SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) REACH-Status Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Geschwindigkeit FET-Typ Testbedingung Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Diodenkonfiguration Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If Reverse Recovery Time (trr) Strom – Rückwärtsleckage bei Vr Betriebstemperatur – Verbindungsstelle Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Kapazität @ Vr, F IGBT-Typ Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom – Kollektor gepulst (Icm) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Energie wechseln Tor-Gebühr Td (ein/aus) bei 25 °C Strom – Kollektorabschaltung (max.) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang
MUR8100 Harris Corporation MUR8100 -
Anfrage
ECAD 2279 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-220-2 Standard TO-220AC herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 450 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 1000 V 75 ns - 8A -
IGTM10N40 Harris Corporation IGTM10N40 1.5800
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ECAD 713 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv - Durchgangsloch TO-204AA, TO-3 Standard ZU-3 herunterladen Nicht zutreffend 3 (168 Stunden) Anbieter nicht definiert EAR99 8542.39.0001 1 - - 400 V 10 A - - -
RFD8P06LE Harris Corporation RFD8P06LE 0,3000
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ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv herunterladen Anbieter nicht definiert REACH betroffen 2156-RFD8P06LE-600026 1
RF1S630SM9A Harris Corporation RF1S630SM9A 1.0000
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ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB MOSFET (Metalloxid) TO-263AB herunterladen Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 800 N-Kanal 200 V 6A (Tc) 10V 400 mOhm bei 5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 30 nC bei 10 V ±20V 600 pF bei 25 V - 75 W (Tc)
HGTP10N40C1D Harris Corporation HGTP10N40C1D 2.6100
Anfrage
ECAD 206 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Standard 75 W TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 - - 400 V 17,5 A 3,2 V bei 20 V, 17,5 A - 19 nC -
IRFP245 Harris Corporation IRFP245 1.5400
Anfrage
ECAD 400 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 MOSFET (Metalloxid) TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 250 V 14A (Tc) 10V 340 mOhm bei 10 A, 10 V 4 V bei 250 µA 59 nC bei 10 V ±20V 1300 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
HGTH12N40E1D Harris Corporation HGTH12N40E1D -
Anfrage
ECAD 5438 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-218-3 Isolierter Tab, TO-218AC Standard 75 W TO-218 isoliert herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 109 - 100 ns - 400 V 12 A 17,5 A 3,2 V bei 20 V, 17,5 A - 19 nC -
HGT1S20N60C3R Harris Corporation HGT1S20N60C3R 1.8000
Anfrage
ECAD 580 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -40°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA Standard 164 W I2PAK (TO-262) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 - - 600 V 40 A 80 A 2,2 V bei 15 V, 20 A - 116 nC -
CA3045F3159 Harris Corporation CA3045F3159 1.5900
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ECAD 2843 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert 100
TIP48 Harris Corporation TIPP48 -
Anfrage
ECAD 4707 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 2 W TO-220-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 300 V 1 A 1mA NPN 1 V bei 200 mA, 1 A 30 bei 300 mA, 10 V 10 MHz
BD244C Harris Corporation BD244C 0,7300
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ECAD 5211 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 65 W TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform EAR99 8541.29.0095 200 100 V 6 A 700 µA PNP 1,5 V bei 1 A, 6 A 15 bei 3A, 4V -
2N1613 Harris Corporation 2N1613 20.3500
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ECAD 91 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Veraltet -65°C ~ 200°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AD, TO-39-3 Metalldose 2N16 800 mW TO-39 (TO-205AD) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.21.0095 16 30 V 500mA 10nA (ICBO) NPN 1,5 V bei 15 mA, 150 mA 40 bei 150 mA, 10 V -
HIP2060ASE Harris Corporation HIP2060ASE 1.8300
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv HIP2060 - - Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8542.39.0001 1 -
IRFPG42 Harris Corporation IRFPG42 2.2700
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 MOSFET (Metalloxid) TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 V 3,9A (Tc) 10V 4,2 Ohm bei 2,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 120 nC bei 10 V ±20V - 150 W (Tc)
