SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS Feuchtigitesempfindlich (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
RURG3020CC Harris Corporation Rurg3020cc - - -
RFQ
ECAD 7328 0.00000000 Harris Corporation - - - Rohr Veraltet K. Loch To-247-3 Standard To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.10.0080 450 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 30a 1 V @ 30 a 50 ns 250 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
BD242C Harris Corporation BD242C 1.0000
RFQ
ECAD 8609 0.00000000 Harris Corporation BD242C Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 40 w To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 200 100 v 3 a 300 µA PNP 1,2 V @ 600 Ma, 3a 25 @ 1a, 4V - - -
IRFBC40R Harris Corporation IRFBC40R 0,8900
RFQ
ECAD 2991 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 8 N-Kanal 600 V 6.2a (TC) 10V 1,2OHM @ 3,4a, 10 V 4v @ 250 ähm 60 nc @ 10 v ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 125W (TC)
IRF121 Harris Corporation IRF121 - - -
RFQ
ECAD 4152 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-204aa Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 20 N-Kanal 60 v 8a (ta) - - - - - - - - -
RURD420S Harris Corporation Rurd420s - - -
RFQ
ECAD 5297 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Standard D-Pak (to-252) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 44 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1 V @ 4 a 35 ns 100 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 4a - - -
IRFP246 Harris Corporation IRFP246 1.4800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 275 v 15a (TC) 10V 280mohm @ 10a, 10V 4v @ 250 ähm 59 NC @ 10 V ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
RFD14N05LSM9A Harris Corporation RFD14N05LSM9A - - -
RFQ
ECAD 3001 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 50 v 14a (TC) 5v 100mohm @ 14a, 5V 2v @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 10 V 670 PF @ 25 V. - - - 48W (TC)
RHRU501200 Harris Corporation RHRU501200 3.2000
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1
2N6751 Harris Corporation 2N6751 - - -
RFQ
ECAD 9949 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-204aa 150 w To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 226 400 V 10 a 100 µA Npn 3v @ 3a, 10a 8 @ 5a, 3v 60 MHz
RURD3080 Harris Corporation Rurd3080 2.5900
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1
RCA1A18 Harris Corporation RCA1A18 0,6400
RFQ
ECAD 627 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1
BD535 Harris Corporation BD535 0,3300
RFQ
ECAD 6442 0.00000000 Harris Corporation - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 50 w To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 13 60 v 8 a 100 µA Npn 800 MV @ 600 Ma, 6a 25 @ 2a, 2v - - -
RURP810 Harris Corporation RURP810 0,5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Lawine To-220ac Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 975 mv @ 8 a 30 ns 100 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 8a - - -
RURD640 Harris Corporation Rurd640 0,5600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa Lawine I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,5 V @ 6 a 60 ns 100 µa @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a - - -
SK3065 Harris Corporation SK3065 1.7900
RFQ
ECAD 295 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-206af, bis 72-4 Metall Kann SK306 MOSFET (Metalloxid) 330 MW To-72 Herunterladen Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 1 2 n-kanal (dual) 20V 50 ma - - - - - - - - - - - - - - -
MJH16012 Harris Corporation MJH16012 5.9200
RFQ
ECAD 171 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
2N6792TX Harris Corporation 2N6792TX 7.8200
RFQ
ECAD 335 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) To-205AF (bis 39) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 2a (TC) 10V 1,8ohm bei 1,25a, 10 V 4v @ 1ma ± 20 V 600 PF @ 25 V. - - - 20W (TC)
BDX33C Harris Corporation BDX33C 0,3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BDX33 70 w To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 842 100 v 10 a 500 ähm NPN - Darlington 2,5 V @ 6ma, 3a 750 @ 3a, 3v - - -
IRFR422 Harris Corporation IRFR422 0,4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 2.2a (TC) 10V 4OHM @ 1,3a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
HGT1S12N60C3D Harris Corporation HGT1S12N60C3D 1.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Standard 104 w I2pak (to-262) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - 40 ns - - - 600 V 24 a 96 a 2,2 V @ 15V, 15a - - - 62 NC - - -
RURU8070 Harris Corporation Ruru8070 4.6200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg To-218-1 Lawine To-218 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 700 V 1,9 V @ 80 a 200 ns 500 µa @ 700 V -65 ° C ~ 175 ° C. 80a - - -
A14PX276 Harris Corporation A14px276 0,1500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1
RURD15100 Harris Corporation Rurd15100 1.0000
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1
BD750B Harris Corporation BD750B 2.2500
RFQ
ECAD 289 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 134
IRFF213 Harris Corporation Irff213 0,8000
RFQ
ECAD 6019 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) To-205AF (bis 39) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 89 N-Kanal 150 v 1,8a (TC) 10V 2,4OHM @ 1,25a, 10 V. 4v @ 250 ähm 7,5 NC @ 10 V ± 20 V 135 PF @ 25 V. - - - 15W (TC)
RFD3N08L Harris Corporation RFD3N08L 0,3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 80 v 3a (TC) 5v 800 MOHM @ 1,5A, 5V 2,5 V @ 250 ähm 8 NC @ 10 V ± 10 V - - - 30W (TC)
RURG8050 Harris Corporation Rurg8050 3.7800
RFQ
ECAD 931 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-247-2 Lawine To-247-2 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 500 V 1,6 V @ 80 a 85 ns 500 µA @ 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 80a - - -
A15B Harris Corporation A15b 0,1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Axial Standard Axial Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 5 a 5 µs 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 5a - - -
CA3127EX Harris Corporation CA3127EX 1.6700
RFQ
ECAD 597 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv CA3127 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 1
RHRU7540 Harris Corporation RHRU7540 4.2800
RFQ
ECAD 549 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg To-218-1 Lawine To-218 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 2,1 V @ 75 a 60 ns 500 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 75a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus