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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET-Typ | Testbedingung | Gewinnen | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | IGBT-Typ | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Strom – Kollektor gepulst (Icm) | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | Energie wechseln | Tor-Gebühr | Td (ein/aus) bei 25 °C | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang | Rauschzahl (dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF75339S3 | 0,2200 | ![]() | 7399 | 0,00000000 | Harris Corporation | UltraFET™ | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (Metalloxid) | TO-262AA | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 0000.00.0000 | 1.200 | N-Kanal | 55 V | 70A (Tc) | 12 mOhm bei 70 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 130 nC bei 20 V | ±20V | 2000 pF bei 25 V | - | 124 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDX33DS | 1.2800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -65°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | 2 W | TO-220 | herunterladen | Nicht zutreffend | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 234 | 120 V | 10 A | 500µA | NPN – Darlington | 2,5 V bei 6 mA, 3 A | 750 bei 3A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A114C | 0,1600 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | Durchgangsloch | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 300 V | 1,3 V bei 1 A | 150 µs | 2 µA bei 300 V | -65 °C ~ 175 °C | 1A | 10 pF bei 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF721R | - | ![]() | 8131 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | N-Kanal | 350 V | 3,3A (Ta) | 10V | 1,8 Ohm bei 1,8 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 20 nC bei 10 V | ±20V | 360 pF bei 25 V | - | 50 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG20N60B3 | 3.3100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | Standard | 165 W | TO-247 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V | - | 600 V | 40 A | 160 A | 2V bei 15V, 20A | 475 µJ (ein), 1,05 mJ (aus) | 80 nC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF512 | 0,4600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 V | 4,9A (Tc) | 10V | 740 mOhm bei 3,4 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 7,7 nC bei 10 V | ±20V | 135 pF bei 25 V | - | 43W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5624 | 0,3300 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | SOD-64, Axial | Standard | SOD-64 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 200 V | 1 V bei 3 A | 5 µA bei 200 V | -65 °C ~ 175 °C | 3A | 40 pF bei 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CA3096CM96 | 0,9000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | CA3096 | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH betroffen | 2156-CA3096CM96-600026 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5323 | - | ![]() | 9647 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | - | Durchgangsloch | TO-205AA, TO-5-3 Metalldose | 2N532 | 10 W | TO-5 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 2 A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF151 | 1.5600 | ![]() | 342 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-204AE | MOSFET (Metalloxid) | TO-204AE | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 60 V | 40A (Tc) | 10V | 55 mOhm bei 20 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 120 nC bei 10 V | ±20V | 2000 pF bei 25 V | - | 150 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RURG3050CC | 2.8800 | ![]() | 266 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | Lawine | TO-247 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 500 V | 30A | 1,5 V bei 30 A | 60 ns | 500 µA bei 50 V | -65 °C ~ 175 °C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HFA3128B | 4.9200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH betroffen | 2156-HFA3128B-600026 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU222 | 0,4000 | ![]() | 900 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA | MOSFET (Metalloxid) | I-PAK | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 200 V | 3,8A (Tc) | 10V | 1,2 Ohm bei 2,4 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 18 nC bei 10 V | ±20V | 330 pF bei 25 V | - | 50 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6792 | 1.5900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | TO-205AF (TO-39) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 189 | N-Kanal | 400 V | 2A (Tc) | 10V | 1,8 Ohm bei 1,25 A, 10 V | 4V bei 1mA | ±20V | 600 pF bei 25 V | - | 20W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF626 | 0,5300 | ![]() | 997 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 275 V | 3,8A (Tc) | 10V | 1,1 Ohm bei 1,4 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 22 nC bei 10 V | ±20V | 340 pF bei 25 V | - | 40 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RURP3040 | 1.3600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | Lawine | TO-220AC | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,5 V bei 30 A | 60 ns | 500 µA bei 400 V | -55 °C ~ 175 °C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFM10N50 | - | ![]() | 3405 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (Metalloxid) | ZU-3 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 10A (Tc) | 10V | 600 mOhm bei 5 A, 10 V | 4V bei 1mA | ±20V | 3000 pF bei 25 V | - | 150 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU220 | 0,8700 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA | IRFU2 | MOSFET (Metalloxid) | TO-251AA | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 200 V | 4,8 A (Tc) | 800 mOhm bei 2,9 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 14 nC bei 10 V | 260 pF bei 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP2N12 | 0,4600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220-3 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 120 V | 2A (Tc) | 10V | 1,75 Ohm bei 2 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | ±20V | 200 pF bei 25 V | - | 25W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP45N02L | 0,4600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 20 V | 45A (Tc) | 5V | 22 mOhm bei 45 A, 5 V | 2V bei 250µA | 60 nC bei 10 V | ±10V | 1300 pF bei 15 V | - | 90 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRD650S | 0,5200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | Standard | TO-252, (D-Pak) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 500 V | 2,1 V bei 6 A | 35 ns | 100 µA bei 500 V | -65 °C ~ 175 °C | 6A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTH12N50C1D | 2.3000 | ![]() | 483 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-218-3 Isolierter Tab, TO-218AC | Standard | 75 W | TO-218 isoliert | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 100 ns | - | 500 V | 12 A | 17,5 A | 3,2 V bei 20 V, 17,5 A | - | 19 nC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF823 | 0,4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220AB | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 450 V | 2,2A (Tc) | 10V | 4 Ohm bei 1,4 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 19 nC bei 10 V | ±20V | 360 pF bei 25 V | - | 50 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6771 | 0,3300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -65°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | 40 W | TO-220 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH betroffen | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 450 V | 1 A | 100µA | NPN | 1 V bei 200 mA, 1 A | 20 bei 300 mA, 3 V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6487 | 0,9600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -65°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | 2N6487 | 1,8 W | TO-220AB | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 314 | 60 V | 15 A | 1mA | NPN | 3,5 V bei 5 A, 15 A | 20 bei 5A, 4V | 5 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP4N05 | 0,5700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 50 V | 4A (Tc) | 10V | 800 mOhm bei 4 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | ±20V | 200 pF bei 25 V | - | 25W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGTH20N50A | 2.6100 | ![]() | 5178 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | - | Durchgangsloch | TO-218-3 Isolierter Tab, TO-218AC | Standard | TO-218 isoliert | herunterladen | EAR99 | 8542.39.0001 | 38 | - | - | 500 V | 20 A | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HFA3127B96 | - | ![]() | 7981 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 125°C (TJ) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | 150 mW | 16-SOIC | - | Nicht RoHS-konform | Anbieter nicht definiert | 2156-HFA3127B96-600026 | 1 | - | 12V | 65mA | 5 NPN | 40 bei 10 mA, 2 V | 8GHz | 3,5 dB bei 1 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D45D3 | - | ![]() | 9669 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | 2,1 W | TO-220 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH betroffen | EAR99 | 8541.29.0095 | 124 | 60 V | 6 A | 10µA | PNP – Darlington | 1,5 V bei 3 mA, 3 A | 2000 bei 1A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD550 | - | ![]() | 1131 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Schüttgut | Aktiv | -65°C ~ 200°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-204AA, TO-3 | 150 W | ZU-3 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 110 V | 7 A | 5mA | NPN | 2V bei 500mA, 4A | 15 @ 4A, 4V |

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