SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) REACH-Status Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Geschwindigkeit FET-Typ Testbedingung Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If Reverse Recovery Time (trr) Strom – Rückwärtsleckage bei Vr Betriebstemperatur – Verbindungsstelle Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Kapazität @ Vr, F IGBT-Typ Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom – Kollektor gepulst (Icm) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Energie wechseln Tor-Gebühr Td (ein/aus) bei 25 °C Strom – Kollektorabschaltung (max.) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang
2N6032 Harris Corporation 2N6032 115.1800
Anfrage
ECAD 41 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 200°C (TJ) Durchgangsloch TO-204AE 140 W TO-204AE herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 3 90 V 50 A 10mA NPN 1,3 V bei 5 A, 50 A 10 bei 50 A, 2,6 V
RFD16N05L Harris Corporation RFD16N05L 1.1700
Anfrage
ECAD 32 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA MOSFET (Metalloxid) TO-251AA herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 50 V 16A (Tc) 4V, 5V 47 mOhm bei 16 A, 5 V 2V bei 250mA 80 nC bei 10 V ±10V - 60 W (Tc)
RFM10N45 Harris Corporation RFM10N45 -
Anfrage
ECAD 2712 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metalloxid) ZU-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 50 N-Kanal 450 V 10A (Tc) 10V 600 mOhm bei 5 A, 10 V 4V bei 1mA ±20V 3000 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
IRFD220 Harris Corporation IRFD220 0,5200
Anfrage
ECAD 913 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) IRFD220 MOSFET (Metalloxid) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 0000.00.0000 1 N-Kanal 200 V 800mA (Ta) 10V 800 mOhm bei 480 mA, 10 V 4 V bei 250 µA 14 nC bei 10 V ±20V 260 pF bei 25 V - 1W (Ta)
IRFD313 Harris Corporation IRFD313 0,8500
Anfrage
ECAD 900 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) MOSFET (Metalloxid) 4-DIP, Hexdip herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 350 V 300mA (Tc) 10V 5 Ohm bei 200 mA, 10 V 4 V bei 250 µA 7,5 nC bei 10 V ±20V 135 pF bei 25 V - 1W (Tc)
BD244B Harris Corporation BD244B 0,1900
Anfrage
ECAD 2813 0,00000000 Harris Corporation - Rohr Veraltet -65°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 65 W TO-220-3 herunterladen Nicht RoHS-konform EAR99 8541.29.0095 271 80 V 6 A 700 µA PNP 1,5 V bei 1 A, 6 A 15 bei 3A, 4V 3 MHz
RFP8N20 Harris Corporation RFP8N20 0,5300
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 V 8A (Tc) 10V 500 mOhm bei 4 A, 10 V 4V bei 1mA ±20V 750 pF bei 25 V - 60 W (Tc)
RURDS9A Harris Corporation RURDS9A 0,5600
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - Nicht anwendbar 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8542.39.0001 2.500
IRF810 Harris Corporation IRF810 0,4600
Anfrage
ECAD 93 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv IRF81 - - Nicht anwendbar 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8542.39.0001 1 -
GE1002 Harris Corporation GE1002 -
Anfrage
ECAD 5452 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-204AE Standard TO-204AE herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1.000 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 100 V 950 mV bei 1 A 35 ns 2 µA bei 100 V -65 °C ~ 175 °C 1A 45 pF bei 4 V, 1 MHz
RFP15N06 Harris Corporation RFP15N06 0,4400
Anfrage
ECAD 27 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 V 15A (Tc) 10V 140 mOhm bei 7,5 A, 10 V 4V bei 1mA ±20V 850 pF bei 25 V - 90 W (Tc)
IRFR221 Harris Corporation IRFR221 0,4400
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 MOSFET (Metalloxid) TO-252, (D-Pak) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 150 V 4,6A (Tc) 10V 800 mOhm bei 2,4 A, 10 V 4 V bei 250 µA 18 nC bei 10 V ±20V 330 pF bei 25 V - 50 W (Tc)
HGTP10N50E1 Harris Corporation HGTP10N50E1 1.9400
Anfrage
ECAD 15 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Standard 60 W TO-220-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 - - 500 V 10 A 17,5 A 3,2 V bei 20 V, 17,5 A - 19 nC -
IRF9632 Harris Corporation IRF9632 1.5400
Anfrage
ECAD 455 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 P-Kanal 200 V 5,5 A (Tc) 10V 1,2 Ohm bei 3,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 45 nC bei 10 V ±20V 550 pF bei 25 V - 75 W (Tc)
HGTP3N60B3R4724 Harris Corporation HGTP3N60B3R4724 0,5200
Anfrage
ECAD 800 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - Nicht anwendbar 3 (168 Stunden) Anbieter nicht definiert 1
IGTH20N40AD Harris Corporation IGTH20N40AD 3.3600
