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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
TIP41BTU	0,4100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				2 w		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000																									80 v	6 a						700 ähm				Npn	1,5 V @ 600 Ma, 6a	15 @ 3a, 4V	3MHz
Fjn3303bu	- - -	RFQ	6963	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				1,1 w		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000																									400 V	1,5 a						10 µA (ICBO)				Npn	3v @ 500 mA, 1,5a	14 @ 500 mA, 2V	4MHz
FDD5N50TM	0,3000	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal		500 V	4a (TC)	10V	1,4ohm @ 2a, 10 V.	5 V @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 30 v	640 PF @ 25 V.	- - -	40W (TC)
BC556ABU	0,0400	RFQ	14	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				500 MW		To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	8.435																									65 V	100 ma						15NA (ICBO)				PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
HUFA75332S3ST	0,4700	RFQ	44	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800			N-Kanal		55 v	60a (TC)	10V	19Mohm @ 60a, 10V	4v @ 250 ähm	85 NC @ 20 V	± 20 V	1300 PF @ 25 V.	- - -	145W (TC)
KSD1621UTF	0,1000	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa				500 MW		SOT-89-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	4.000																									25 v	2 a						100NA (ICBO)				Npn	400mv @ 75 mA, 1,5a	280 @ 100 mA, 2V	150 MHz
FGA25S125p	- - -	RFQ	6471	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	FGA25S125	Standard		250 w		To-3pn	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	30				- - -																				TRABENFELD STOPP	1250 V	50 a	75 a	2,35 V @ 15V, 25a	- - -	204 NC	- - -
FQAF16N50	2.7900	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-3Pf	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	108			N-Kanal		500 V	11.3a (TC)	10V	320MOHM @ 5.65A, 10V	5 V @ 250 ähm	75 NC @ 10 V	± 30 v	3000 PF @ 25 V.	- - -	110W (TC)
KSD560Rtu	- - -	RFQ	2573	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	KSD560			1,5 w		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1																									100 v	5 a						1 µA (ICBO)				NPN - Darlington	1,5 V @ 3ma, 3a	2000 @ 3a, 2v	- - -
KST05MTF	0,0300	RFQ	9821	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				350 MW		SOT-23-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1																									60 v	500 mA						100na				Npn	250mv @ 10 mA, 100 mA	50 @ 100 mA, 1V	100 MHz
SS28	- - -	RFQ	9924	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	Do-214aa, SMB			Schottky			Do-214AA (SMB)	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)														80 v		850 mV @ 2 a		400 µa @ 80 V	-65 ° C ~ 125 ° C.	2a	- - -
PN100RM	0,0400	RFQ	4159	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																									45 V	500 mA						50na				Npn	400mv @ 20 mA, 200 mA	100 @ 150 mA, 5V	250 MHz
KAR00061A	3.7800	RFQ	49	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv											- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	80
SBAS16DXV6T1G	0,0900	RFQ	107	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv											Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-SBAS16DXV6T1G-600039	Ear99	8541.10.0070	3.410
FDMS5361L-F085	0,5000	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn			MOSFET (Metalloxid)			Power56	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-FDMS5361L-F085-600039			1			N-Kanal		60 v	35a (TC)	4,5 V, 10 V.	15mohm @ 16.5a, 10V	3v @ 250 ähm	44 NC @ 10 V.	± 20 V	1980 PF @ 25 V.	- - -	75W (TC)
2N6517CTA	1.0000	RFQ	3450	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW		To-92-3	- - -						0000.00.0000	1																									400 V	500 mA						50na (ICBO)				Npn	1v @ 5 ma, 50 mA	20 @ 50 Ma, 10 V	200 MHz
KSD560RTSTU	1.0000	RFQ	5438	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				1,5 w		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1																									100 v	5 a						1 µA (ICBO)				NPN - Darlington	1,5 V @ 3ma, 3a	2000 @ 3a, 2v	- - -
1N914BWS	- - -	RFQ	5234	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-90, SOD-323F			Standard			SOD-323F	Herunterladen					Ear99	8541.10.0070	15.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit														75 V		1 V @ 100 mA	4 ns	5 µa @ 75 V	150 ° C (max)	150 Ma	4PF @ 0V, 1MHz
FMG2G300US60E	35.8700	RFQ	5324	Fairchild Semiconductor	- - -	Kasten	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	19 Uhr ha				892 w	Standard	19 Uhr ha	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2	Halbbrücke																							- - -	600 V	300 a		2,7 V @ 15V, 300A				250 µA	NEIN
BZX79C12	0,0300	RFQ	87	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				500 MW		DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	11.539																		1,5 V @ 100 mA		100 na @ 8 v														12 v	25 Ohm
Fqpf13n10	0,6100	RFQ	146	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000			N-Kanal		100 v	8.7a (TC)	10V	180 MOHM @ 4,35A, 10V	4v @ 250 ähm	16 NC @ 10 V	± 25 V	450 PF @ 25 V.	- - -	30W (TC)
FDPF20N50ft	1.0000	RFQ	6889	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal		500 V	20A (TC)	10V	260MOHM @ 10a, 10V	5 V @ 250 ähm	65 NC @ 10 V	± 30 v	3390 PF @ 25 V.	- - -	38,5W (TC)
MBR4035PT	1.4100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3			Schottky			To-3p	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													1 Paar Gemeinsamer Kathode	35 V	40a	700 mV @ 20 a		1 ma @ 35 v	-65 ° C ~ 150 ° C.
KSD1408OTU	1.0000	RFQ	9824	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				25 w		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50																									80 v	4 a						30 µA (ICBO)				Npn	1,5 V @ 300 Ma, 3a	70 @ 500 mA, 5V	8MHz
FQAF28N15	0,8000	RFQ	473	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal		150 v	22a (TC)	10V	90 MOHM @ 11A, 10V	4v @ 250 ähm	52 NC @ 10 V	± 25 V	1600 PF @ 25 V.	- - -	102W (TC)
SI3441DV	- - -	RFQ	2419	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6			MOSFET (Metalloxid)			Supersot ™ -6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	3.000			P-Kanal		20 v	3,5a (TA)	2,5 V, 4,5 V.	80MOHM @ 3,5A, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	10 NC @ 4,5 V.	± 8 v	779 PF @ 10 V.	- - -	800 MW (TA)
FDP8443	1.2300	RFQ	12	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400			N-Kanal		40 v	20A (TA), 80A (TC)	10V	3,5 MOHM @ 80A, 10V	4v @ 250 ähm	185 NC @ 10 V.	± 20 V	9310 PF @ 25 V.	- - -	188W (TC)
KSH45H11TF	1.0000	RFQ	4431	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	KSH45			1,75 w		D-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	2.000																									80 v	8 a						10 µA				PNP	1v @ 400 mA, 8a	40 @ 4a, 1V	40 MHz
Fqu3n40TU	0,5300	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	70			N-Kanal		400 V	2a (TC)	10V	3,4ohm @ 1a, 10V	5 V @ 250 ähm	7,5 NC @ 10 V	± 30 v	230 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 30W (TC)
BC81825MTF	0,0300	RFQ	289	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				310 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000																									25 v	800 mA						100na				Npn	700 mv @ 50 mA, 500 mA	160 @ 100 mA, 1V	100 MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²