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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET-Typ | Gewinnen | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Diodentyp | Spannung – Spitzenumkehr (max.) | Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS) | Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang | Widerstand - Basis (R1) | Widerstand – Emitterbasis (R2) | Rauschzahl (dB Typ @ f) | Kapazitätsverhältnis | Bedingung für das Kapazitätsverhältnis | Q @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1SS422(TE85L,F) | 0,4000 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-75, SOT-416 | 1SS422 | Schottky | SSM | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 1 Paar Reihenschaltung | 30 V | 100mA | 500 mV bei 100 mA | 50 µA bei 30 V | 125 °C (max.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TJ40S04M3L,LXHQ | 1.0800 | ![]() | 9632 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | U-MOSVI | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 175°C | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | TJ40S04 | MOSFET (Metalloxid) | DPAK+ | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 V | 40A (Ta) | 6V, 10V | 9,1 mOhm bei 20 A, 10 V | 3V bei 1mA | 83 nC bei 10 V | +10V, -20V | 4140 pF bei 10 V | - | 68W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK160F10N1,LXGQ | 3.8300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | U-MOSVIII-H | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | 175°C | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | TK160F10 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220SM(W) | herunterladen | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 V | 160A (Ta) | 10V | 2,4 mOhm bei 80 A, 10 V | 4V bei 1mA | 121 nC bei 10 V | ±20V | 8510 pF bei 10 V | - | 375 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK880-BL(TE85L,F) | 0,5900 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 125°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-70, SOT-323 | 2SK880 | 100 mW | SC-70 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 13pF bei 10V | 50 V | 6 mA bei 10 V | 1,5 V bei 100 nA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J331R,LF | 0,4500 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | U-MOSVI | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-3-Flachleitungen | SSM3J331 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23F | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 4A (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 55 mOhm bei 3 A, 4,5 V | 1 V bei 1 mA | 10,4 nC bei 4,5 V | ±8V | 630 pF bei 10 V | - | 1W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SV229TPH3F | 0,3800 | ![]() | 9260 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 125°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-76, SOD-323 | 1SV229 | USC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 6,5 pF bei 10 V, 1 MHz | Einzeln | 15 V | 2.5 | C2/C10 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPN3300ANH,LQ | 0,9000 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | U-MOSVIII-H | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | TPN3300 | MOSFET (Metalloxid) | 8-TSON Advance (3,3x3,3) | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 V | 9,4A (Tc) | 10V | 33 mOhm bei 4,7 A, 10 V | 4 V bei 100 µA | 11 nC bei 10 V | ±20V | 880 pF bei 50 V | - | 700 mW (Ta), 27 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS316,H3F | 0,1800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-76, SOD-323 | BAS316 | Standard | USC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,25 V bei 150 mA | 3 ns | 200 nA bei 80 V | 150 °C (max.) | 250mA | 0,35 pF bei 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6K516NU,LF | 0,4100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C | Oberflächenmontage | 6-WDFN freiliegendes Pad | SSM6K516 | MOSFET (Metalloxid) | 6-UDFNB (2x2) | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 6A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 46 mOhm bei 4 A, 10 V | 2,5 V bei 100 µA | 2,5 nC bei 4,5 V | +20V, -12V | 280 pF bei 15 V | - | 1,25 W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1108MFV,L3F | 0,1800 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOT-723 | RN1108 | 150 mW | VESM | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 V | 100mA | 500nA | NPN – Voreingestellt | 300 mV bei 500 µA, 5 mA | 80 bei 10 mA, 5 V | 22 kOhm | 47 kOhm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2308,LXHF | 0,3900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-70, SOT-323 | RN2308 | 100 mW | SC-70 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100mA | 500nA | PNP – Voreingestellt | 300 mV bei 250 µA, 5 mA | 80 bei 10 mA, 5 V | 200 MHz | 22 kOhm | 47 kOhm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2257(CANO,A,Q) | - | ![]() | 7754 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | 2SD2257 | 2 W | TO-220NIS | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 3 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 1,5 V bei 1,5 mA, 1,5 A | 2000 bei 2A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLS02(TE16L,SQC,Q) | - | ![]() | 2120 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenmontage | L-FLAT™ | CLS02 | Schottky | L-FLAT™ (4x5,5) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 40 V | 550 mV bei 10 A | 1 mA bei 40 V | -40 °C ~ 125 °C | 10A | 420pF bei 10V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1943-O(S1,F | 2.9200 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-3PL | 150 W | TO-3P(L) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 230 V | 15 A | 5µA (ICBO) | PNP | 3 V bei 800 mA, 8 A | 80 @ 1A, 5V | 30 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK12J60W,S1VE(S | - | ![]() | 8348 