Anfrage
ECAD 444 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv - Durchgangsloch TO-218-3 isolierte Lasche, TO-218AC Standard TO-218 isoliert herunterladen Nicht anwendbar 3 (168 Stunden) Anbieter nicht definiert EAR99 8542.39.0001 1 - - 400 V 20 A - - -
RF1S9530 Harris Corporation RF1S9530 1.8700
Anfrage
ECAD 5 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA MOSFET (Metalloxid) I2PAK (TO-262) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH betroffen EAR99 0000.00.0000 1 P-Kanal 100 V 12A (Tc) 10V 300 mOhm bei 6,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 45 nC bei 10 V ±20V 500 pF bei 25 V - 75 W (Tc)
IRFP440 Harris Corporation IRFP440 2.9700
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Rohr Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 MOSFET (Metalloxid) TO-247AC herunterladen Nicht RoHS-konform EAR99 8541.29.0095 500 N-Kanal 500 V 8,8A (Tc) 10V 850 mOhm bei 5,3 A, 10 V 4 V bei 250 µA 63 nC bei 10 V ±20V 1300 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
MUR8100 Harris Corporation MUR8100 -
Anfrage
ECAD 2279 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-220-2 Standard TO-220AC herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 450 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 1000 V 75 ns - 8A -
IGTM10N40 Harris Corporation IGTM10N40 1.5800
Anfrage
ECAD 713 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv - Durchgangsloch TO-204AA, TO-3 Standard ZU-3 herunterladen Nicht anwendbar 3 (168 Stunden) Anbieter nicht definiert EAR99 8542.39.0001 1 - - 400 V 10 A - - -
RFD8P06LE Harris Corporation RFD8P06LE 0,3000
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv herunterladen Anbieter nicht definiert REACH betroffen 2156-RFD8P06LE-600026 1
RF1S630SM9A Harris Corporation RF1S630SM9A 1.0000
Anfrage
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB MOSFET (Metalloxid) TO-263AB herunterladen Nicht anwendbar 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 800 N-Kanal 200 V 6A (Tc) 10V 400 mOhm bei 5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 30 nC bei 10 V ±20V 600 pF bei 25 V - 75 W (Tc)
HGTP10N40C1D Harris Corporation HGTP10N40C1D 2.6100
Anfrage
ECAD 206 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 Standard 75 W TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 - - 400 V 17,5 A 3,2 V bei 20 V, 17,5 A - 19 nC -
IRFP245 Harris Corporation IRFP245 1.5400
Anfrage
ECAD 400 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 MOSFET (Metalloxid) TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 250 V 14A (Tc) 10V 340 mOhm bei 10 A, 10 V 4 V bei 250 µA 59 nC bei 10 V ±20V 1300 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
HGTH12N40E1D Harris Corporation HGTH12N40E1D -
Anfrage
ECAD 5438 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-218-3 isolierte Lasche, TO-218AC Standard 75 W TO-218 isoliert herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 109 - 100 ns - 400 V 12 A 17,5 A 3,2 V bei 20 V, 17,5 A - 19 nC -
HGT1S20N60C3R Harris Corporation HGT1S20N60C3R 1.8000
Anfrage
ECAD 580 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -40°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA Standard 164 W I2PAK (TO-262) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 - - 600 V 40 A 80 A 2,2 V bei 15 V, 20 A - 116 nC -
CA3045F3159 Harris Corporation CA3045F3159 1.5900
Anfrage
ECAD 2843 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - Nicht anwendbar 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert 100
TIP48 Harris Corporation TIPP48 -
Anfrage
ECAD 4707 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 2 W TO-220-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 300 V 1 A 1mA NPN 1 V bei 200 mA, 1 A 30 bei 300 mA, 10 V 10 MHz
BD244C Harris Corporation BD244C 0,7300
Anfrage
ECAD 5211 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 65 W TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform EAR99 8541.29.0095 200 100 V 6 A 700 µA PNP 1,5 V bei 1 A, 6 A 15 bei 3A, 4V -
2N1613 Harris Corporation 2N1613 20.3500
Anfrage
ECAD 91 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Veraltet -65°C ~ 200°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AD, TO-39-3 Metalldose 2N16 800 mW TO-39 (TO-205AD) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.21.0095 16 30 V 500mA 10nA (ICBO) NPN 1,5 V bei 15 mA, 150 mA 40 bei 150 mA, 10 V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

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    Weltweite Hersteller

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