SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET-Typ Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Diodenkonfiguration Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If Reverse Recovery Time (trr) Strom – Rückwärtsleckage bei Vr Betriebstemperatur – Verbindungsstelle Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Kapazität @ Vr, F Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Diodentyp Spannung – Spitzenumkehr (max.) Strom – Kollektorabschaltung (max.) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang Widerstand - Basis (R1) Widerstand – Emitterbasis (R2) Kapazitätsverhältnis Bedingung für das Kapazitätsverhältnis Q @ Vr, F
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D(STA4,Q,M) 1.7100
Anfrage
ECAD 8473 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage π-MOSVII Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK9A45 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 450 V 9A (Ta) 10V 770 mOhm bei 4,5 A, 10 V 4V bei 1mA 16 nC bei 10 V ±30V 800 pF bei 25 V - 40 W (Tc)
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL,L1Q 2.9700
Anfrage
ECAD 1220 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSIX-H Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C (TJ) Oberflächenmontage 8-PowerWDFN TPWR8004 MOSFET (Metalloxid) 8-DSOP-Vorschuss herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 V 150A (Tc) 4,5 V, 10 V 0,8 mOhm bei 50 A, 10 V 2,4 V bei 1 mA 103 nC bei 10 V ±20V 9600 pF bei 20 V - 1 W (Ta), 170 W (Tc)
SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE,LF 0,5400
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSIII Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-563, SOT-666 SSM6K211 MOSFET (Metalloxid) ES6 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 4.000 N-Kanal 20 V 3,2A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 47 mOhm bei 2 A, 4,5 V 1 V bei 1 mA 10,8 nC bei 4,5 V ±10V 510 pF bei 10 V - 500 mW (Ta)
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL,S4X 1.0900
Anfrage
ECAD 328 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv 175°C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK110A10 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 V 36A (Tc) 4,5 V, 10 V 10,8 mOhm bei 18 A, 10 V 2,5 V bei 300 µA 33 nC bei 10 V ±20V 2040 pF bei 50 V - 36W (Tc)
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL,L1Q 1.6300
Anfrage
ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSIX-H Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C (TJ) Oberflächenmontage 8-PowerVDFN TPHR9203 MOSFET (Metalloxid) 8-SOP-Vorschuss (5x5) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 V 150A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,1 V bei 500 µA 80 nC bei 10 V ±20V 7540 pF bei 15 V - 132W (Tc)
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134,LQ(S 0,7300
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVI Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) TPC8134 MOSFET (Metalloxid) 8-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 40 V 5A (Ta) 4,5 V, 10 V 52 mOhm bei 2,5 A, 10 V 2V bei 100µA 20 nC bei 10 V +20V, -25V 890 pF bei 10 V - 1W (Ta)
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2703,LF 0,2900
Anfrage
ECAD 5173 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2703 200 mW USV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500nA 2 PNP – voreingestellt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 70 bei 10 mA, 5 V 200 MHz 22kOhm 22kOhm
RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE,LF(CT 0,2700
Anfrage
ECAD 32 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SOT-563, SOT-666 RN4987 100 mW ES6 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP – vorgespannt (dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 80 bei 10 mA, 5 V 250 MHz, 200 MHz 10kOhm 47kOhm
RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309,LXHF 0,3900
Anfrage
ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-70, SOT-323 RN1309 100 mW SC-70 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA NPN – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 70 bei 5 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm 22 kOhm
BAV99,LM Toshiba Semiconductor and Storage BAV99,LM 0,1900
Anfrage
ECAD 687 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV99 Standard SOT-23-3 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 3.000 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 1 Paar Reihenschaltung 100 V 215mA 1,25 V bei 150 mA 3 ns 200 nA bei 80 V 150 °C (max.)
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092,LQ(S -
Anfrage
ECAD 8376 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVII Tape & Reel (TR) Veraltet 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) TPC8092 MOSFET (Metalloxid) 8-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 V 15A (Ta) 4,5 V, 10 V 9 mOhm bei 7,5 A, 10 V 2,3 V bei 200 µA 25 nC bei 10 V ±20V 1800 pF bei 10 V - 1W (Ta)
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L(T6L1,NQ 1.3300
Anfrage
ECAD 9822 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVI Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TJ20S04 MOSFET (Metalloxid) DPAK+ herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 40 V 20A (Ta) 6V, 10V 22,2 mOhm bei 10 A, 10 V 3V bei 1mA 37 nC bei 10 V +10V, -20V 1850 pF bei 10 V - 41W (Tc)
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage TK1P90A,LQ(CO -
Anfrage
ECAD 9799 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TK1P90 MOSFET (Metalloxid) PW-FORM herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TK1P90ALQ(CO EAR99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 900 V 1A (Ta) 10V 9 Ohm bei 500 mA, 10 V 4V bei 1mA 13 nC bei 10 V ±30V 320 pF bei 25 V - 20W (Tc)
TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB,S1Q 6.0900
Anfrage
ECAD 238 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv Durchgangsloch TO-247-3 TRS16N65 SiC (Siliziumkarbid) Schottky TO-247 - 1 (Unbegrenzt) 264-TRS16N65FBS1Q EAR99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) 1 Paar gemeinsame Kathode 650 V 8A (DC) 1,6 V bei 8 A 0 ns 40 µA bei 650 V 175°C
