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Diskrete Halbleiterprodukte(1081)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Geschwindigkeit	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Diodenkonfiguration	Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If	Reverse Recovery Time (trr)	Strom – Rückwärtsleckage bei Vr	Betriebstemperatur – Verbindungsstelle	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	Kapazität @ Vr, F	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS)	Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang
RFL1P08	0,5200	Anfrage	2428	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose			MOSFET (Metalloxid)		TO-205AF (TO-39)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	4		P-Kanal		80 V	1A (Tc)	10V	3,65 Ohm bei 1 A, 10 V	4 V bei 250 µA		±20V	150 pF bei 25 V	-	8,33 W (Tc)
RFP10N15L	0,8100	Anfrage	35	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		150 V	10A (Tc)	5V	300 mOhm bei 5 A, 5 V			±10V	1200 pF bei 25 V	-	60 W (Tc)
HGTD7N60C3S	-	Anfrage	4129	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		Standard		60 W	TO-252AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	33			-																				-	600 V	14 A	56 A	2V bei 15V, 7A	-	23 nC	-
A14F	0,1800	Anfrage	17	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		Durchgangsloch	DO-204, Axial			Standard		DO-204	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.10.0080	1	Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io)														50 V		1,2 V bei 1 A	2 µs	200 µA bei 50 V	-65 °C ~ 175 °C	1A	15 pF bei 4 V, 1 MHz
RCA9116E	1.4600	Anfrage	581	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3				200 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1																								100 V	200 A									1mA	PNP	1,5 V bei 500 mA, 750 mA	10 bei 7,5 A, 2 V	2 MHz
RURDG3050	-	Anfrage	5870	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-						0000.00.0000	1
RF1S630SM	0,9600	Anfrage	2	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		TO-263AB	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		200 V	6A (Tc)	10V	400 mOhm bei 5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	30 nC bei 10 V	±20V	600 pF bei 25 V	-	75 W (Tc)
BUZ76A	0,6100	Anfrage	10	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		400 V	2,6A (Tc)	10V	2,5 Ohm bei 1,5 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	500 pF bei 25 V	-	40 W (Tc)
RCA1C13	-	Anfrage	8341	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert				1
IRF642R	0,8100	Anfrage	500	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		200 V	16A (Tc)	10V	220 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	64 nC bei 10 V	±20V	1275 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
IRF520	0,3300	Anfrage	7025	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		100 V	9,2A (Tc)		270 mOhm bei 5,6 A, 10 V	4 V bei 250 µA	15 nC bei 10 V	±20V	350 pF bei 25 V	-	60 W (Tc)
IRFD112	0,3700	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	4-DIP (0,300", 7,62 mm)			MOSFET (Metalloxid)		4-DIP, Hexdip	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		100 V	800mA (Tc)	10V	800 mOhm bei 800 mA, 10 V	4 V bei 250 µA	7 nC bei 10 V	±20V	135 pF bei 25 V	-	1W (Tc)
IRFD321	-	Anfrage	2713	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	4-DIP (0,300", 7,62 mm)			MOSFET (Metalloxid)		4-DIP, Hexdip	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	66		N-Kanal		350 V	500mA (Tc)	10V	1,8 Ohm bei 250 mA, 10 V	4 V bei 250 µA	15 nC bei 10 V	±20V	455 pF bei 25 V	-	1W (Tc)
RURP815	0,5600	Anfrage	3	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		Durchgangsloch	TO-220-2			Lawine		TO-220AC	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.10.0080	1	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)														150 V		975 mV bei 8 A	30 ns	100 µA bei 150 V	-65 °C ~ 175 °C	8A	-
RFP15N12	1.0600	Anfrage	12	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		120 V	15A (Tc)	10V	150 mOhm bei 7,5 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	1700 pF bei 25 V	-	75 W (Tc)
RURP8100CC	-	Anfrage	2730	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		Durchgangsloch	TO-220-3			Lawine		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.10.0080	130	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)													1 Paar gemeinsame Kathode	1000 V	8A	1,8 V bei 8 A	100 ns	100 µA bei 1000 V	-65 °C ~ 175 °C
HC9P5504DLC-5	10.4000	Anfrage	188	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH betroffen	2156-HC9P5504DLC-5-600026			1
RUR3040	-	Anfrage	6765	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		Durchgangsloch	TO-220-2			Lawine		TO-220AC	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	8541.10.0080	1	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)														400 V		1,5 V bei 30 A	60 ns	30 µA bei 400 V	-55 °C ~ 175 °C	30A	-
RFD3055RLESM9A	0,4400	Anfrage	7327	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				RFD3055		-			-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert				590												-
3N187	1.0000	Anfrage	3433	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AF, TO-72-4 Metalldose				330 mW	TO-72	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.21.0095	1		N-Kanal		20 V							8,5 pF bei 15 V																				6,5 V	5 mA bei 15 V	500 mV bei 50 µA
RHRP870	-	Anfrage	7172	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		Durchgangsloch	TO-220-2			Lawine		TO-220AC	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.10.0080	1	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)														700 V		3 V bei 8 A	65 ns	100 µA bei 700 V	-65 °C ~ 175 °C	8A	-
RF1S45N06LESM	0,9700	Anfrage	843	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		TO-263AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		60 V	45A	-	-	-		-		-	-
HGTG12N60C3D	4.3900	Anfrage	600	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		104 W	TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	69			-															42 ns					-	600 V	24 A	96 A	2,2 V bei 15 V, 15 A	380µJ (ein), 900µJ (aus)	48 nC	-
IRF121	-	Anfrage	4152	Harris Corporation	-	Schüttgut	Veraltet		Fahrgestellmontage	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-204AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	20		N-Kanal		60 V	8A (Ta)		-	-				-
2N6969	8.2100	Anfrage	6	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1
HGTP20N60C3R	4.5300	Anfrage	79	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		Standard		164 W	TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1			480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V															24 ns					-	600 V	45 A	300 A	1,8 V bei 15 V, 20 A	500 µJ (ein), 500 µJ (aus)	122 nC	28ns/151ns
RF1S45N06SM	0,8500	Anfrage	700	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		TO-263AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		60 V	45A	-	-	-		-		-	-
HGT1S20N35F3VLR4505	1.7600	Anfrage	800	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1
RHRG75100	3.5700	Anfrage	750	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		Durchgangsloch	TO-247-3			Lawine		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.10.0080	85	Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)														1000 V		3 V bei 75 A	100 ns	500 µA bei 1000 V	-65 °C ~ 175 °C	75A	-
IRFR91109A	0,3600	Anfrage	2	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv									herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1