SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Ausfluss - rds (on) Strom Abfluss (ID) - Maximal
FQPF9N25CT Fairchild Semiconductor FQPF9N25CT 0,5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 250 V 8.8a (TC) 10V 430mohm @ 4.4a, 10V 4v @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 30 v 710 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
FDS6680S Fairchild Semiconductor FDS6680s 0,5200
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 11,5a (ta) 4,5 V, 10 V. 11mohm @ 11.5a, 10V 3v @ 250 ähm 24 nc @ 5 v ± 20 V 2010 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
FJZ594JBTF Fairchild Semiconductor FJZ594JBTF 0,0200
RFQ
ECAD 687 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-623F 100 MW SOT-623F Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 3.5PF @ 5v 20 v 150 µa @ 5 V 600 mV @ 1 µA 1 Ma
FDS4435A Fairchild Semiconductor FDS4435a 1.2100
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 9a (ta) 4,5 V, 10 V. 17mohm @ 9a, 10V 2v @ 250 ähm 30 NC @ 5 V ± 20 V 2010 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
FDU8878 Fairchild Semiconductor FDU8878 0,3000
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 30 v 11a (ta), 40a (TC) 4,5 V, 10 V. 15mohm @ 35a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 26 NC @ 10 V ± 20 V 880 PF @ 15 V - - - 40W (TC)
FQI32N20CTU Fairchild Semiconductor Fqi32n20ctu 0,9800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 28a (TC) 10V 82mohm @ 14a, 10V 4v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 30 v 2220 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 156W (TC)
1N959B Fairchild Semiconductor 1N959B 3.2100
RFQ
ECAD 122 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 94 50 µa @ 6,2 V 8.2 v 6,5 Ohm
3N258 Fairchild Semiconductor 3n258 0,5200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, kbpm Standard Kbpm Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 30 1,1 V @ 3.14 a 5 µa @ 800 V 2 a Einphase 800 V
FQPF3N80CYDTU Fairchild Semiconductor Fqpf3n80cydtu 0,6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Vollpackung, Geformete-Leads MOSFET (Metalloxid) To-220F-3 (Y-Forming) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 3a (TC) 10V 4,8ohm @ 1,5a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 16,5 NC @ 10 V. ± 30 v 705 PF @ 25 V. - - - 39W (TC)
FQAF16N25C Fairchild Semiconductor FQAF16N25C 0,9200
RFQ
ECAD 360 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 360 N-Kanal 250 V 11.4a (TC) 10V 270 MOHM @ 5.7A, 10V 4v @ 250 ähm 53,5 NC @ 10 V. ± 30 v 1080 PF @ 25 V. - - - 73W (TC)
KBU6A Fairchild Semiconductor KBU6A 1.1100
RFQ
ECAD 287 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBU Standard KBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 287 1 V @ 6 a 10 µa @ 50 V 6 a Einphase 50 v
FDS9412 Fairchild Semiconductor FDS9412 0,2700
RFQ
ECAD 116 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 7.9a (ta) 4,5 V, 10 V. 22mohm @ 7.9a, 10V 2v @ 250 ähm 22 NC @ 10 V. ± 20 V 830 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
KBU8B Fairchild Semiconductor KBU8B 1.0000
RFQ
ECAD 3826 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBU Standard KBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 8 a 10 µa @ 100 V. 8 a Einphase 100 v
FMS7G20US60S Fairchild Semiconductor FMS7G20US60S 17.3100
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 25 Uhr-aa 89 w Einphasenbrückenreichrichter 25 Uhr-aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 30 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 600 V 20 a 2,7 V @ 15V, 20a 250 µA Ja 1.277 NF @ 30 V
1N5395 Fairchild Semiconductor 1N5395 - - -
RFQ
ECAD 4623 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 8.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,4 V @ 1,5 a 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 25pf @ 4v, 1 MHz
JFTJ105 Fairchild Semiconductor Jftj105 - - -
RFQ
