SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Eingabetyp Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) REACH-Status Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Geschwindigkeit Spannung – Ausgang FET-Typ Testbedingung Stromspannung Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If Reverse Recovery Time (trr) Strom – Rückwärtsleckage bei Vr Betriebstemperatur – Verbindungsstelle Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Kapazität @ Vr, F IGBT-Typ Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom – Kollektor gepulst (Icm) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Energie wechseln Tor-Gebühr Td (ein/aus) bei 25 °C Strom – Kollektorabschaltung (max.) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang Spannung – Offset (Vt) Strom – Gate-Anoden-Leckage (Igao) Strom - Tal (Iv) Strom – Spitzenwert
A15DX24 Harris Corporation A15DX24 0,1800
Anfrage
ECAD 3717 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1.300
RFP23N06LE Harris Corporation RFP23N06LE 0,4100
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert 1
IRF623 Harris Corporation IRF623 0,3300
Anfrage
ECAD 1757 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 737 N-Kanal 150 V 4A (Tc) 10V 1,2 Ohm bei 2,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 15 nC bei 10 V ±20V 450 pF bei 25 V - 40 W (Tc)
RF1S540 Harris Corporation RF1S540 1.1100
Anfrage
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA MOSFET (Metalloxid) I2PAK (TO-262) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH betroffen EAR99 0000.00.0000 1 N-Kanal 100 V 28A (Tc) 10V 77 mOhm bei 17 A, 10 V 4 V bei 250 µA 59 nC bei 10 V ±20V 1450 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
2N1700 Harris Corporation 2N1700 47.2100
Anfrage
ECAD 148 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Veraltet herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 7
RFD10N05SM Harris Corporation RFD10N05SM 0,6600
Anfrage
ECAD 11 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv - Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 MOSFET (Metalloxid) TO-252, (D-Pak) herunterladen Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 50 V - - - - - - -
IRFU420 Harris Corporation IRFU420 -
Anfrage
ECAD 8809 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA MOSFET (Metalloxid) TO-251AA herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 0000.00.0000 395 N-Kanal 500 V 2,4A (Tc) 3 Ohm bei 1,4 A, 10 V 4 V bei 250 µA 19 nC bei 10 V ±20V 360 pF bei 25 V - 2,5 W (Ta), 42 W (Tc)
RURG8080 Harris Corporation RURG8080 3.1000
Anfrage
ECAD 703 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-247-2 Lawine TO-247-2 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 800 V 1,9 V bei 80 A 200 ns 500 µA bei 800 V -65 °C ~ 175 °C 80A -
BFT28C Harris Corporation BFT28C -
Anfrage
ECAD 3340 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 200°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AD, TO-39-3 Metalldose 5 W TO-39 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 324 250 V 1 A 5µA (ICBO) PNP 5 V bei 1 mA, 10 mA 20 bei 10 mA, 10 V
JANSR2N7292 Harris Corporation JANSR2N7292 407.6400
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-254-3, TO-254AA MOSFET (Metalloxid) TO-254AA herunterladen Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 0000.00.0000 1 N-Kanal 100 V 25A (Tc) 10V 70 mOhm bei 20 A, 10 V 5 V bei 1 mA 552 nC bei 20 V ±20V - 125 W (Tc)
RFH75N05 Harris Corporation RFH75N05 4.1100
Anfrage
ECAD 80 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv - Durchgangsloch TO-218-3 Isolierter Tab, TO-218AC MOSFET (Metalloxid) TO-218 isoliert herunterladen Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 80 N-Kanal 50 V - - - - - - -
IRF840RU Harris Corporation IRF840RU -
Anfrage
ECAD 5093 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - 0000.00.0000 150
IRFP141 Harris Corporation IRFP141 1.2500
Anfrage
ECAD 288 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 MOSFET (Metalloxid) TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 80 V 31A (Tc) 10V 77 mOhm bei 19 A, 10 V 4 V bei 250 µA 59 nC bei 10 V ±20V 1275 pF bei 25 V - 180 W (Tc)
RHRG5070 Harris Corporation RHRG5070 2.4500
Anfrage
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-247-3 Lawine TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 700 V 3 V bei 50 A 95 ns 500 µA bei 700 V -65 °C ~ 175 °C 50A -
HC5523IM Harris Corporation HC5523IM 3.3300
