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Diskette HalblerProdukte (1081)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
RHRP15100 Harris Corporation RHRP15100 1.0000
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Lawine To-220ac Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 350 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 3 V @ 15 a 70 ns 100 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a - - -
HGTG27N60C3R Harris Corporation HGTG27N60C3R 2.9000
RFQ
 ECAD 297 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 208 w To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - 600 V 54 a 108 a 2,2 V @ 15V, 27a - - - 212 NC - - -
RFM12P08 Harris Corporation RFM12P08 1,5000
RFQ
 ECAD 358 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 80 v 12a (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10V 4v @ 1ma ± 20 V 1500 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
2N6767 Harris Corporation 2N6767 4.1400
RFQ
 ECAD 3274 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 9 N-Kanal 350 V 12a (TC) 10V 400MOHM @ 7.75A, 10V 4v @ 1ma ± 20 V 3000 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
RF1S630SM Harris Corporation RF1S630SM 0,9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 6a (TC) 10V 400mohm @ 5a, 10V 4v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 600 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
RF1S30P06SM9A Harris Corporation RF1S30P06SM9A - - -
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 800 P-Kanal 60 v 30a (TC) 10V 65mohm @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm 170 NC @ 20 V ± 20 V 3200 PF @ 25 V. - - - 135W (TC)
HGTG20N60C3R Harris Corporation HGTG20N60C3R 2.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 164 w To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - 600 V 40 a 80 a 2,2 V @ 15V, 20a - - - 116 NC - - -
HGT1S3N60B3DS Harris Corporation HGT1S3N60B3DS 0,7300
RFQ
 ECAD 8972 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard 33,3 w To-263ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 480 V, 3,5a, 82 Ohm, 15 V. 28 ns - - - 600 V 7 a 20 a 2,1 V @ 15V, 3,5a 66 µJ (EIN), 88 um (AUS) 18 NC 18ns/105ns
IGT6E21 Harris Corporation Igt6e21 3.4800
RFQ
 ECAD 289 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Standard To-247 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - 500 V 32 a - - - - - - - - -
A214B Harris Corporation A214B 0,5100
RFQ
 ECAD 901 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204, axial Standard Do-204 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 950 mV @ 2 a 35 ns 2 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 2a 45PF @ 4V, 1 MHz
TIP42A Harris Corporation TIP42A 0,3900
RFQ
 ECAD 847 0.00000000 Harris Corporation - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2 w To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 847 60 v 6 a 700 ähm PNP 1,5 V @ 600 Ma, 6a 15 @ 3a, 4V - - -
RHRP3080 Harris Corporation RHRP3080 1.4300
RFQ
 ECAD 399 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Lawine To-220ac Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 3 V @ 30 a 75 ns 500 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 30a - - -
HGTP10N40EID Harris Corporation Hgtp10N40EID 1.5800
RFQ
 ECAD 225 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 225
IRFP153 Harris Corporation IRFP153 1.7900
RFQ
 ECAD 6464 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 60 v 34a (TC) 10V 80MOHM @ 22A, 10V 4v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 20 V 2000 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
RFP4N06 Harris Corporation RFP4N06 0,3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1.079 N-Kanal 60 v 4a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 200 PF @ 25 V. - - - 25W (TC)
RHRD460S96 Harris Corporation RHRD460S96 0,9100
RFQ
 ECAD 610 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Lawine To-252-3 (dpak) Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2.1 V @ 4 a 35 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 4a - - -
RHRD650 Harris Corporation RHRD650 0,5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa Lawine I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 500 V 2.1 V @ 6 a 35 ns 100 µA @ 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a - - -
RURP8120 Harris Corporation RURP8120 0,6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Lawine To-220ac Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 2,1 V @ 8 a 110 ns 100 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 8a - - -
IRFR321 Harris Corporation IRFR321 0,3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 350 V 3.1a (ta) 10V 1,8OHM @ 1,7a, 10V 4v @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
1N5060 Harris Corporation 1n5060 0,1800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch SOD-57, axial Standard SOD-57 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,1 V @ 2 a 4 µs 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 40pf @ 0v, 1 MHz
HP4936DYT Harris Corporation Hp4936dyt 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) HP4936 MOSFET (Metalloxid) 2W (TA) 8-soic Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 30V 5.8a (ta) 37mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250 ähm 25nc @ 10v 625PF @ 25v Logikpegel -tor
GE1003 Harris Corporation GE1003 0,3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-204ae Standard To-204ae Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 950 mv @ 1 a 35 ns 2 µa @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 45PF @ 4V, 1 MHz
D40V1 Harris Corporation D40V1 0,4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-202 Long Tab 1,7 w To-202ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1 250 V 100 ma 10 µA Npn 1V @ 2MA, 20 mA 60 @ 20 ma, 10V
RHRG5050 Harris Corporation RHRG5050 - - -
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-247-2 Lawine To-247-2 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 43 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 500 V 2.1 V @ 50 a 50 ns 500 µA @ 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 50a - - -
MUR3050PT Harris Corporation Mur3050pt - - -
RFQ
 ECAD 8836 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-218-3 Standard To-218 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 4 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v - - - 30a - - -
RFP10N12L Harris Corporation RFP10N12L 1.0700
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 120 v 10a (TC) 5v 300mohm @ 5a, 5V ± 10 V 1200 PF @ 25 V. - - - 60 W (TC)
D44TD5 Harris Corporation D44TD5 0,7700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 50 w To-220 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1 400 V 2 a 100 µA Npn 1v @ 400 mA, 2a 8 @ 1a, 2v 50 MHz
IRF232 Harris Corporation IRF232 - - -
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 201 N-Kanal 200 v 8a (TC) 10V 600mohm @ 5a, 10V 4v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 600 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
D64ES5 Harris Corporation D64ES5 5.2500
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 125 w To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 400 V 20 a 1ma NPN - Darlington 3,5 V @ 3a, 30a 100 @ 10a, 5V - - -
RFD20N03 Harris Corporation RFD20N03 0,4100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 20A (TC) 10V 25mo @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 75 NC @ 20 V ± 20 V 1150 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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