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Diskette HalblerProdukte (2909)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
RN4987FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN4987 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz, 200 MHz 10kohm 47kohm
RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 RN1131 150 MW VESM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 100 Kohms
TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X5, S1F 4.5900
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv-H Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 TK25N60 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 25a (ta) 10V 140 MOHM @ 7,5A, 10V 4,5 V @ 1,2 mA 60 nc @ 10 v ± 30 v 2400 PF @ 300 V - - - 180W (TC)
CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16 (TE12L, Q, M) 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-128 CMS16 Schottky M-Flat (2,4x3,8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 550 mV @ 3 a 200 µa @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z, RQ 5.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Powerfn MOSFET (Metalloxid) Maut Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 650 V 30a (ta) 10V 90 MOHM @ 15a, 10V 4v @ 1,27 mA 47 NC @ 10 V ± 30 v 2780 PF @ 300 V - - - 230W (TC)
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL, L1Q 1.2500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPH3R203 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 v 47a (TC) 4,5 V, 10 V. 3,2 MOHM @ 23,5A, 10V 2,3 V @ 300 ähm 21 NC @ 10 V ± 20 V 2100 PF @ 15 V - - - 1,6W (TA), 44W (TC)
RN2423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2423 (TE85L, F) 0,4100
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2423 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 800 mA 500NA PNP - VoreInensmen 250mv @ 1ma, 50 mA 70 @ 100 mA, 1V 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN2103 100 MW SSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
2SA1668 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1668 - - -
RFQ
 ECAD 4425 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Aktiv 2SA166 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2SA1668TS 0000.00.0000 50
RN1966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1966FE (TE85L, F) 0,3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN1966 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7kohm 47kohm
2SC2229-O(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (Shp1, F, M. - - -
RFQ
 ECAD 9880 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2229 800 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 ma 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 1ma, 10 mA 70 @ 10ma, 5V 120 MHz
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714, LF - - -
RFQ
 ECAD 5528 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2714 200 MW USV Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v - - - 1kohm 10kohm
1SS374(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS374 (TE85L, F) 0,3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 1SS374 Schottky SC-59 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Serie Verbindung 10 v 100 ma 500 mV @ 100 mA 20 µa @ 10 V 125 ° C (max)
2SA1931,KEHINQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, Kehinq (m - - -
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SA1931 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1 µA (ICBO) PNP 400mv @ 200 Ma, 2a 100 @ 1a, 1V 60 MHz
HN1D02F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02F (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 9292 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 HN1D02 Standard Sm6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Paar Gemeinsame Kathode Passen 80 v 100 ma 1,2 V @ 100 mA 4 ns 500 na @ 80 V -55 ° C ~ 125 ° C.
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU, LF 0,4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad SSM6P47 MOSFET (Metalloxid) 1W 6-µdfn (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 4a 95mohm @ 1,5a, 4,5 V. 1v @ 1ma 4.6nc @ 4.5V 290pf @ 10v Logikpegel -tor
TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5, S1VX 3.1200
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TK16E60 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 15,8a (TA) 10V 230mohm @ 7.9a, 10V 4,5 V @ 790 ähm 43 NC @ 10 V ± 30 v 1350 PF @ 300 V - - - 130W (TC)
TDTC143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC143Z, LM 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 TDTC143 320 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
2SC2235-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y, T6F (j - - -
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2235 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN2106 100 MW SSM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403, lf 0,2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN1403 200 MW S-mini Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
RN49A1FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1FE (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN49A1 100 MW Es6 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 4.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz, 250 MHz 2.2kohms, 22kohms 47kohm
HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU-y, LXHF 0,3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1A01 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 300mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L, LXHQ 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TJ60S06 MOSFET (Metalloxid) Dpak+ Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 60 v 60a (ta) 6 V, 10V 11.2mohm @ 30a, 10V 3V @ 1ma 156 NC @ 10 V +10 V, -20 V 7760 PF @ 10 V - - - 100 W (TC)
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8203 (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 5326 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei TPCP8203 MOSFET (Metalloxid) 360 MW PS-8 (2,9x2,4) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 40V 4.7a - - - 2,5 V @ 1ma - - - - - - - - -
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5, LQ 5.0300
RFQ
 ECAD 8257 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung 4-VSFN-Exponiertebad MOSFET (Metalloxid) 4-DFN-EP (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 25a (ta) 10V 150 MOHM @ 7,5a, 10V 4,5 V @ 1,2 mA 60 nc @ 10 v ± 30 v 2400 PF @ 300 V - - - 180W (TC)
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8023-H (TE12LQM - - -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPCA8023 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 21a (ta) 4,5 V, 10 V. 12,9 MOHM @ 11A, 10V 2,5 V @ 1ma 21 NC @ 10 V ± 20 V 2150 PF @ 10 V - - - 1,6W (TA), 30W (TC)
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN2301 100 MW SC-70 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG05 (TE85L, Q, M) 0,4600
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F CRG05 Standard S-flat (1,6x3,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,2 V @ 1 a 10 µa @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223 (TE16L1, NQ) 0,9000
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 2SD1223 1 w Pw-mold Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 80 v 4 a 20 µA (ICBO) NPN - Darlington 1,5 V @ 6ma, 3a 1000 @ 3a, 2v - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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