RURD1550 Harris Corporation RURD1550 2.3600
Anfrage
ECAD 8946 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-218-3 Isolierter Tab, TO-218AC Lawine TO-218 isoliert herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH betroffen EAR99 8541.10.0080 27 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 1 Paar gemeinsame Kathode 500 V 15A 1,5 V bei 15 A 60 ns 10 µA bei 500 V -55 °C ~ 175 °C
IRF351 Harris Corporation IRF351 2.0000
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metalloxid) ZU-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 350 V 15A (Tc) 10V 300 mOhm bei 8 A, 10 V 4 V bei 250 µA 120 nC bei 10 V ±20V 2000 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
RURG5070 Harris Corporation RURG5070 -
Anfrage
ECAD 2630 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-247-2 Lawine TO-247-2 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 43 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 700 V 1,9 V bei 50 A 200 ns 500 µA bei 700 V -65 °C ~ 175 °C 50A -
RURD410 Harris Corporation RURD410 0,3900
Anfrage
ECAD 10 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA Lawine I-PAK herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 100 V 1 V bei 4 A 35 ns 500 µA bei 100 V -65 °C ~ 175 °C 4A -
IRFP251 Harris Corporation IRFP251 1.8700
Anfrage
ECAD 265 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 MOSFET (Metalloxid) TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 150 V 33A (Tc) 10V 85 mOhm bei 17 A, 10 V 4 V bei 250 µA 120 nC bei 10 V ±20V 2000 pF bei 25 V - 180 W (Tc)
MUR3040PT Harris Corporation MUR3040PT -
Anfrage
ECAD 3245 0,00000000 Harris Corporation SWITCHMODE™ Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-218-3 MUR30 Standard SOT-93 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 1 Paar gemeinsame Kathode 400 V 15A 1,25 V bei 15 A 60 ns 10 µA bei 400 V -65 °C ~ 175 °C
BUX32 Harris Corporation BUX32 -
Anfrage
ECAD 2583 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-204AA, TO-3 150 W ZU-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0075 3 800 V 8 A 200µA NPN 2V bei 2A, 8A 8 @ 6A, 3V 60 MHz
2N3440 Harris Corporation 2N3440 12.5600
Anfrage
ECAD 15 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 200°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AD, TO-39-3 Metalldose 2N34 800 mW TO-39 (TO-205AD) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.21.0095 24 250 V 1 A 2µA NPN 500 mV bei 4 mA, 50 mA 40 bei 20 mA, 10 V 15 MHz
RFD14N06 Harris Corporation RFD14N06 0,5700
Anfrage
ECAD 3 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA MOSFET (Metalloxid) I-PAK herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 V 14A (Tc) 10V 100 mOhm bei 14 A, 10 V 4 V bei 250 µA 40 nC bei 20 V ±20V 570 pF bei 25 V - 48W (Tc)
IRFF9132 Harris Corporation IRFF9132 0,9900
Anfrage
ECAD 1666 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) TO-205AF (TO-39) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 19 P-Kanal 100 V 5,5 A (Tc) 10V 400 mOhm bei 3 A, 10 V 4 V bei 250 µA 45 nC bei 10 V ±20V 500 pF bei 25 V - 25W (Tc)
IRFD122 Harris Corporation IRFD122 0,4400
Anfrage
ECAD 2599 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) MOSFET (Metalloxid) 4-DIP, Hexdip herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 196 N-Kanal 100 V 1,1A (Tc) 10V 400 mOhm bei 600 mA, 10 V 4 V bei 250 µA 15 nC bei 10 V ±20V 450 pF bei 25 V - 1W (Tc)
HGT1S15N120C3 Harris Corporation HGT1S15N120C3 3.7100
Anfrage
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA Standard 164 W I2PAK (TO-262) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 - - 1200 V 35 A 120 A 3,5 V bei 15 V, 15 A - 100 nC -
RF1S23N06LE Harris Corporation RF1S23N06LE 0,7100
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA MOSFET (Metalloxid) I2PAK (TO-262) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH betroffen EAR99 0000.00.0000 1 N-Kanal 60 V 23A (Tc) 5V 65 mOhm bei 23 A, 5 V 2V bei 250µA 48 nC bei 10 V ±10V 850 pF bei 25 V - 75 W (Tc)
RHRP8120CC Harris Corporation RHRP8120CC 0,9400
Anfrage
ECAD 6877 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-220-3 Lawine TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 57 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 1 Paar gemeinsame Kathode 1200 V 8A 3,2 V bei 8 A 65 ns 100 µA bei 1200 V -65 °C ~ 175 °C
BUZ21P2 Harris Corporation BUZ21P2 0,7600
Anfrage
ECAD 2686 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv BUZ21 - - Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert 0000.00.0000 289 -
RFD16N05SM9AS2480 Harris Corporation RFD16N05SM9AS2480 0,5300
Anfrage
ECAD 975 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv RFD16 - - Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Vorrätiges Lager