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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	FET -Typ	Testedingung	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
FYV0203DSMTF	0,0500	RFQ	45	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			Schottky		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0070	3.000	Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit														1 Paar Serie Verbindung	30 v	200 ma	1 V @ 200 Ma		2 µa @ 30 V	150 ° C (max)
Fqpf34n20l	1.1400	RFQ	764	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal			200 v	17,5a (TC)	5v, 10V	75mohm @ 8.75a, 10V	2v @ 250 ähm	72 NC @ 5 V.	± 20 V	3900 PF @ 25 V.	- - -	55W (TC)
FDU6030BL	0,5900	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.800		N-Kanal			30 v	10A (TA), 42A (TC)	4,5 V, 10 V.	16mohm @ 10a, 10V	3v @ 250 ähm	31 NC @ 10 V	± 20 V	1143 PF @ 15 V	- - -	3,8 W (TA), 50 W (TC)
SB330	0,1200	RFQ	7914	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	Do-201aa, Do-27, axial	SB33		Schottky		Do-201	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)															30 v		490 mv @ 3 a		500 µa @ 30 V	-50 ° C ~ 150 ° C.	3a	- - -
FQD4N50TF	0,4100	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.000		N-Kanal			500 V	2.6a (TC)	10V	2,7OHM @ 1,3a, 10V	5 V @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 30 v	460 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 45W (TC)
SS9012GTA	1.0000	RFQ	2362	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads	SS9012			625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	1																									20 v	500 mA								100NA (ICBO)			PNP	600mv @ 50 mA, 500 mA	112 @ 50 Ma, 1V	- - -
Fqpf9n25cydtu	0,6100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Vollpackung, Geformete-Leads			MOSFET (Metalloxid)		To-220F-3 (Y-Forming)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal			250 V	8.8a (TC)	10V	430mohm @ 4.4a, 10V	4v @ 250 ähm	35 NC @ 10 V	± 30 v	710 PF @ 25 V.	- - -	38W (TC)
FDMC0228	0,1500	RFQ	69	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv					FDMC02		- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	3.000													- - -
HUFA75639S3ST-F085A	1.0300	RFQ	766	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal			100 v	56a (TC)		25mohm @ 56a, 10V	4v @ 250 ähm	130 NC @ 20 V	± 20 V	2000 PF @ 25 V.	- - -	200W (TC)
FQP3P20	0,7100	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	422		P-Kanal			200 v	2.8a (TC)	10V	2,7OHM @ 1,4a, 10V	5 V @ 250 ähm	8 NC @ 10 V	± 30 v	250 PF @ 25 V.	- - -	52W (TC)
2SA1707S-an	- - -	RFQ	6191	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	SC-71				1 w	3-nmp	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-2SA1707S-AN-600039			1																									50 v	3 a								1 µA (ICBO)			PNP	700mv @ 100 mA, 2a	140 @ 100 mA, 2V	150 MHz
KSA1406CSTU	- - -	RFQ	1151	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3				1,2 w	To-126-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	1.920																									200 v	100 ma								100NA (ICBO)			PNP	800mv @ 3ma, 30 mA	40 @ 10 ma, 10V	400 MHz
FDD6778A	0,4100	RFQ	128	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal			25 v	12a (ta), 10a (TC)	4,5 V, 10 V.	14mohm @ 10a, 10V	3v @ 250 ähm	17 NC @ 10 V	± 20 V	870 PF @ 13 V	- - -	3.7W (TA), 24W (TC)
KSE13009TU	- - -	RFQ	8878	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	KSE13009				To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1																																		- - -			Npn	3v @ 3a, 12a	8 @ 5a, 5V	4MHz
FDU8778	0,4700	RFQ	17	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	75		N-Kanal			25 v	35a (TC)	4,5 V, 10 V.	14mohm @ 35a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	18 NC @ 10 V.	± 20 V	845 PF @ 13 V	- - -	39W (TC)
