SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) REACH-Status Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Geschwindigkeit FET-Typ Testbedingung Gewinnen Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) Diodenkonfiguration Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If Reverse Recovery Time (trr) Strom – Rückwärtsleckage bei Vr Betriebstemperatur – Verbindungsstelle Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) Kapazität @ Vr, F IGBT-Typ Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Strom – Kollektor gepulst (Icm) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Energie wechseln Tor-Gebühr Td (ein/aus) bei 25 °C Strom – Kollektorabschaltung (max.) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang Rauschzahl (dB Typ @ f)
HUF75339S3 Harris Corporation HUF75339S3 0,2200
Anfrage
ECAD 7399 0,00000000 Harris Corporation UltraFET™ Schüttgut Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA MOSFET (Metalloxid) TO-262AA herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 0000.00.0000 1.200 N-Kanal 55 V 70A (Tc) 12 mOhm bei 70 A, 10 V 4 V bei 250 µA 130 nC bei 20 V ±20V 2000 pF bei 25 V - 124 W (Tc)
BDX33DS Harris Corporation BDX33DS 1.2800
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 2 W TO-220 herunterladen Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 234 120 V 10 A 500µA NPN – Darlington 2,5 V bei 6 mA, 3 A 750 bei 3A, 3V -
A114C Harris Corporation A114C 0,1600
Anfrage
ECAD 11 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Veraltet Durchgangsloch herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 300 V 1,3 V bei 1 A 150 µs 2 µA bei 300 V -65 °C ~ 175 °C 1A 10 pF bei 4 V, 1 MHz
IRF721R Harris Corporation IRF721R -
Anfrage
ECAD 8131 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 300 N-Kanal 350 V 3,3A (Ta) 10V 1,8 Ohm bei 1,8 A, 10 V 4 V bei 250 µA 20 nC bei 10 V ±20V 360 pF bei 25 V - 50 W (Tc)
HGTG20N60B3 Harris Corporation HGTG20N60B3 3.3100
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Rohr Veraltet -40°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 Standard 165 W TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform EAR99 8541.29.0095 450 480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V - 600 V 40 A 160 A 2V bei 15V, 20A 475 µJ (ein), 1,05 mJ (aus) 80 nC -
IRF512 Harris Corporation IRF512 0,4600
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 V 4,9A (Tc) 10V 740 mOhm bei 3,4 A, 10 V 4 V bei 250 µA 7,7 nC bei 10 V ±20V 135 pF bei 25 V - 43W (Tc)
1N5624 Harris Corporation 1N5624 0,3300
Anfrage
ECAD 16 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch SOD-64, Axial Standard SOD-64 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1 Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) 200 V 1 V bei 3 A 5 µA bei 200 V -65 °C ~ 175 °C 3A 40 pF bei 4 V, 1 MHz
CA3096CM96 Harris Corporation CA3096CM96 0,9000
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv CA3096 herunterladen Anbieter nicht definiert REACH betroffen 2156-CA3096CM96-600026 1
2N5323 Harris Corporation 2N5323 -
Anfrage
ECAD 9647 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv - Durchgangsloch TO-205AA, TO-5-3 Metalldose 2N532 10 W TO-5 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 50 V 2 A - PNP - - -
IRF151 Harris Corporation IRF151 1.5600
Anfrage
ECAD 342 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-204AE MOSFET (Metalloxid) TO-204AE herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 V 40A (Tc) 10V 55 mOhm bei 20 A, 10 V 4 V bei 250 µA 120 nC bei 10 V ±20V 2000 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
RURG3050CC Harris Corporation RURG3050CC 2.8800
Anfrage
ECAD 266 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-247-3 Lawine TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 1 Paar gemeinsame Kathode 500 V 30A 1,5 V bei 30 A 60 ns 500 µA bei 50 V -65 °C ~ 175 °C
HFA3128B Harris Corporation HFA3128B 4.9200
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv herunterladen Anbieter nicht definiert REACH betroffen 2156-HFA3128B-600026 1
IRFU222 Harris Corporation IRFU222 0,4000
Anfrage
ECAD 900 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA MOSFET (Metalloxid) I-PAK herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 V 3,8A (Tc) 10V 1,2 Ohm bei 2,4 A, 10 V 4 V bei 250 µA 18 nC bei 10 V ±20V 330 pF bei 25 V - 50 W (Tc)
2N6792 Harris Corporation 2N6792 1.5900
Anfrage
