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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Strom - Hold (ih) (max)	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Triactyp	Spannung - Staat	Strom - Auf Status (It (RMS)) (max)	Spannung - Gate Trigger (VGT) (max)	Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM)	Strom - Gate Trigger (IGT) (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Spannung Gekoppelt MIT Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	Spannung Gekoppelt ein Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds
NDM3000	1.6000	RFQ	16	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe)	NDM300		MOSFET (Metalloxid)	1.4W	16-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500	3 n und 3 p-kanal (3-Phasen-Brückke)					30V	3a		90 Mohm @ 3a, 10V	3v @ 250 ähm	25nc @ 10v		360PF @ 10V	Logikpegel -tor
FDS9400A	0,5200	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	622			P-Kanal			30 v	3.4a (TA)	4,5 V, 10 V.	130Mohm @ 1a, 10V	3v @ 250 ähm	3,5 NC @ 5 V.	± 25 V	205 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
Mmbd1703a	1.0000	RFQ	1287	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			Standard		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0070	3.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit																				1 Paar Serie Verbindung	30 v	50 ma	1,1 V @ 50 Ma	1 ns	50 na @ 20 v	150 ° C (max)
FDC6320c	0,2200	RFQ	275	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6	FDC6320		MOSFET (Metalloxid)	700 MW	Supersot ™ -6	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N und p-kanal					25 v	220 mA, 120 mA		4OHM @ 400 mA, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	0,4nc @ 4,5 V		9.5PF @ 10V	Logikpegel -tor
NSBA144EDXV6T1G	0,0900	RFQ	36	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv					NSBA144					Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-NSBA144EDXV6T1G-600039	Ear99	8541.21.0095	3.761
RFP4N05L	0,5300	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen		Verkäfer undefiniert	Verkäfer undefiniert	2156-RFP4N05L-600039			1
KSR1102MTF	0,0700	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	KSR1102			200 MW	SOT-23	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	4,438																																50 v	100 ma								100NA (ICBO)			Npn	300 mV @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5ma, 5v	250 MHz
KBU6J	0,7100	RFQ	5162	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, KBU			Standard		KBU	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0080	84																									1 V @ 6 a		10 µa @ 50 V		6 a										Einphase	600 V
RGF1B	0,1300	RFQ	20	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	Do-214AC, SMA			Standard		Do-214AC (SMA)	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	2.392		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																					100 v		1,3 V @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 V.	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	8.5PF @ 4V, 1 MHz
KSA812GMTF	0,0600	RFQ	56	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				150 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	3.000																																50 v	100 ma								100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 10 mA, 100 mA	200 @ 1ma, 6v	180 MHz
FDD6530a	1.0000	RFQ	9011	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal			20 v	21a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	32mohm @ 8a, 4,5 V.	1,2 V @ 250 ähm	9 NC @ 4,5 V.	± 8 v	710 PF @ 10 V.	- - -	3.3W (TA), 33W (TC)
MMBD2838	- - -	RFQ	6233	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			Standard		SOT-23-3	Herunterladen					Ear99	8541.10.0070	1		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit																				1 Paar Gemeinsamer Kathode	75 V	200 ma	1,2 V @ 100 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
HUF75645S3ST_NL	4.1700	RFQ	342	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D²pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal			100 v	75a (TC)	10V	14mohm @ 75a, 10V	4v @ 250 ähm	238 NC @ 20 V	± 20 V	3790 PF @ 25 V.		310W (TC)
SGW13N60UFDTM	1.7100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		- - -	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	SGW13	Standard		60 w	D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800					300 V, 6,5a, 50 Ohm, 15 V.																					55 ns					- - -	600 V	13 a	52 a	2,6 V @ 15V, 6,5a	85 µJ (EIN), 95 µJ (AUS)	25 NC	20ns/70ns
