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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
FFB2907A Fairchild Semiconductor Ffb2907a 1.0000
RFQ
 ECAD 4248 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FFB2907 300 MW SC-88 (SC-70-6) Herunterladen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 20na (ICBO) 2 PNP (Dual) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 250 MHz
FDS7779Z Fairchild Semiconductor FDS7779Z - - -
RFQ
 ECAD 2035 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 16a (ta) 4,5 V, 10 V. 7,2 MOHM @ 16A, 10V 3v @ 250 ähm 98 NC @ 10 V. ± 25 V 3800 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
BZX55C5V1 Fairchild Semiconductor BZX55C5V1 0,0400
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 1.000 1,3 V @ 100 mA 100 na @ 1 v 5.1 v 35 Ohm
D45H2A Fairchild Semiconductor D45H2A 0,7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 D45H 60 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 30 v 8 a 10 µA (ICBO) PNP 1v @ 400 mA, 8a 100 @ 8a, 5V 25 MHz
FQB2P25TM Fairchild Semiconductor FQB2P25TM - - -
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 P-Kanal 250 V 2.3a (TC) 10V 4OHM @ 1,15a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 8,5 NC @ 10 V ± 30 v 250 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 52W (TC)
FFPF20UP20STU Fairchild Semiconductor FFPF20UP20STU 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 Full Pack Standard To-220f-2l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,15 V @ 20 a 45 ns 100 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 20a - - -
FJC1386PTF Fairchild Semiconductor FJC1386ptf 0,1100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 500 MW SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 4.000 20 v 5 a 500NA (ICBO) PNP 1v @ 100 mA, 4a 80 @ 500 mA, 2V - - -
BC556ABU Fairchild Semiconductor BC556ABU 0,0400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 500 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 8.435 65 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 150 MHz
GF1G Fairchild Semiconductor GF1G - - -
RFQ
 ECAD 4274 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Standard Do-214AC (SMA) Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1 V @ 1 a 2 µs 5 µa @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
TIP32BTU Fairchild Semiconductor TIP32BTU 0,5900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 80 v 3 a 200 µA PNP 1,2 V @ 375 Ma, 3a 10 @ 3a, 4V 3MHz
FDS6676AS Fairchild Semiconductor FDS6676As 0,5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench®, SyncFet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS66 MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 614 N-Kanal 30 v 14,5a (ta) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 14.5a, 10V 3V @ 1ma 63 NC @ 10 V ± 20 V 2510 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
BZX85C5V1-T50A Fairchild Semiconductor BZX85C5V1-T50A 0,0400
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 - - - Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-BZX85C5V1-T50A-600039 1 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 2 V. 5.1 v 10 Ohm
BAR43C Fairchild Semiconductor Bar43c - - -
RFQ
 ECAD 6476 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bar43 Schottky SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 200 ma 800 mV @ 100 mA 5 ns 500 NA @ 25 V. 150 ° C (max)
FJAF4210RTU Fairchild Semiconductor FJAF4210Rtu - - -
RFQ
 ECAD 9687 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-3Pfm, SC-93-3 80 w To-3PF-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 140 v 10 a 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 500 mA, 5a 50 @ 3a, 4V 30 MHz
SS9014BTA Fairchild Semiconductor SS9014BTA 1.0000
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 450 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 50na (ICBO) Npn 300 mV @ 5ma, 100 mA 100 @ 1ma, 5V 270 MHz
FDW262P Fairchild Semiconductor FDW262p 0,5700
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.500 P-Kanal 20 v 4,5a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 47mohm @ 4,5a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 18 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1193 PF @ 10 V - - - 1,3W (TA)
HUF76609D3_NL Fairchild Semiconductor HUF76609D3_NL - - -
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 238 N-Kanal 100 v 10a (TC) 4,5 V, 10 V. 160 Mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 16 NC @ 10 V ± 16 v 425 PF @ 25 V. - - - 49W (TC)
FFB20U60STM Fairchild Semiconductor Ffb20u60stm 0,2700
RFQ
 ECAD 4634 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 5 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2,2 V @ 20 a 90 ns 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 20a - - -
GF1B Fairchild Semiconductor GF1B - - -
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Standard Do-214AC (SMA) Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 1 a 2 µs 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
BC327A Fairchild Semiconductor BC327A 0,0200
RFQ
 ECAD 7273 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.803 45 V 800 mA 100na PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
HUF76413D3 Fairchild Semiconductor HUF76413D3 0,5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 49mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 16 v 645 PF @ 25 V. - - - 60 W (TC)
MMSZ5236B Fairchild Semiconductor MMSZ5236B 0,0200
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 6 V 7,5 v 5 Ohm
FCH76N60NF Fairchild Semiconductor FCH76N60NF 12.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Supremos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 24 N-Kanal 600 V 72,8a (TC) 10V 38mohm @ 38a, 10V 5 V @ 250 ähm 300 NC @ 10 V. ± 30 v 11045 PF @ 100 V - - - 543W (TC)
IRFU220BTU Fairchild Semiconductor IRFU220BTU 0,8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-IRFU220BTU-600039 1
1N749A Fairchild Semiconductor 1N749a 2.0800
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 156 1,5 V @ 200 Ma 2 µa @ 1 V 4.3 v 22 Ohm
FQPF19N20T Fairchild Semiconductor Fqpf19n20t 0,6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Fqpf1 MOSFET (Metalloxid) To-220f - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 100 v 11,8a (TC) 10V 150 MOHM @ 5.9a, 10V 5 V @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 30 v 1600 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
FDD16AN08A0_NL Fairchild Semiconductor Fdd16an08a0_nl - - -
RFQ
 ECAD 7944 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 75 V 9A (TA), 50A (TC) 6 V, 10V 16mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 47 NC @ 10 V ± 20 V 1874 PF @ 25 V. - - - 135W (TC)
KSA1242YTU Fairchild Semiconductor KSA1242Ytu 0,1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa 10 w I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 5.040 20 v 5 a 100 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mA, 4a 160 @ 500 mA, 2V 180 MHz
HUF75343S3S Fairchild Semiconductor HUF75343S3S 1.1200
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 200 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 205 NC @ 20 V ± 20 V 3000 PF @ 25 V. - - - 270W (TC)
FQD2P40TF Fairchild Semiconductor FQD2P40TF 0,4400
RFQ
 ECAD 9757 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 195 P-Kanal 400 V 1,56a (TC) 10V 6,5 Ohm @ 780 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 30 v 350 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 38W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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