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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RF1S23N06LE | 0,7100 |  | 2 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 60 v | 23a (TC) | 5v | 65mohm @ 23a, 5V | 2v @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 10 V | 850 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF640S2497 | - - - | | 2298 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | IRF640 | - - - | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFM10N45 | - - - | | 2712 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 450 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| BYW51100 | 0,7600 | | 6514 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | BYW51 | Standard | To-220ab | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 8a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 5 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFR421 | 0,4100 | | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 450 V | 2,5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| RFP50N06R4034 | 0,6100 | | 3 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | RFP50 | - - - | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rurg3050cc | 2.8800 | | 266 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | Lawine | To-247 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 500 V | 30a | 1,5 V @ 30 a | 60 ns | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSI510 | - - - | | 5045 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFP2N12 | 0,4600 | | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 120 v | 2a (TC) | 10V | 1,75OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RURP8100 | - - - | | 2363 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Standard | To-220-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,8 V @ 8 a | 100 ns | 100 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D45D5 | - - - | | 3022 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2.1 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 37 | 80 v | 6 a | 10 µA | PNP - Darlington | 1,5 V @ 3ma, 3a | 2000 @ 1a, 2v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HGT1S15N120C3 | 3.7100 | | 4 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Standard | 164 w | I2pak (to-262) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | 1200 V | 35 a | 120 a | 3,5 V @ 15V, 15a | - - - | 100 nc | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N1482 | - - - | | 5206 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 55 v | 1,5 a | 5 µA (ICBO) | Npn | 750 MV @ 10ma, 200 mA | 35 @ 200 Ma, 4V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF351 | 2.0000 | | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 350 V | 15a (TC) | 10V | 300mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 2000 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| RFP12N18 | 1.0600 | | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 180 v | 12a (TC) | 10V | 250 Mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF75307D3 | 0,4700 | | 8 | 0.00000000 | Harris Corporation | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-Kanal | 55 v | 15a (TC) | 10V | 90 MOHM @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 NC @ 20 V | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF223 | 1.0000 | | 6012 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 150 v | 4a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 450 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRF831 | 1.3000 | | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 450 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 600 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RUR3070 | 0,8300 | | 928 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Lawine | To-220ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 700 V | 1,8 V @ 30 a | 150 ns | 100 µa @ 700 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| D44VM10 | 0,8200 | | 750 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 50 w | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 v | 8 a | 10 µA | Npn | 600mv @ 300 mA, 6a | 40 @ 4a, 1V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irff9132 | 0,9900 | | 1666 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | To-205AF (bis 39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 19 | P-Kanal | 100 v | 5.5a (TC) | 10V | 400mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 500 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| HGTD10N50F1 | 1.6700 | | 2 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Standard | 75 w | I-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | 500 V | 12 a | 2,5 V @ 10V, 5a | - - - | 13.4 NC | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF541 | 1.5800 | | 4 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 80 v | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 59 NC @ 10 V | ± 20 V | 1450 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRF151 | 1.5600 | | 342 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ae | MOSFET (Metalloxid) | To-204ae | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 40a (TC) | 10V | 55mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 2000 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFU321 | - - - | | 8903 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 350 V | 3.1a (ta) | 10V | 1,8OHM @ 1,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9621 | - - - | | 4095 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P-Kanal | 150 v | 3,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| RFM15N05L | - - - | | 3089 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 50 v | 15a (TC) | 5v | 140 MOHM @ 7,5A, 5V | ± 10 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansr2N7292 | 407.6400 | | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-254-3, to-254aa | MOSFET (Metalloxid) | To-254aa | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 100 v | 25a (TC) | 10V | 70 MOHM @ 20A, 10V | 5v @ 1ma | 552 NC @ 20 V | ± 20 V | - - - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9110 | 0,6500 | | 554 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | P-Kanal | 100 v | 3.1a (TC) | 1,2OHM @ 1,9a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CA3083M96 | 0,5200 | | 6 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | CA3083 | 500 MW | 16-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 579 | 15 v | 100 ma | 10 µA | 5 npn | 700mv @ 5ma, 50 mA | 40 @ 50 Ma, 3V | 450 MHz |
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