ECAD 10 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) TO-205AF (TO-39) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 189 N-Kanal 400 V 2A (Tc) 10V 1,8 Ohm bei 1,25 A, 10 V 4V bei 1mA ±20V 600 pF bei 25 V - 20W (Tc)
IRF626 Harris Corporation IRF626 0,5300
Anfrage
ECAD 997 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 275 V 3,8A (Tc) 10V 1,1 Ohm bei 1,4 A, 10 V 4 V bei 250 µA 22 nC bei 10 V ±20V 340 pF bei 25 V - 40 W (Tc)
RURP3040 Harris Corporation RURP3040 1.3600
Anfrage
ECAD 5 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-220-2 Lawine TO-220AC herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 400 V 1,5 V bei 30 A 60 ns 500 µA bei 400 V -55 °C ~ 175 °C 30A -
RFM10N50 Harris Corporation RFM10N50 -
Anfrage
ECAD 3405 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metalloxid) ZU-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 10A (Tc) 10V 600 mOhm bei 5 A, 10 V 4V bei 1mA ±20V 3000 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
IRFU220 Harris Corporation IRFU220 0,8700
Anfrage
ECAD 13 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Durchgangsloch TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA IRFU2 MOSFET (Metalloxid) TO-251AA herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 0000.00.0000 1 N-Kanal 200 V 4,8 A (Tc) 800 mOhm bei 2,9 A, 10 V 4 V bei 250 µA 14 nC bei 10 V 260 pF bei 25 V -
RFP2N12 Harris Corporation RFP2N12 0,4600
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 120 V 2A (Tc) 10V 1,75 Ohm bei 2 A, 10 V 4 V bei 250 µA ±20V 200 pF bei 25 V - 25W (Tc)
RFP45N02L Harris Corporation RFP45N02L 0,4600
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 20 V 45A (Tc) 5V 22 mOhm bei 45 A, 5 V 2V bei 250µA 60 nC bei 10 V ±10V 1300 pF bei 15 V - 90 W (Tc)
RHRD650S Harris Corporation RHRD650S 0,5200
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 Standard TO-252, (D-Pak) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.10.0080 1 Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) 500 V 2,1 V bei 6 A 35 ns 100 µA bei 500 V -65 °C ~ 175 °C 6A -
HGTH12N50C1D Harris Corporation HGTH12N50C1D 2.3000
Anfrage
ECAD 483 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-218-3 Isolierter Tab, TO-218AC Standard 75 W TO-218 isoliert herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 - 100 ns - 500 V 12 A 17,5 A 3,2 V bei 20 V, 17,5 A - 19 nC -
IRF823 Harris Corporation IRF823 0,4100
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 450 V 2,2A (Tc) 10V 4 Ohm bei 1,4 A, 10 V 4 V bei 250 µA 19 nC bei 10 V ±20V 360 pF bei 25 V - 50 W (Tc)
2N6771 Harris Corporation 2N6771 0,3300
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 40 W TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH betroffen EAR99 8541.29.0075 1 450 V 1 A 100µA NPN 1 V bei 200 mA, 1 A 20 bei 300 mA, 3 V 50 MHz
2N6487 Harris Corporation 2N6487 0,9600
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 2N6487 1,8 W TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH Unberührt EAR99 8541.29.0095 314 60 V 15 A 1mA NPN 3,5 V bei 5 A, 15 A 20 bei 5A, 4V 5 MHz
RFP4N05 Harris Corporation RFP4N05 0,5700
Anfrage
ECAD 6 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 50 V 4A (Tc) 10V 800 mOhm bei 4 A, 10 V 4 V bei 250 µA ±20V 200 pF bei 25 V - 25W (Tc)
IGTH20N50A Harris Corporation IGTH20N50A 2.6100
Anfrage
ECAD 5178 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv - Durchgangsloch TO-218-3 Isolierter Tab, TO-218AC Standard TO-218 isoliert herunterladen EAR99 8542.39.0001 38 - - 500 V 20 A - - -
HFA3127B96 Harris Corporation HFA3127B96 -
Anfrage
ECAD 7981 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Veraltet -55°C ~ 125°C (TJ) Oberflächenmontage 16-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) 150 mW 16-SOIC - Nicht RoHS-konform Anbieter nicht definiert 2156-HFA3127B96-600026 1 - 12V 65mA 5 NPN 40 bei 10 mA, 2 V 8GHz 3,5 dB bei 1 GHz
D45D3 Harris Corporation D45D3 -
Anfrage
ECAD 9669 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 2,1 W TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH betroffen EAR99 8541.29.0095 124 60 V 6 A 10µA PNP – Darlington 1,5 V bei 3 mA, 3 A 2000 bei 1A, 2V -
BD550 Harris Corporation BD550 -
Anfrage
ECAD 1131 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 200°C (TJ) Durchgangsloch TO-204AA, TO-3 150 W ZU-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 110 V 7 A 5mA NPN 2V bei 500mA, 4A 15 @ 4A, 4V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Vorrätiges Lager