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Diskrete Halbleiterprodukte (2909)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Geschwindigkeit FET-Typ Gewinnen Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Diodenkonfiguration Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If Reverse Recovery Time (trr) Strom – Rückwärtsleckage bei Vr Betriebstemperatur – Verbindungsstelle Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Kapazität @ Vr, F Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Diodentyp Spannung – Spitzenumkehr (max.) Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS) Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0) Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id Strom – Kollektorabschaltung (max.) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang Widerstand - Basis (R1) Widerstand – Emitterbasis (R2) Rauschzahl (dB Typ @ f) Kapazitätsverhältnis Bedingung für das Kapazitätsverhältnis Q @ Vr, F
1SS422(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS422(TE85L,F) 0,4000
Anfrage
 ECAD 29 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-75, SOT-416 1SS422 Schottky SSM herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 3.000 Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit 1 Paar Reihenschaltung 30 V 100mA 500 mV bei 100 mA 50 µA bei 30 V 125 °C (max.)
TJ40S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L,LXHQ 1.0800
Anfrage
 ECAD 9632 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVI Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TJ40S04 MOSFET (Metalloxid) DPAK+ herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 40 V 40A (Ta) 6V, 10V 9,1 mOhm bei 20 A, 10 V 3V bei 1mA 83 nC bei 10 V +10V, -20V 4140 pF bei 10 V - 68W (Tc)
TK160F10N1,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1,LXGQ 3.8300
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVIII-H Tape & Reel (TR) Nicht für neue Designs 175°C Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB TK160F10 MOSFET (Metalloxid) TO-220SM(W) herunterladen 3 (168 Stunden) EAR99 8541.21.0095 1.000 N-Kanal 100 V 160A (Ta) 10V 2,4 mOhm bei 80 A, 10 V 4V bei 1mA 121 nC bei 10 V ±20V 8510 pF bei 10 V - 375 W (Tc)
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL(TE85L,F) 0,5900
Anfrage
 ECAD 14 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 125°C (TJ) Oberflächenmontage SC-70, SOT-323 2SK880 100 mW SC-70 herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 13pF bei 10V 50 V 6 mA bei 10 V 1,5 V bei 100 nA
SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R,LF 0,4500
Anfrage
 ECAD 23 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVI Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3-Flachleitungen SSM3J331 MOSFET (Metalloxid) SOT-23F herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 V 4A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 55 mOhm bei 3 A, 4,5 V 1 V bei 1 mA 10,4 nC bei 4,5 V ±8V 630 pF bei 10 V - 1W (Ta)
1SV229TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV229TPH3F 0,3800
Anfrage
 ECAD 9260 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 125°C (TJ) Oberflächenmontage SC-76, SOD-323 1SV229 USC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0080 3.000 6,5 pF bei 10 V, 1 MHz Einzeln 15 V 2.5 C2/C10 -
TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH,LQ 0,9000
Anfrage
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVIII-H Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-PowerVDFN TPN3300 MOSFET (Metalloxid) 8-TSON Advance (3,3x3,3) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 100 V 9,4A (Tc) 10V 33 mOhm bei 4,7 A, 10 V 4 V bei 100 µA 11 nC bei 10 V ±20V 880 pF bei 50 V - 700 mW (Ta), 27 W (Tc)
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3F 0,1800
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-76, SOD-323 BAS316 Standard USC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 3.000 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 100 V 1,25 V bei 150 mA 3 ns 200 nA bei 80 V 150 °C (max.) 250mA 0,35 pF bei 0 V, 1 MHz
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU,LF 0,4100
Anfrage
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage 6-WDFN freiliegendes Pad SSM6K516 MOSFET (Metalloxid) 6-UDFNB (2x2) - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 V 6A (Ta) 4,5 V, 10 V 46 mOhm bei 4 A, 10 V 2,5 V bei 100 µA 2,5 nC bei 4,5 V +20V, -12V 280 pF bei 15 V - 1,25 W (Ta)
RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1108MFV,L3F 0,1800
Anfrage
 ECAD 29 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-723 RN1108 150 mW VESM herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100mA 500nA NPN – Voreingestellt 300 mV bei 500 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 22 kOhm 47 kOhm
RN2308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2308,LXHF 0,3900
Anfrage
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-70, SOT-323 RN2308 100 mW SC-70 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA PNP – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 200 MHz 22 kOhm 47 kOhm
2SD2257(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257(CANO,A,Q) -
Anfrage
 ECAD 7754 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket 2SD2257 2 W TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 1 100 V 3 A 10 µA (ICBO) NPN 1,5 V bei 1,5 mA, 1,5 A 2000 bei 2A, 2V -
CLS02(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02(TE16L,SQC,Q) -
Anfrage
 ECAD 2120 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet Oberflächenmontage L-FLAT™ CLS02 Schottky L-FLAT™ (4x5,5) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 40 V 550 mV bei 10 A 1 mA bei 40 V -40 °C ~ 125 °C 10A 420pF bei 10V, 1MHz
2SA1943-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O(S1,F 2.9200
Anfrage