ECAD 9816 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1 w SOT-223-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal - - - 25 v 500 mA @ 15 V 4,5 V @ 1 µA 3 Ohm
FQAF19N20 Fairchild Semiconductor FQAF19N20 0,8300
RFQ
ECAD 684 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 360 N-Kanal 200 v 15a (TC) 10V 150 MOHM @ 7,5a, 10V 5 V @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 30 v 1600 PF @ 25 V. - - - 85W (TC)
FQD7N10TM Fairchild Semiconductor FQD7N10TM 0,5100
RFQ
ECAD 176 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 5.8a (TC) 10V 350 MOHM @ 2,9a, 10V 4v @ 250 ähm 7,5 NC @ 10 V ± 25 V 250 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 25 W (TC)
SGP13N60UFTU Fairchild Semiconductor SGP13N60UFTU 0,2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 SGP13N60 Standard 60 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 300 V, 6,5a, 50 Ohm, 15 V. - - - 600 V 13 a 52 a 2,6 V @ 15V, 6,5a 85 µJ (EIN), 95 µJ (AUS) 25 NC 20ns/70ns
FDS6812A Fairchild Semiconductor FDS6812a 1.0000
RFQ
ECAD 3538 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS68 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 1 2 n-kanal (dual) 20V 6.7a 22mohm @ 6.7a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 19NC @ 4,5V 1082pf @ 10v Logikpegel -tor
FMS6G10US60 Fairchild Semiconductor Fms6g10us60 15.4500
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 25 Uhr-aa 66 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER 25 Uhr-aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 30 Drei -Phase -wechselrichter - - - 600 V 10 a 2,7 V @ 15V, 10a 250 µA Ja 710 PF @ 30 V
FDY2001PZ Fairchild Semiconductor FDY2001PZ 0,0600
RFQ
ECAD 161 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 FDY20 MOSFET (Metalloxid) 446 MW SOT-563F Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 150 Ma 8OHM @ 150 mA, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 1,4nc @ 4,5 V 100pf @ 10v Logikpegel -tor
IRFS654B Fairchild Semiconductor IRFS654B 1.0800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 250 V 21a (TJ) 10V 140 MOHM @ 10,5a, 10V 4v @ 250 ähm 123 NC @ 10 V ± 30 v 3400 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
SFI9510TU Fairchild Semiconductor SFI9510TU 0,7300
RFQ
ECAD 950 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 100 v 3.6a (TC) 10V 1,2OHM @ 1,8a, 10V 4v @ 250 ähm 10 nc @ 10 v ± 30 v 335 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 32W (TC)
FDZ197PZ Fairchild Semiconductor FDZ197PZ 0,2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-UFBGA, WLCSP FDZ19 MOSFET (Metalloxid) 6-WLCSP (1,0x1,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 5.000 P-Kanal 20 v 3.8a (TA) 1,5 V, 4,5 V. 64mohm @ 2a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 25 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1570 PF @ 10 V. - - - 1,9W (TA)
1N4751A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4751A-T50A 0,0500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4751 1 w Do-41 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 22,8 V. 30 v 40 Ohm
BZX79C2V7-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C2V7-T50A 0,0200
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX79C2 500 MW Do-35 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 100 mA 75 µa @ 1 V 2,7 v 100 Ohm
1N5263B Fairchild Semiconductor 1N5263B 1.8600
RFQ
ECAD 158 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 0,5% - - - K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5263 500 MW - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 162 900 MV @ 200 Ma 100 na @ 41 V 56 v 150 Ohm
MM5Z20V Fairchild Semiconductor MM5Z20V 1.0000
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 8.000 50 na @ 14 v 20 v 55 Ohm
BZX85C3V3-FS Fairchild Semiconductor BZX85C3V3-FS 0,0300
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 6,06% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 60 µa @ 1 V 3.3 v 20 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus