiconductor und Storage	π-MOSVII	Rohr	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	TK6A65	MOSFET (Metalloxid)		TO-220SIS	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	50			N-Kanal	650 V	6A (Ta)	10V	1,11 Ohm bei 3 A, 10 V	4V bei 1mA	20 nC bei 10 V	±30V	1050 pF bei 25 V	-	45W (Tc)
RN1309,LF	0,1900	Anfrage	3	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	RN1309		100 mW	SC-70	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100mA			500nA	NPN – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	70 bei 5 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	22 kOhm
TPH4R50ANH1,LQ	1.5400	Anfrage	8	Toshiba Semiconductor und Storage	U-MOSVIII-H	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP-Vorschuss (5x5,75)	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	5.000			N-Kanal	100 V	92A (Tc)	10V	4,5 mOhm bei 46 A, 10 V	4V bei 1mA	58 nC bei 10 V	±20V	5200 pF bei 50 V	-	800 mW (Ta)
RN1414,LF	0,1900	Anfrage	4137	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1414		200 mW	S-Mini	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100mA			500nA	NPN – Voreingestellt	300 mV bei 250 µA, 5 mA	50 bei 10 mA, 5 V	250 MHz	1 kOhm	10 kOhm