SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
A14F Harris Corporation A14f 0,1800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204, axial Standard Do-204 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1,2 V @ 1 a 2 µs 200 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
HGTD10N40F1S Harris Corporation HGTD10N40F1S 0,8400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Standard 75 w To-252, (d-pak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - 400 V 12 a 2,5 V @ 10V, 5a - - - 13.4 NC - - -
RURP810CC Harris Corporation Rurp810cc - - -
RFQ
ECAD 7655 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-3 Lawine To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 300 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 8a 975 mv @ 8 a 30 ns 500 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
RUR860 Harris Corporation Rur860 - - -
RFQ
ECAD 2897 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Standard To-220ac Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 426 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,5 V @ 8 a 60 ns 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 8a - - -
D45C4 Harris Corporation D45C4 - - -
RFQ
ECAD 7680 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 30 w To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 115 45 V 4 a 10 µA PNP 500mv @ 100 mA, 1a 25 @ 1a, 1V 40 MHz
BD899 Harris Corporation BD899 0,5300
RFQ
ECAD 9584 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-220-3 70 w To-220c Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 18 80 v 8 a - - - Npn - - - - - - 1MHz
RURD460CC Harris Corporation Rurd460cc 1.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1
2N6129 Harris Corporation 2N6129 0,9500
RFQ
ECAD 593 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
A115E Harris Corporation A115e 0,4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 500 V 1,3 V @ 3 a 150 µs 2 µa @ 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a 40pf @ 4v, 1 MHz
RF1S530SM9AS2457 Harris Corporation RF1S530SM9AS2457 0,8800
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Rf1s - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 800 - - -
CA3096CM Harris Corporation CA3096CM 0,8100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) CA3096 200 MW 16-soic Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 1 24 v 50 mA, 10 mA 1 µA NPN, PNP 700 mV @ 1 mA, 10 mA / 400 mV, 100 ua, 1 mA 100 @ 1ma, 5 v / 30 @ 100 ua, 5 V. 335 MHz, 6,8 MHz
IRFF111 Harris Corporation Irff111 3.0000
RFQ
ECAD 176 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) To-205AF (bis 39) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 80 v 3,5a (TC) 10V 600 MOHM @ 1,5A, 10V 4v @ 250 ähm 7,5 NC @ 10 V ± 20 V 135 PF @ 25 V. - - - 15W (TC)
IRF614 Harris Corporation IRF614 0,4100
RFQ
ECAD 2703 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IRF614 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 0000.00.0000 695 N-Kanal 250 V 2.7a (TC) 10V 2OHM @ 1,6a, 10V 4v @ 250 ähm 8.2 NC @ 10 V ± 20 V 140 PF @ 25 V. - - - 36W (TC)
IRF520 Harris Corporation IRF520 0,3300
RFQ
ECAD 7025 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 100 v 9.2a (TC) 270 MOHM @ 5.6A, 10V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 60 W (TC)
RHRU75100 Harris Corporation RHRU75100 3.9200
RFQ
ECAD 149 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg To-218-1 Lawine To-218 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 3 V @ 75 a 100 ns 500 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 75a - - -
RURD640S Harris Corporation Rurd640s 0,5600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Standard To-252, (d-pak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1 V @ 6 a 60 ns 100 µa @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a - - -
RF1S50N06SM9AS2551 Harris Corporation RF1S50N06SM9AS2551 1.0300
RFQ
ECAD 653 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Rf1s - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1 - - -
IRF523 Harris Corporation IRF523 0,3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 80 v 8a (TC) 10V 360MOHM @ 5.6a, 10V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 60 W (TC)
IRF122 Harris Corporation IRF122 0,8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 8a (TC) 10V 360MOHM @ 5.6a, 10V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 60 W (TC)
BUZ76 Harris Corporation Buz76 0,5600
RFQ
ECAD 700 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 3a (TC) 10V 1,8ohm @ 2a, 10 V. 4v @ 1ma ± 20 V 650 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
2N6134 Harris Corporation 2N6134 1.1200
RFQ
ECAD 374 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
RFG45N06 Harris Corporation RFG45N06 1.0800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 45a (TC) 10V 28mohm @ 45a, 10V 4v @ 250 ähm 150 NC @ 20 V ± 20 V 2050 PF @ 25 V. - - - 131W (TC)
IRFD9120 Harris Corporation IRFD9120 0,8500
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (Metalloxid) 4-HVMDIP Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 100 v 1a (ta) 10V 600mohm @ 600 mA, 10 V 4v @ 250 ähm 18 NC @ 10 V. ± 20 V 390 PF @ 25 V. - - - 1,3W (TA)
RFD14N05L Harris Corporation RFD14N05L 1.0000
RFQ
ECAD 6552 0.00000000 Harris Corporation - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 50 v 14a (TC) 5v 100mohm @ 14a, 5V 2v @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 10 V 670 PF @ 25 V. - - - 48W (TC)
HGT1S12N60C3 Harris Corporation HGT1S12N60C3 1.4200
RFQ
ECAD 899 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Standard 104 w I2pak (to-262) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - 600 V 24 a 96 a 2v @ 15V, 12a - - - 62 NC - - -
CA3097E Harris Corporation CA3097E 0,5700
RFQ
ECAD 2993 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv 50V - - - K. Loch 0,300 ", 7,62 mm) CA3097 16-Pdip Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.59.0080 96 100 mA, 10 mA NPN, PNP (Emitter Gekoppelt)
RF1K4909396 Harris Corporation RF1K4909396 0,5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-RF1K4909396-600026 1
RFD8P05SM9A Harris Corporation RFD8P05SM9A 0,9200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 325
MUR870E Harris Corporation Mur870e 0,6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Standard To-220ac Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 700 V 1,8 V @ 8 a 110 ns 500 µa @ 700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a - - -
RURP3050 Harris Corporation RURP3050 1.3600
RFQ
ECAD 773 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Lawine To-220ac Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 500 V 1,5 V @ 30 a 60 ns 500 µA @ 500 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus