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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | HGTP20N60C3R | 4.5300 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Standard | 164 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 480 V, 20a, 10ohm, 15 V. | 24 ns | - - - | 600 V | 45 a | 300 a | 1,8 V @ 15V, 20a | 500 µJ (EIN), 500 µJ (AUS) | 122 NC | 28ns/151ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR2209AS2463 | 0,5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | IRFR2209 | - - - | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RUR3040 | - - - | ![]() | 6765 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Lawine | To-220ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 30 a | 60 ns | 30 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D45D2 | - - - | ![]() | 1377 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2.1 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 448 | 40 v | 6 a | 10 µA | PNP - Darlington | 2v @ 5ma, 5a | 2000 @ 1a, 2v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP15N40C1 | 2.9100 | ![]() | 368 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Standard | 75 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | 400 V | 15 a | 35 a | 3,2 V @ 20V, 35a | - - - | 33 NC | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR420 | 0,8800 | ![]() | 779 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 342 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mur840 | 0,5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Mur84 | Standard | To-220ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 8 a | 60 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irff433 | 2.6000 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | To-205AF (bis 39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 116 | N-Kanal | 450 V | 2.25a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 600 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RURP8100CC | - - - | ![]() | 2730 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Lawine | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 130 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1000 v | 8a | 1,8 V @ 8 a | 100 ns | 100 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S9640 | 1.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | P-Kanal | 200 v | 11a (TC) | 500mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Buz73a | 0,4300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Harris Corporation | SIPMOS® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 200 v | 5.5a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 4,5A, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 530 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rurd1510 | 2.1900 | ![]() | 474 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-218-3 isolierte Tab, to-218ac | Lawine | To-218 isolier | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 1,05 V @ 15 a | 35 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irff9222 | 1.7400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | To-205AF (bis 39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P-Kanal | 200 v | 2a (ta) | 10V | 2,4OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJH6678 | 5.5400 | ![]() | 188 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-218-3 isolierte Tab, to-218ac | 175 w | To-218 isolier | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 400 V | 15 a | 100 µA | Npn | 1,5 V @ 3a, 15a | 8 @ 15a, 3v | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9633 | 0,7600 | ![]() | 6759 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 275 | P-Kanal | 150 v | 5.5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 550 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Buz11s2537 | 0,4600 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rurd1520 | 2.0900 | ![]() | 254 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-218-3 isolierte Tab, to-218ac | Lawine | To-218 isolier | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 15a | 1,05 V @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD16N03LSM9A | 0,6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3773V | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU322 | 0,3600 | ![]() | 898 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 898 | N-Kanal | 400 V | 2.6a (TA) | 10V | 2,5OHM @ 1,7a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rurh3010cc | 3.3200 | ![]() | 622 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-218-3 isolierte Tab, to-218ac | Lawine | To-218 isolier | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 30a | 1 V @ 30 a | 50 ns | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF233 | - - - | ![]() | 8436 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 150 v | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 600 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP2N18 | 0,2800 | ![]() | 6021 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 180 v | 2a (TC) | 10V | 3,5OHM @ 1a, 10 V. | 4V @ 2MA | ± 20 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF643 | 0,8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 150 v | 16a (TC) | 10V | 220mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 1275 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF84093 | - - - | ![]() | 9731 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | IRF8409 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 375 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S45N06LESM | 0,9700 | ![]() | 843 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 45a | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6739 | 1.7300 | ![]() | 649 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 100 w | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 174 | 350 V | 8 a | 100 µA | Npn | 2v @ 4a, 8a | 10 @ 5a, 3v | 60 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFG75N05E | 7.0400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 50 v | 75a (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10V | 4v @ 250 ähm | 400 NC @ 20 V | ± 20 V | - - - | 240W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6895 | 0,5500 | ![]() | 8598 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | To-205AF (bis 39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 21 | P-Kanal | 100 v | 1.16a (TC) | 10V | 3,65OHM @ 740 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 150 PF @ 25 V. | - - - | 8.33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S40N10LE | 1.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | Rf1s | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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