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Diskette HalblerProdukte (2909)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
2SC5354,XGQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354, xgq (o - - -
RFQ
 ECAD 1637 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Aktiv 2SC5354 Herunterladen ROHS -KONFORM Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 50
SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU, LF 0,5100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad SSM6J505 MOSFET (Metalloxid) 6-udfnb (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 12 v 12a (ta) 1,2 V, 4,5 V. 12mohm @ 4a, 4,5 V. 1v @ 1ma 37,6 NC @ 4,5 V. ± 6 V 2700 PF @ 10 V - - - 1,25W (TA)
RN2107MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV, L3F - - -
RFQ
 ECAD 3225 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 RN2107 150 MW VESM Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 10 Kohms 47 Kohms
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LXHF (CT 0,3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 22kohm 47kohm
2SA1162S-GR,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-GR, LF (d - - -
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2SA1162 150 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) 2SA1162S-Grlf (d Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 70 @ 2ma, 6v 80MHz
TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Tpn3300anh, lq 0,9000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPN3300 MOSFET (Metalloxid) 8-tson-Fortschnitt (3,3x3,3) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 100 v 9,4a (TC) 10V 33mohm @ 4.7a, 10V 4 V @ 100 µA 11 NC @ 10 V ± 20 V 880 PF @ 50 V - - - 700 MW (TA), 27W (TC)
2SA1020-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (T6CANOFM - - -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA1020 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) 2SA1020YT6CANOFM Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
CRG01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG01 (TE85L, Q, M) - - -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOD-123F CRG01 Standard S-flat (1,6x3,5) - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,1 V @ 700 mA 10 µa @ 100 V. -40 ° C ~ 150 ° C. 700 Ma - - -
TPCF8402(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8402 (TE85L, F, M. - - -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei TPCF8402 MOSFET (Metalloxid) 330 MW VS-8 (2,9x1,5) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 N und p-kanal 30V 4a, 3,2a 50mohm @ 2a, 10V 2V @ 1ma 10nc @ 10v 470pf @ 10v Logikpegel -tor
2SA1020-Y(T6TR1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (T6TR1, af - - -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA1020 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2610 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 RN2610 300 MW Sm6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 200 MHz 4.7kohm - - -
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (t6cno, a, f) - - -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SD2695 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 60 v 2 a 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 100 MHz
2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5065-Y (TE85L, F) 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 2SC5065 100 MW SC-70 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 12db ~ 17db 12V 30 ma Npn 120 @ 10 Ma, 5V 7GHz 1.1db @ 1ghz
RN1110,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN1110 100 MW SSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
CLH05(T6L,NKOD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05 (T6L, NKOD, Q) - - -
RFQ
 ECAD 1913 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung L-flat ™ CLH05 Standard L-flat ™ (4x5,5) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 980 mv @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 V. -40 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
TBAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage Tbav70, lm 0,2100
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-23-3 Flache Leitungen Tbav70 Standard SOT-23-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 215 Ma - - -
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711 (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2711 200 MW 5-SSOP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 400 @ 1ma, 5v 200 MHz 10kohm - - -
TK13A55DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A55DA (STA4, QM) 2.8600
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK13A55 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 550 V 12,5a (TA) 10V 480MOHM @ 6.3A, 10V 4v @ 1ma 38 nc @ 10 v ± 30 v 1800 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
TK13A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A45d (STA4, Q, M) 2.4700
RFQ
 ECAD 9513 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK13A45 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 450 V 13a (ta) 10V 460MOHM @ 6.5a, 10V 4v @ 1ma 25 NC @ 10 V ± 30 v 1350 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964FE (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 1932 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN2964 100 MW Es6 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 47kohm 47kohm
RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 7148 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
CUHS20S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S30, H3F 0,3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 2-smd, Flaches Blei CUHS20 Schottky US2H Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 410 mv @ 2 a 500 µa @ 30 V 150 ° C (max) 2a 390pf @ 0v, 1 MHz
2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O (S1, f 3.0100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-3pl 150 w To-3p (l) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 25 230 V 15 a 5 µA (ICBO) Npn 3v @ 800 mA, 8a 55 @ 1a, 5v 30 MHz
2SC4793(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 (LBSAN, F, M) - - -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SC4793 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 230 V 1 a 1 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 100 MHz
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2710, lf 0,3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2710 200 MW USV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 200 MHz 4.7kohm - - -
RN1116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN1116 100 MW SSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103ACT (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 8929 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN1103 100 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 80 Ma 500NA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 22 Kohms 22 Kohms
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT, L3F 0,3100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 MOSFET (Metalloxid) CST3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 P-Kanal 30 v 100 mA (ta) 2,5 V, 4 V. 12ohm @ 10 ma, 4V 1,7 V @ 100 µA ± 20 V 9.1 PF @ 3 V. - - - 100 MW (TA)
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-y (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 3125 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 2SC5085 100 MW SC-70 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 11db ~ 16,5db 12V 80 Ma Npn 120 @ 20 mA, 10V 7GHz 1.1db @ 1ghz
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (m - - -
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SC4793 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 230 V 1 a 1 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 100 MHz
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    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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