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv herunterladen Anbieter nicht definiert REACH betroffen 2156-HC5523IM-600026 1
HUF76139S3 Harris Corporation HUF76139S3 1.2200
Anfrage
ECAD 800 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA MOSFET (Metalloxid) I2PAK (TO-262) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH betroffen EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 V 75A (Tc) 4,5 V, 10 V 7,5 mOhm bei 75 A, 10 V 3 V bei 250 µA 78 nC bei 10 V ±16V 2700 pF bei 25 V - 200 W (Tc)
RUR3020 Harris Corporation RUR3020 -
Anfrage
ECAD 7202 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-220-2 Standard TO-220AC herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH betroffen EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 200 V 1 V bei 30 A 50 ns 30 µA bei 200 V -55 °C ~ 175 °C 30A -
RURU5050 Harris Corporation RURU5050 3.1900
Anfrage
ECAD 580 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Fahrgestellmontage TO-218-1 Lawine TO-218 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 500 V 1,6 V bei 50 A 75 ns 500 µA bei 500 V -65 °C ~ 175 °C 50A -
RF1S9630SM Harris Corporation RF1S9630SM 0,9700
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv - Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB MOSFET (Metalloxid) TO-263AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 P-Kanal 200 V 6,5A - - - - - -
RFD16N05 Harris Corporation RFD16N05 0,9300
Anfrage
ECAD 17 0,00000000 Harris Corporation - Rohr Veraltet -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA MOSFET (Metalloxid) I-PAK herunterladen Nicht RoHS-konform EAR99 8541.29.0095 75 N-Kanal 50 V 16A (Tc) 10V 47 mOhm bei 16 A, 10 V 4 V bei 250 µA 80 nC bei 20 V ±20V 900 pF bei 25 V - 72W (Tc)
HGTP3N60B3 Harris Corporation HGTP3N60B3 0,5200
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Standard 33,3 W TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 3 (168 Stunden) Anbieter nicht definiert EAR99 0000.00.0000 1 480 V, 3,5 A, 82 Ohm, 15 V 16 ns - 600 V 7 A 20 A 2,1 V bei 15 V, 3,5 A 66µJ (ein), 88µJ (aus) 21 nC 18ns/105ns
IRF521 Harris Corporation IRF521 0,6200
Anfrage
ECAD 26 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 80 V 9,2A (Tc) 10V 270 mOhm bei 5,6 A, 10 V 4 V bei 250 µA 15 nC bei 10 V ±20V 350 pF bei 25 V - 60 W (Tc)
HUF76129P3 Harris Corporation HUF76129P3 0,7600
Anfrage
ECAD 24 0,00000000 Harris Corporation UltraFET™ Schüttgut Aktiv -40°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 V 56A (Tc) 4,5 V, 10 V 16 Ohm bei 56 A, 10 V 3 V bei 250 µA 45 nC bei 10 V ±20V 1350 pF bei 25 V - 105 W (Tc)
IRFP243 Harris Corporation IRFP243 2.4000
Anfrage
ECAD 181 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 MOSFET (Metalloxid) TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 150 V 18A (Tc) 10V 220 mOhm bei 10 A, 10 V 4 V bei 250 µA 60 nC bei 10 V ±20V 1275 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
IRF641 Harris Corporation IRF641 1.6000
Anfrage
ECAD 14 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 150 V 18A (Tc) 10V 180 mOhm bei 10 A, 10 V 4 V bei 250 µA 64 nC bei 10 V ±20V 1275 pF bei 25 V - 125 W (Tc)
D44E1 Harris Corporation D44E1 1.0100
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 1,67 W TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 40 V 10 A 10µA NPN – Darlington 2V bei 20mA, 10A 1000 bei 5A, 5V -
RURG5080 Harris Corporation RURG5080 -
Anfrage
ECAD 1988 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-247-2 Lawine TO-247-2 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 800 V 1,9 V bei 50 A 200 ns 500 µA bei 800 V -65 °C ~ 175 °C 50A -
2N6500 Harris Corporation 2N6500 29.4000
Anfrage
ECAD 60 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv - Durchgangsloch TO-213AA, TO-66-2 20 W TO-66 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.30.0080 12 110 V 4 A - NPN - 15 @ 3A, 2V 60 MHz
BFT19A Harris Corporation BFT19A -
Anfrage
ECAD 7831 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 200°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AD, TO-39-3 Metalldose 1 W TO-205AD herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 300 V 1 A 100 µA (ICBO) PNP 2,5 V bei 3 mA, 30 mA 25 bei 5 mA, 10 V -
GES6028 Harris Corporation GES6028 0,2200
Anfrage
ECAD 8163 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) herunterladen Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8542.39.0001 1.000 6V 1,5V 300 mW 1,6 V 10 nA 25 µA 150 nA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Vorrätiges Lager