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Diskrete Halbleiterprodukte(1081)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET-Typ	Strom – Halten (Ih) (Max)	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Spannung – Aus-Zustand	Strom – Einschaltzustand (It (AV)) (Max)	SCR-Typ	Diodenkonfiguration	Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If	Reverse Recovery Time (trr)	Strom – Rückwärtsleckage bei Vr	Betriebstemperatur – Verbindungsstelle	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	Kapazität @ Vr, F	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang
BUZ11S2537	0,4600	Anfrage	800	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert				1
RURD15100	1.0000	Anfrage	3800	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert				1
RFG30P05	2.8100	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	107			P-Kanal			50 V	30A (Tc)	10V	65 mOhm bei 30 A, 10 V	4 V bei 250 µA	170 nC bei 20 V	±20V	3200 pF bei 25 V	-	120 W (Tc)
IRF645	-	Anfrage	3101	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK (TO-263)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	265			N-Kanal			250 V	13A (Tc)	10V	340 mOhm bei 8 A, 10 V	4 V bei 250 µA	59 nC bei 10 V	±20V	1300 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
RFD14N05LSM9A	-	Anfrage	3001	Harris Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		TO-252, (D-Pak)	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal			50 V	14A (Tc)	5V	100 mOhm bei 14 A, 5 V	2V bei 250µA	40 nC bei 10 V	±10V	670 pF bei 25 V	-	48W (Tc)
RURD420C	0,3600	Anfrage	1006	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.10.0080	594
2N4125	-	Anfrage	5127	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625 mW	TO-92	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.21.0095	1																													30 V	200mA						50nA (ICBO)	PNP	400 mV bei 5 mA, 50 mA	50 bei 2 mA, 1 V	200 MHz
BDX33C	0,3900	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	BDX33			70 W	TO-220AB	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	842																													100 V	10 A						500µA	NPN – Darlington	2,5 V bei 6 mA, 3 A	750 bei 3A, 3V	-
HGTP3N60A4	1.2900	Anfrage	106	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		Standard		70 W	TO-220-3	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	800					390V, 3A, 50Ohm, 15V																							-	600 V	17 A	40 A	2,7 V bei 15 V, 3 A	37µJ (ein), 25µJ (aus)	21 nC	6ns/73ns
2N6772	-	Anfrage	9761	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				40 W	TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	8541.29.0075	536																													550 V	1 A						100 µA	NPN	1 V bei 200 mA, 1 A	20 bei 300 mA, 3 V	50 MHz
HUF75332P3	0,8900	Anfrage	9	Harris Corporation	UltraFET™	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	364			N-Kanal			55 V	60A (Tc)	10V	19 mOhm bei 60 A, 10 V	4 V bei 250 µA	85 nC bei 20 V	±20V	1300 pF bei 25 V	-	145 W (Tc)
3N206	13.8700	Anfrage	612	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		Durchgangsloch	TO-206AF, TO-72-4 Metalldose			MOSFET		TO-72	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.21.0095	1	N-Kanal-Doppeltor
RURDG1590	1.4700	Anfrage	9546	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert				190
2N4988	0,6200	Anfrage	6	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 125°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-98-3					TO-98	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.30.0080	1				500 µA												30 V	1 A	Standardwiederherstellung
HC5513IPA02	3.6400	Anfrage	192	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	Anbieter nicht definiert	2156-HC5513IPA02-600026			1
IGT6E10	-	Anfrage	3154	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv									herunterladen	Nicht zutreffend	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	78
IRFR9120	0,9800	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	IRFR9120		MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	75			P-Kanal			100 V	5,6 A (Tc)	10V	600 mOhm bei 3,4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	18 nC bei 10 V	±20V	390 pF bei 25 V	-	2,5 W (Ta), 42 W (Tc)
RURU50100	5.4800	Anfrage	2	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestellmontage	TO-218-1			Lawine		TO-218	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.10.0080	1		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)																		1000 V		1,9 V bei 50 A	200 ns	500 µA bei 1000 V	-65 °C ~ 175 °C	50A	-
D72F5T1	-	Anfrage	3887	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA				1 W	I-PAK	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	546																													50 V	5 A						1 µA (ICBO)	NPN	400 mV bei 150 mA, 3 A	70 bei 1A, 1V	-
D64DV5	8.3400	Anfrage	8879	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AE				180 W	TO-204AE	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	31																													400 V	50 A						1mA	NPN – Darlington	3V bei 5A, 75A	100 bei 20 A, 5 V	-
BUX31	0,2200	Anfrage	1197	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3				150 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	105																													400 V	8 A						-	NPN	-	8 @ 4A, 3V	15 MHz
RF1S25N06	-	Anfrage	1196	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		I2PAK (TO-262)	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1			N-Kanal			60 V	25A (Tc)	10V	47 mOhm bei 25 A, 10 V	4 V bei 250 µA	80 nC bei 20 V	±20V	975 pF bei 25 V	-	72W (Tc)
IRF843	1.0000	Anfrage	700	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1			N-Kanal			450 V	7A (Tc)	10V	1,1 Ohm bei 4,4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	63 nC bei 10 V	±20V	1225 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
RURU5060	3.7800	Anfrage	3	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		Fahrgestellmontage	TO-218-1			Lawine		TO-218	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.10.0080	1		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)																		600 V		1,6 V bei 50 A	75 ns	500 µA bei 600 V	-65 °C ~ 175 °C	50A	-
RURG3020CC	-	Anfrage	7328	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet		Durchgangsloch	TO-247-3			Standard		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.10.0080	450		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)																	1 Paar gemeinsame Kathode	200 V	30A	1 V bei 30 A	50 ns	250 µA bei 200 V	-65 °C ~ 175 °C
IRFF9222	1.7400	Anfrage	2	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose			MOSFET (Metalloxid)		TO-205AF (TO-39)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1			P-Kanal			200 V	2A (Ta)	10V	2,4 Ohm bei 1,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	22 nC bei 10 V	±20V	350 pF bei 25 V	-	20W (Tc)
RFP7N40	1.2100	Anfrage	471	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1			N-Kanal			400 V	7A (Tc)	10V	750 mOhm bei 3,5 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	1600 pF bei 25 V	-	75 W (Tc)
RF1S22N10	0,8800	Anfrage	1	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1
HUF75343S3	1.0800	Anfrage	557	Harris Corporation	UltraFET™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA	HUF75		MOSFET (Metalloxid)		I2PAK (TO-262)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	0000.00.0000	1			N-Kanal			55 V	75A (Tc)	10V	9 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	205 nC bei 20 V	±20V	3000 pF bei 25 V	-	270 W (Tc)
RFG50N05	4.8200	Anfrage	145	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1			N-Kanal			50 V	50A (Tc)	10V	22 mOhm bei 50 A, 10 V	4 V bei 250 nA	160 nC bei 20 V	±20V		-	132W (Tc)