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tablett | Aktiv | 150°C | Durchgangsloch | TO-3P-3, SC-65-3 | TK12J60 | MOSFET (Metalloxid) | TO-3P(N) | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TK12J60WS1VE(S | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 11,5 A (Ta) | 10V | 300 mOhm bei 5,8 A, 10 V | 3,7 V bei 600 µA | 25 nC bei 10 V | ±30V | 890 pF bei 300 V | - | 110 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1444ATE85LF | - | ![]() | 7205 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1444 | 200 mW | S-Mini | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 20 V | 300mA | 100nA (ICBO) | NPN – Voreingestellt | 100 mV bei 3 mA, 30 mA | 200 bei 4 mA, 2 V | 30 MHz | 2,2 kOhm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT4S300U(TE85L,O,F | 0,6800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-82A, SOT-343 | MT4S300 | 250 mW | USQ | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 16,9 dB | 4V | 50mA | NPN | 200 bei 10 mA, 3 V | 26,5 GHz | 0,55 dB bei 2 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPC6012(TE85L,F,M) | - | ![]() | 5714 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | U-MOSIV | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | TPC6012 | MOSFET (Metalloxid) | VS-6 (2,9x2,8) | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 V | 6A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 20 mOhm bei 3 A, 4,5 V | 1,2 V bei 200 µA | 9 nC bei 5 V | ±12V | 630 pF bei 10 V | - | 700 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPN11003NL,LQ | 0,6800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | U-MOSVIII-H | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | TPN11003 | MOSFET (Metalloxid) | 8-TSON Advance (3,1x3,1) | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 11A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 11 mOhm bei 5,5 A, 10 V | 2,3 V bei 100 µA | 7,5 nC bei 10 V | ±20V | 660 pF bei 15 V | - | 700 mW (Ta), 19 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2962,T6F(J | - | ![]() | 4247 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | Durchgangsloch | TO-226-3, TO-92-3 Langkörper | 2SK2962 | TO-92MOD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 1A (Tj) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4793,YHF(M | - | ![]() | 9650 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | 2SC4793 | 2 W | TO-220NIS | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 V | 1 A | 1µA (ICBO) | NPN | 1,5 V bei 50 mA, 500 mA | 100 bei 100 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2235-Y(6MBH1,AF | - | ![]() | 8417 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-226-3, TO-92-3 Langkörper | 2SC2235 | 900 mW | TO-92MOD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 V | 800 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 1 V bei 50 mA, 500 mA | 80 bei 100 mA, 5 V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ438(CANO,A,Q) | - | ![]() | 6374 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | 2SJ438 | TO-220NIS | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 5A (Tj) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2655-Y(T6CANOFM | - | ![]() | 8697 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-226-3, TO-92-3 Langkörper | 2SC2655 | 900 mW | TO-92MOD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 2SC2655YT6CANOFM | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 2 A | 1µA (ICBO) | NPN | 500 mV bei 50 mA, 1 A | 70 bei 500 mA, 2 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J114TU(T5L,T) | - | ![]() | 2761 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 3-SMD, flache Anschlüsse | SSM3J114 | MOSFET (Metalloxid) | UFM | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 1,8A (Ta) | 1,5 V, 4 V | 149 mOhm bei 600 mA, 4 V | 1 V bei 1 mA | 7,7 nC bei 4 V | ±8V | 331 pF bei 10 V | - | 500 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8045-H(T2L1,VM | - | ![]() | 3369 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | U-MOSVI-H | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | TPCA8045 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOP-Vorschuss (5x5) | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 V | 46A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 3,6 mOhm bei 23 A, 10 V | 2,3 V bei 1 mA | 90 nC bei 10 V | ±20V | 7540 pF bei 10 V | - | 1,6 W (Ta), 45 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK6Q65W,S1Q | 1.4000 | ![]() | 8899 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | DTMOSIV | Rohr | Aktiv | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-251-3 Stichleitungen, IPak | TK6Q65 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 650 V | 5,8A (Ta) | 10V | 1,05 Ohm bei 2,9 A, 10 V | 3,5 V bei 180 µA | 11 nC bei 10 V | ±30V | 390 pF bei 300 V | - | 60 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TRS16N65FB,S1Q | 6.0900 | ![]() | 238 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | TRS16N65 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TRS16N65FBS1Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 650 V | 8A (DC) | 1,6 V bei 8 A | 0 ns | 40 µA bei 650 V | 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS417,L3M | 0,2700 | ![]() | 9195 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | 2-SMD, Flachanschluss | 1SS417 | Schottky | fSC | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 40 V | 620 mV bei 50 mA | 5 µA bei 40 V | 125 °C (max.) | 100mA | 15 pF bei 0 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SV324TPH3F | 0,4200 | ![]() | 972 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 125°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-76, SOD-323 | 1SV324 | USC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 12pF bei 4V, 1MHz | Einzeln | 10 V | 4.3 | C1/C4 | - |

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