FQD60N03LTM	0,6000	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	QFET ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252-3 (dpak)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal			30 v	30a (TC)	5v, 10V	23mohm @ 30a, 10V	3v @ 250 ähm	46 NC @ 10 V	± 16 v	900 PF @ 15 V	- - -	45W (TC)
FGA20S120M	2.0700	RFQ	407	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	FGA20	Standard		348 w	To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1			- - -																					TRABENFELD STOPP	1200 V	40 a	60 a	1,85 V @ 15V, 20a	- - -	208 NC	- - -
HUFA75344S3	1.0400	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal			55 v	75a (TC)	10V	8mohm @ 75a, 10V	4v @ 250 ähm	210 NC @ 20 V	± 20 V	3200 PF @ 25 V.	- - -	285W (TC)
SGH20N120RUFDtu	- - -	RFQ	4216	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	SGH20N	Standard		230 w	To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	9			600 V, 20a, 15ohm, 15 V.																80 ns					- - -	1200 V	32 a	60 a	3v @ 15V, 20a	1,3mj (Ein), 1,3mj (AUS)	140 nc	30ns/70ns
MJ21193g	- - -	RFQ	1831	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	To-204aa, to-3				250 w	To-204aa (to-3)	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-MJ21193G-600039			1																									250 V	16 a								100 µA			PNP	4v @ 3,2a, 16a	25 @ 8a, 5V	4MHz
Fdfme3n311zt	1.0000	RFQ	5747	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-UFDFN exponiert Pad			MOSFET (Metalloxid)		6-umlp (1,6x1,6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	5.000		N-Kanal			30 v	1,8a (ta)		299mohm @ 1,6a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	1,4 NC @ 4,5 V.	± 12 V	75 PF @ 15 V	- - -	600 MW (TA)
TIP102	- - -	RFQ	9912	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	TIP102			2 w	To-220ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1																									100 v	8 a								50 µA			NPN - Darlington	2,5 V @ 80 Ma, 8a	1000 @ 3a, 4V	- - -
DF04S1	- - -	RFQ	8426	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	4-smd, Möwenflügel			Standard		4-sdip	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1																		1,1 V @ 1 a		3 µa @ 400 V		1 a										Einphase	400 V
KSC1674YBU	0,0300	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)	KSC1674			250 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1				- - -																					20V	20 ma											Npn		120 @ 1ma, 6v	600 MHz	3db ~ 5 dB @ 100MHz
FJP3305TU	0,1500	RFQ	6830	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				75 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50																									400 V	4 a								1 µA (ICBO)			Npn	1v @ 1a, 4a	19 @ 1a, 5V	4MHz
Fqpf9n50cf	0,7300	RFQ	135	Fairchild Semiconductor	FRFET®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	413		N-Kanal			500 V	9a (TC)	10V	850 mohm @ 4,5a, 10 V	4v @ 250 ähm	35 NC @ 10 V	± 30 v	1030 PF @ 25 V.	- - -	44W (TC)
SSN1N45BBU	0,1900	RFQ	110	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			MOSFET (Metalloxid)		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	10.000		N-Kanal			450 V	500 Ma (TC)	10V	4.25ohm @ 250 mA, 10V	3,7 V @ 250 ähm	8,5 NC @ 10 V	± 50 V	240 PF @ 25 V.	- - -	900 MW (TA)
BZX55C2v4	1.0000	RFQ	7733	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0050	1.000																		1,3 V @ 100 mA		50 µa @ 1 V															2,4 v	85 Ohm
SGS6N60UFTU	- - -	RFQ	8775	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		Standard		22 w	To-220f	- - -				2156-SGS6N60UFTU			1			300 V, 3a, 80 Ohm, 15 V																					- - -	600 V	6 a	25 a	2,6 V @ 15V, 3a	57 µJ (EIN), 25 µJ (AUS)	15 NC	15ns/60ns
FDB8870-F085	0,9800	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal			30 v	23a (TA), 160a (TC)		3,9 MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	132 NC @ 10 V	± 20 V	5200 PF @ 15 V	- - -	160W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²