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU,LF 0,4100
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage 6-SMD, flache Anschlüsse SSM6P54 MOSFET (Metalloxid) 500 mW (Ta) UF6 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 P-Kanal (Dual) 20V 1,2A (Ta) 228 mOhm bei 600 mA, 2,5 V 1 V bei 1 mA 7,7 nC bei 4 V 331pF bei 10V Logikpegel-Gate, 1,5-V-Antrieb
1SS417,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417,L3M 0,2700
Anfrage
ECAD 9195 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 2-SMD, Flachanschluss 1SS417 Schottky fSC herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 10.000 Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit 40 V 620 mV bei 50 mA 5 µA bei 40 V 125 °C (max.) 100mA 15 pF bei 0 V, 1 MHz
1SV324TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV324TPH3F 0,4200
Anfrage
ECAD 972 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 125°C (TJ) Oberflächenmontage SC-76, SOD-323 1SV324 USC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.10.0070 3.000 12pF bei 4V, 1MHz Einzeln 10 V 4.3 C1/C4 -
RN1116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116,LXHF(CT 0,3300
Anfrage
ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-75, SOT-416 RN1116 100 mW SSM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA NPN – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 50 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 10 kOhm
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC,L1XHQ 1.4700
Anfrage
ECAD 9 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVIII Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C Oberflächenmontage 8-PowerVDFN XPN3R804 MOSFET (Metalloxid) 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 V 40A (Ta) 4,5 V, 10 V 3,8 mOhm bei 20 A, 10 V 2,5 V bei 300 µA 35 nC bei 10 V ±20V 2230 pF bei 10 V - 840 mW (Ta), 100 W (Tc)
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5,LQ 5.6600
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DTMOSIV-H Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage 4-VSFN freiliegendes Pad MOSFET (Metalloxid) 4-DFN-EP (8x8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 650 V 22A (Ta) 10V 170 mOhm bei 11 A, 10 V 4,5 V bei 1,1 mA 50 nC bei 10 V ±30V 2400 pF bei 300 V - 180 W (Tc)
TK22A65X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X,S5X 3.8400
Anfrage
ECAD 188 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv 150°C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK22A65 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 22A (Ta) 10V 150 mOhm bei 11 A, 10 V 3,5 V bei 1,1 mA 50 nC bei 10 V ±30V 2400 pF bei 300 V - 45W (Tc)
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L,LXGQ 2.3200
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVIII-H Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB TK60F10 MOSFET (Metalloxid) TO-220SM(W) - 3 (168 Stunden) EAR99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 100 V 60A (Ta) 6V, 10V 6,11 mOhm bei 30 A, 10 V 3,5 V bei 500 µA 60 nC bei 10 V ±20V 4320 pF bei 10 V - 205 W (Tc)
TK8Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q60W,S1VQ 2.4800
Anfrage
ECAD 7622 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DTMOSIV Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-251-3 Stichleitungen, IPak TK8Q60 MOSFET (Metalloxid) I-Pak herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 75 N-Kanal 600 V 8A (Ta) 10V 500 mOhm bei 4 A, 10 V 3,7 V bei 400 µA 18,5 nC bei 10 V ±30V 570 pF bei 300 V - 80 W (Tc)
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFV-Y,L3F 0,1900
Anfrage
ECAD 7 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-723 2SC6026 150 mW VESM herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 150mA 100nA (ICBO) NPN 250 mV bei 10 mA, 100 mA 120 bei 2 mA, 6 V 60 MHz
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709,LF 0,3100
Anfrage
ECAD 8528 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2709 200 mW USV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500nA 2 PNP – voreingestellt (Dual) 300 mV bei 250 µA, 5 mA 70 bei 10 mA, 5 V 200 MHz 47kOhm 22kOhm
TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5,LQ 2.5500
Anfrage
ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSX-H Tape & Reel (TR) Aktiv 175°C Oberflächenmontage 8-PowerVDFN MOSFET (Metalloxid) 8-SOP-Vorschuss (5x5) - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) 5.000 N-Kanal 150 V 108A (Ta), 64A (Tc) 8V, 10V 9 mOhm bei 32 A, 10 V 4,5 V bei 1 mA 44 nC bei 10 V ±20V 5400 pF bei 75 V - 3W (Ta), 210W (Tc)
TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65D(STA4,Q,M) 1.9400
Anfrage
ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage π-MOSVII Rohr Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TK6A65 MOSFET (Metalloxid) TO-220SIS herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 6A (Ta) 10V 1,11 Ohm bei 3 A, 10 V 4V bei 1mA 20 nC bei 10 V ±30V 1050 pF bei 25 V - 45W (Tc)
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309,LF 0,1900
Anfrage
ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage SC-70, SOT-323 RN1309 100 mW SC-70 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA NPN – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 70 bei 5 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm 22 kOhm
TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH1,LQ 1.5400
Anfrage
ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage U-MOSVIII-H Tape & Reel (TR) Aktiv 150°C Oberflächenmontage 8-PowerTDFN MOSFET (Metalloxid) 8-SOP-Vorschuss (5x5,75) - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 100 V 92A (Tc) 10V 4,5 mOhm bei 46 A, 10 V 4V bei 1mA 58 nC bei 10 V ±20V 5200 pF bei 50 V - 800 mW (Ta)
RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1414,LF 0,1900
Anfrage
ECAD 4137 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1414 200 mW S-Mini herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA NPN – Voreingestellt 300 mV bei 250 µA, 5 mA 50 bei 10 mA, 5 V 250 MHz 1 kOhm 10 kOhm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Vorrätiges Lager