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Diskette HalblerProdukte (2909)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
TK090Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090Z65Z, S1F 6.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosvi Rohr Aktiv 150 ° C. K. Loch To-247-4 MOSFET (Metalloxid) To-247-4l (t) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 650 V 30a (ta) 10V 90 MOHM @ 15a, 10V 4v @ 1,27 mA 47 NC @ 10 V ± 30 v 2780 PF @ 300 V - - - 230W (TC)
2SC3668-Y,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-y, T2F (m - - -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch SC-71 2SC3668 1 w MSTM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) Npn 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309, LF 0,1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN1309 100 MW SC-70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
2SJ360(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 (f) - - -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2SJ360 MOSFET (Metalloxid) PW-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 100 P-Kanal 60 v 1a (ta) 4 V, 10V 730mohm @ 500 mA, 10V 2V @ 1ma 6,5 NC @ 10 V. ± 20 V 155 PF @ 10 V. - - - 500 MW (TA)
TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1, S1X 0,9400
RFQ
 ECAD 6995 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TK30E06 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 43a (ta) 10V 15mohm @ 15a, 10V 4 V @ 200 µA 16 NC @ 10 V ± 20 V 1050 PF @ 30 V - - - 53W (TC)
RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1610 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 RN1610 300 MW Sm6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 250 MHz 4.7kohm - - -
RN4902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN4902 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 200 MHz, 250 MHz 10kohm 10kohm
RN1101MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV, L3F 0,0261
RFQ
 ECAD 9895 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs Oberflächenhalterung SOT-723 RN1101 150 MW VESM Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB, L1XHQ 1.8400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,197 ", 5,00 mm Breit) XPH6R30 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 100 v 45a (ta) 6 V, 10V 6,3 MOHM @ 22,5A, 10V 3,5 V @ 500 ähm 52 NC @ 10 V ± 20 V 3240 PF @ 10 V - - - 960 MW (TA), 132W (TC)
2SA1020-Y(T6TR1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (T6TR1, af - - -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA1020 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN1409 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-GR (TE85L, f 0,3500
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 2SC4207 300 MW SMV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) Gemeinsamer -Emitter 250mv @ 10 mA, 100 mA 200 @ 2ma, 6v 80MHz
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU (T5L, T) - - -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Flache Leitungen SSM3J114 MOSFET (Metalloxid) UFM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 1,8a (ta) 1,5 V, 4V 149mohm @ 600 mA, 4V 1v @ 1ma 7,7 NC @ 4 V. ± 8 v 331 PF @ 10 V. - - - 500 MW (TA)
2SD2695,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6F (j - - -
RFQ
 ECAD 2957 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SD2695 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 60 v 2 a 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 100 MHz
RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2605 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 RN2605 300 MW Sm6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 100NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 2.2ko 47kohm
2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6CANO, A, F. - - -
RFQ
 ECAD 8088 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SK2989 To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 1 5a (TJ)
TPH8R80ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R80ANH, L1Q 1.7900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPH8R80 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 100 v 32a (TC) 10V 8,8 MOHM @ 16A, 10V 4 V @ 500 ähm 33 NC @ 10 V. ± 20 V 2800 PF @ 50 V - - - 1,6W (TA), 61W (TC)
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN1113 50 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 20 v 50 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 250 ua, 5 mA 300 @ 1ma, 5v 47 Kohms
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH, L1Q 0,3533
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPN14006 MOSFET (Metalloxid) 8-Tson-Fortschnitt (3.1x3.1) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 v 13a (ta) 6,5 V, 10 V. 14mohm @ 6.5a, 10V 4 V @ 200 µA 15 NC @ 10 V ± 20 V 1300 PF @ 30 V - - - 700 MW (TA), 30W (TC)
TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55d (STA4, Q, M) - - -
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung π-mosvii Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack TK4A55 MOSFET (Metalloxid) To-220sis Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 550 V 4a (ta) 10V 1,88ohm @ 2a, 10 V. 4,4 V @ 1ma 11 NC @ 10 V ± 30 v 490 PF @ 25 V. - - - 35W (TC)
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J304T (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 9160 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosiii Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SSM3J304 MOSFET (Metalloxid) TSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 2.3a (TA) 1,8 V, 4V 127mohm @ 1a, 4V - - - 6.1 NC @ 4 V. ± 8 v 335 PF @ 10 V. - - - 700 MW (TA)
2SA1930(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 (lbs2matq, m - - -
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SA1930 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mA, 1a 100 @ 100 Ma, 5V 200 MHz
CRZ12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ12 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F CRZ12 700 MW S-flat (1,6x3,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µa @ 8 V 12 v 30 Ohm
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39 (TE85L, Q, M) 0,4900
RFQ
 ECAD 7342 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F CRZ39 700 MW S-flat (1,6x3,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 31,2 V 39 v 35 Ohm
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL (TE85L, F) 0,5900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 2SK880 100 MW SC-70 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 13pf @ 10v 50 v 6 ma @ 10 v 1,5 V @ 100 na
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101ACT (TPL3) - - -
RFQ
 ECAD 6910 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN1101 100 MW CST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 80 Ma 500NA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
CMZ20(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ20 (TE12L, Q, M) 0,5400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-128 CMZ20 2 w M-Flat (2,4x3,8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 14 V 20 v 30 Ohm
TK12J60W,S1VE(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60W, S1VE (s - - -
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Tablett Aktiv 150 ° C. K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 TK12J60 MOSFET (Metalloxid) To-3p (n) - - - 1 (unbegrenzt) 264-TK12J60WS1VE (s Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 600 V 11,5a (ta) 10V 300mohm @ 5.8a, 10V 3,7 V @ 600 ähm 25 NC @ 10 V ± 30 v 890 PF @ 300 V - - - 110W (TC)
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, Q (j - - -
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack 2SJ438 To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 5a (TJ)
RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4901, LF - - -
RFQ
 ECAD 2952 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 200 MHz, 250 MHz 4.7kohm 4.7kohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    2800+

    Weltweite Hersteller

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