Fjy3011r	0,0200	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			Oberflächenhalterung	SC-89, SOT-490	FJY301			200 MW	SOT-523F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	3.000																																40 v	100 ma								100NA (ICBO)			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 1ma, 10 mA	100 @ 1ma, 5V	250 MHz	22 Kohms
KSD1589Ytu	- - -	RFQ	7680	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				1,5 w	To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	970																																100 v	5 a								1 µA (ICBO)			NPN - Darlington	1,5 V @ 3ma, 3a	5000 @ 3a, 2v	- - -
2N5771	1.0000	RFQ	2770	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				350 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	1																																15 v	200 ma								10na			PNP	600mv @ 5ma, 50 mA	50 @ 10ma, 300mV	- - -
FQD7N10TM	0,5100	RFQ	176	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal			100 v	5.8a (TC)	10V	350 MOHM @ 2,9a, 10V	4v @ 250 ähm	7,5 NC @ 10 V	± 25 V	250 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 25 W (TC)
MMSZ4693T1	0,0400	RFQ	4529	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOD-123				500 MW	SOD-123	Herunterladen	Rohs Nick Konform				Ear99	8541.10.0050	3.000																									900 mv @ 10 mA		10 µa @ 5,7 V															7,5 v
EFC4C002NLTDG	- - -	RFQ	5939	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-XFBGA, WLCSP	EFC4C002		MOSFET (Metalloxid)	2.6W	8-WLCSP (6x2,5)	Herunterladen						0000.00.0000	1	2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss					- - -	- - -		- - -	2,2 V @ 1ma	45nc @ 4,5V		6200PF @ 15V	Logikpegel -tor
BZX84C11	0,0200	RFQ	48	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung		Bzx84					Herunterladen		Verkäfer undefiniert	Verkäfer undefiniert	2156-BZX84C11-600039			1																											100 na @ 8 v															11 v	20 Ohm
MMBT2907AK	1.0000	RFQ	1193	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	- - -	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	3.000																																60 v	600 mA								10NA (ICBO)			PNP	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	200 MHz
RFP14N05L	0,4000	RFQ	19	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400			N-Kanal			50 v	14a (TC)	5v	100mohm @ 14a, 5V	2v @ 250 ähm	40 nc @ 10 v	± 10 V	670 PF @ 25 V.	- - -	48W (TC)
FDP7042L	0,6600	RFQ	33	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal			30 v	50a (ta)	4,5 V, 10 V.	7.5Mohm @ 25a, 10V	2v @ 250 mA	51 NC @ 4,5 V.	± 12 V	2418 PF @ 15 V	- - -	83W (TA)
ISL9N322AS3ST	1.0300	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		To-263ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	800			N-Kanal			30 v	35a (TC)	4,5 V, 10 V.	22mohm @ 35a, 10V	3v @ 250 ähm	27 NC @ 10 V	± 20 V	970 PF @ 15 V	- - -	50W (TA)
FQP8N60C	1.2200	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	247			N-Kanal				7.5a (TC)	10V	1,2OHM @ 3,75A, 10 V.	4v @ 250 ähm	36	± 30 v	1255	- - -	147W (TC)																																		10	25
FKN1N60SA	0,1500	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		- - -	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)					To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.30.0080	1.000	Einzel			15 Ma												Logik - Sensitive Gate	600 V	1 a	2 v	9a, 10a	5 Ma
Fqi4n20	- - -	RFQ	4903	Fairchild Semiconductor	QFET ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	950			N-Kanal			200 v	3.6a (TC)	10V	1,4OHM @ 1,8a, 10V	5 V @ 250 ähm	6,5 NC @ 10 V.	± 30 v	220 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 45W (TC)
Fjy4012r	1.0000	RFQ	7665	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			Oberflächenhalterung	SC-89, SOT-490	Fjy401			200 MW	SOT-523F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	3.000																																40 v	100 ma								100NA (ICBO)			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 1ma, 10 mA	100 @ 1ma, 5V	200 MHz	47 Kohms
FDC654p	0,1700	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6			MOSFET (Metalloxid)		Supersot ™ -6	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	1.789			P-Kanal			30 v	3.6a (TA)	4,5 V, 10 V.	75mohm @ 3,6a, 10V	3v @ 250 ähm	9 NC @ 10 V.	± 20 V	298 PF @ 15 V	- - -	1.6W (TA)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²