 ECAD 20 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-3PL 150 W TO-3P(L) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 25 230 V 15 A 5µA (ICBO) PNP 3 V bei 800 mA, 8 A 80 @ 1A, 5V 30 MHz
TK12J60W,S1VE(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60W,S1VE(S -
Anfrage
 ECAD 8348 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tablett Aktiv 150°C Durchgangsloch TO-3P-3, SC-65-3 TK12J60 MOSFET (Metalloxid) TO-3P(N) - 1 (Unbegrenzt) 264-TK12J60WS1VE(S EAR99 8541.29.0095 25 N-Kanal 600 V 11,5 A (Ta) 10V 300 mOhm bei 5,8 A, 10 V 3,7 V bei 600 µA 25 nC bei 10 V ±30V 890 pF bei 300 V - 110 W (Tc)
RN1444ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1444ATE85LF -
Anfrage
 ECAD 7205 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1444 200 mW S-Mini herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 300mA 100nA (ICBO) NPN – Voreingestellt 100 mV bei 3 mA, 30 mA 200 bei 4 mA, 2 V 30 MHz 2,2 kOhm
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage MT4S300U(TE85L,O,F 0,6800
Anfrage
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage SC-82A, SOT-343 MT4S300 250 mW USQ herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 16,9 dB 4V 50mA NPN 200 bei 10 mA, 3 V 26,5 GHz 0,55 dB bei 2 GHz
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M) -
Anfrage
 ECAD 5714 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSIV Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 TPC6012 MOSFET (Metalloxid) VS-6 (2,9x2,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 V 6A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 20 mOhm bei 3 A, 4,5 V 1,2 V bei 200 µA 9 nC bei 5 V ±12V 630 pF bei 10 V - 700 mW (Ta)
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL,LQ 0,6800
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVIII-H Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-PowerVDFN TPN11003 MOSFET (Metalloxid) 8-TSON Advance (3,1x3,1) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 V 11A (Tc) 4,5 V, 10 V 11 mOhm bei 5,5 A, 10 V 2,3 V bei 100 µA 7,5 nC bei 10 V ±20V 660 pF bei 15 V - 700 mW (Ta), 19 W (Tc)
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6F(J -
Anfrage
 ECAD 4247 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper 2SK2962 TO-92MOD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 1 1A (Tj)
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,YHF(M -
Anfrage
 ECAD 9650 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket 2SC4793 2 W TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 A 1µA (ICBO) NPN 1,5 V bei 50 mA, 500 mA 100 bei 100 mA, 5 V 100 MHz
2SC2235-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(6MBH1,AF -
Anfrage
 ECAD 8417 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper 2SC2235 900 mW TO-92MOD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100nA (ICBO) NPN 1 V bei 50 mA, 500 mA 80 bei 100 mA, 5 V 120 MHz
2SJ438(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438(CANO,A,Q) -
Anfrage
 ECAD 6374 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket 2SJ438 TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 1 5A (Tj)
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(T6CANOFM -
Anfrage
 ECAD 8697 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper 2SC2655 900 mW TO-92MOD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 2SC2655YT6CANOFM EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV bei 50 mA, 1 A 70 bei 500 mA, 2 V 100 MHz
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU(T5L,T) -
Anfrage
 ECAD 2761 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage 3-SMD, flache Anschlüsse SSM3J114 MOSFET (Metalloxid) UFM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 V 1,8A (Ta) 1,5 V, 4 V 149 mOhm bei 600 mA, 4 V 1 V bei 1 mA 7,7 nC bei 4 V ±8V 331 pF bei 10 V - 500 mW (Ta)
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H(T2L1,VM -
Anfrage
 ECAD 3369 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVI-H Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-PowerVDFN TPCA8045 MOSFET (Metalloxid) 8-SOP-Vorschuss (5x5) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 V 46A (Ta) 4,5 V, 10 V 3,6 mOhm bei 23 A, 10 V 2,3 V bei 1 mA 90 nC bei 10 V ±20V 7540 pF bei 10 V - 1,6 W (Ta), 45 W (Tc)
TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W,S1Q 1.4000
Anfrage
 ECAD 8899 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DTMOSIV Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-251-3 Stichleitungen, IPak TK6Q65 MOSFET (Metalloxid) I-Pak herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 75 N-Kanal 650 V 5,8A (Ta) 10V 1,05 Ohm bei 2,9 A, 10 V 3,5 V bei 180 µA 11 nC bei 10 V ±30V 390 pF bei 300 V - 60 W (Tc)
TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB,S1Q 6.0900
Anfrage
 ECAD 238 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv Durchgangsloch TO-247-3 TRS16N65 SiC (Siliziumkarbid) Schottky TO-247 - 1 (Unbegrenzt) 264-TRS16N65FBS1Q EAR99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) 1 Paar gemeinsame Kathode 650 V 8A (DC) 1,6 V bei 8 A 0 ns 40 µA bei 650 V 175°C
1SS417,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417,L3M 0,2700
Anfrage
 ECAD 9195 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 2-SMD, Flachanschluss 1SS417 Schottky fSC herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 10.000 Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit 40 V 620 mV bei 50 mA 5 µA bei 40 V 125 °C (max.) 100mA 15 pF bei 0 V, 1 MHz
1SV324TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV324TPH3F 0,4200
Anfrage
 ECAD 972 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 125°C (TJ) Oberflächenmontage SC-76, SOD-323 1SV324 USC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 3.000 12pF bei 4V, 1MHz Einzeln 10 V 4.3 C1/C4 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

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    Weltweite Hersteller

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