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Diskette HalblerProdukte (2909)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FE (TE85L, F) 0,4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 SSM6P15 MOSFET (Metalloxid) 150 MW Es6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 2 p-kanal (dual) 30V 100 ma 12ohm @ 10 ma, 4V 1,7 V @ 100 µA - - - 9.1pf @ 3v Logikpegel -tor
SSM3J144TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung 3-smd, flaches blei SSM3J144 MOSFET (Metalloxid) UFM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 3.2a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 93mohm @ 1,5a, 4,5 V. 1v @ 1ma 4,7 NC @ 4,5 V. +6 V, -8v 290 PF @ 10 V. - - - 500 MW (TA)
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1706, lf 0,3000
RFQ
 ECAD 939 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1706 200 MW USV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7kohm 47kohm
2SA1586-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-y, LXHF 0,3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 200 MW USM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK170v65z, LQ 3.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosvi Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung 4-VSFN-Exponiertebad TK170v65 MOSFET (Metalloxid) 4-DFN-EP (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 650 V 18a (ta) 10V 170Mohm @ 9a, 10V 4v @ 730 ähm 29 NC @ 10 V ± 30 v 1635 PF @ 300 V - - - 150W (TC)
TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W, RQ 1.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Dtmosiv Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) Dpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 650 V 5.2a (TA) 10V 1,22ohm @ 2,6a, 10 V. 3,5 V @ 170 ähm 10.5 NC @ 10 V ± 30 v 380 PF @ 300 V - - - 60 W (TC)
RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307, LF 0,2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN1307 100 MW SC-70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360, LJ (Ct 0,2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 1SSS360 Standard SSM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 80 v 100 ma 1,2 V @ 100 mA 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (max)
2SC2235-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (T6CANOFM - - -
RFQ
 ECAD 1780 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2235 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) 2SC2235YT6CANOFM Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
2SA965-Y,SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y, swff (m - - -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA965 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) PNP 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B (TE85L, QM 0,4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F CRS20I30 Schottky S-flat (1,6x3,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 450 mV @ 2 a 100 µa @ 30 V 150 ° C (max) 2a 82pf @ 10V, 1 MHz
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE, LF (CT 0,2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 RN1903 100 MW Es6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 4.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 250 MHz 22kohm 22kohm
2SA1020-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (T6CANOFM - - -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA1020 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) 2SA1020YT6CANOFM Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU, LF - - -
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosiv Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Flache Leitungen SSM3J120 MOSFET (Metalloxid) UFM Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 4a (ta) 1,5 V, 4V 38mohm @ 3a, 4v 1v @ 1ma 22.3 NC @ 4 V. ± 8 v 1484 PF @ 10 V - - - 500 MW (TA)
RN2415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2415, LXHF 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2415 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 200 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL, L1Q 2.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-MOSIX-H Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C. Oberflächenhalterung 8-Powervdfn TPH1R306 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 1,34mohm @ 50a, 10 V. 2,5 V @ 1ma 91 nc @ 10 v ± 20 V 8100 PF @ 30 V - - - 960 MW (TA), 170 W (TC)
TPC8223-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8223-H, LQ (s - - -
RFQ
 ECAD 5007 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) TPC8223 MOSFET (Metalloxid) 450 MW 8-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 30V 9a 17mohm @ 4,5a, 10V 2,3 V @ 100 µA 17nc @ 10v 1190pf @ 10v Logikpegel -tor
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE, LM 0,3300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 SSM6N7002 MOSFET (Metalloxid) 150 MW Es6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 2 n-kanal (dual) 60 v 200 ma 2.1OHM @ 500 mA, 10 V. 3,1 V @ 250 ähm - - - 17pf @ 25v Logikpegel -tor
2SC4935-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4935-y, Q (j - - -
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SC4935 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1 µA (ICBO) Npn 600mv @ 200 Ma, 2a 70 @ 500 mA, 2V 80MHz
JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S10FS (TPL3) 0,4100
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 2-smd, Flaches Blei JDV2S10 fsc Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 10.000 3,4PF @ 2,5 V, 1 MHz Einzel 10 v 2.55 C0.5/C2.5 - - -
TP86R203NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP86R203NL, LQ 0,9000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) TP86R203 MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 19a (ta) 4,5 V, 10 V. 6,2 MOHM @ 9A, 10V 2,3 V @ 200 ähm 17 NC @ 10 V ± 20 V 1400 PF @ 15 V - - - 1W (TC)
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P (TE12L, F) 1.5493
RFQ
 ECAD 7126 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 16 v Oberflächenhalterung To-243aa RFM04U6 470 MHz Mosfet PW-mini Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 2a 500 mA 4.3W 13.3db - - - 6 v
RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1702, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1702 200 MW USV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 250 MHz 10kohm 10kohm
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2702 200 MW USV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 200 MHz 10kohm 10kohm
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL, L1Q 1.6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-MOSIX-H Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn Tphr9203 MOSFET (Metalloxid) 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 v 150a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,1 V @ 500 ähm 80 nc @ 10 v ± 20 V 7540 PF @ 15 V - - - 132W (TC)
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40, H3F 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 CUS10F40 Schottky USC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 670 mv @ 1 a 20 µa @ 40 V 150 ° C (max) 1a 74PF @ 0V, 1MHz
RN2402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2402, LF 0,2200
RFQ
 ECAD 6149 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2402 200 MW S-mini Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
1SS417,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417, L3m 0,2700
RFQ
 ECAD 9195 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 2-smd, Flaches Blei 1SSSS417 Schottky fsc Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 620 MV @ 50 Ma 5 µa @ 40 V 125 ° C (max) 100 ma 15PF @ 0V, 1MHz
TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L, LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung U-mosviii-h Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TK100S04 MOSFET (Metalloxid) Dpak+ Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 40 v 100a (ta) 4,5 V, 10 V. 2,3 MOHM @ 50A, 10V 2,5 V @ 500 ähm 76 NC @ 10 V ± 20 V 5490 PF @ 10 V. - - - 180W (TC)
2SA965-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y, T6F (j - - -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA965 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) PNP 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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