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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
RFP50N06_NL Fairchild Semiconductor RFP50N06_NL - - -
RFQ
 ECAD 3974 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 50a (TC) 10V 22mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 150 NC @ 20 V ± 20 V 2020 PF @ 25 V - - - 131W (TC)
FDD5N53TM Fairchild Semiconductor FDD5N53TM 0,4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 530 v 4a (TC) 10V 1,5OHM @ 2a, 10V 5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 640 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
FDS9435A Fairchild Semiconductor FDS9435a - - -
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 30 v 5.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 50mohm @ 5.3a, 10V 3v @ 250 ähm 14 NC @ 10 V ± 25 V 528 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
DFB2020 Fairchild Semiconductor DFB2020 1.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, TS-6P Standard TS-6P Herunterladen Ear99 8541.10.0080 240 1,1 V @ 20 a 10 µA @ 200 V. 20 a Einphase 200 v
FDD6688 Fairchild Semiconductor FDD6688 1.1100
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 30 v 84a (ta) 4,5 V, 10 V. 5mohm @ 18a, 10V 3v @ 250 ähm 56 NC @ 10 V ± 20 V 3845 PF @ 15 V - - - 83W (TA)
ISL9V2040D3ST Fairchild Semiconductor ISL9V2040D3ST 0,9700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8542.39.0001 309
FCH76N60NF Fairchild Semiconductor FCH76N60NF 12.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Supremos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 24 N-Kanal 600 V 72,8a (TC) 10V 38mohm @ 38a, 10V 5 V @ 250 ähm 300 NC @ 10 V. ± 30 v 11045 PF @ 100 V - - - 543W (TC)
FCPF2250N80Z Fairchild Semiconductor FCPF2250N80Z 1.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 216 N-Kanal 800 V 2.6a (TC) 10V 2,25OHM @ 1,3a, 10 V. 4,5 V @ 260 ähm 14 NC @ 10 V ± 20 V 585 PF @ 100 V - - - 21.9W (TC)
GBPC25005W Fairchild Semiconductor GBPC25005W 2.7900
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC25005 Standard Gbpc-w Herunterladen Ear99 8541.10.0080 117 1,1 V @ 7,5 a 5 µa @ 50 V 25 a Einphase 50 v
GBPC1202W Fairchild Semiconductor GBPC1202W 3.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w Standard Gbpc-w Herunterladen Ear99 8541.10.0080 90 1,1 V @ 6 a 5 µa @ 200 V. 12 a Einphase 200 v
FDN352AP Fairchild Semiconductor FDN352AP 1.0000
RFQ
 ECAD 6950 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FDN352 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0095 1 P-Kanal 30 v 1,3a (ta) 4,5 V, 10 V. 180 MOHM @ 1,3A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 1,9 NC @ 4,5 V. ± 25 V 150 PF @ 15 V - - - 500 MW (TA)
1N5245B Fairchild Semiconductor 1n5245b 0,0300
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW Do-35 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 11.539 100 na @ 11 v 15 v 16 Ohm
FDMS86152 Fairchild Semiconductor FDMS86152 2.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 114 N-Kanal 100 v 14A (TA), 45A (TC) 6 V, 10V 6mohm @ 14a, 10V 4v @ 250 ähm 50 nc @ 10 v ± 20 V 3370 PF @ 50 V - - - 2,7W (TA), 125W (TC)
GBPC1210 Fairchild Semiconductor GBPC1210 1.0000
RFQ
 ECAD 8187 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, GBPC Standard GBPC Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 1,1 V @ 6 a 5 µa @ 1 V 12 a Einphase 1 kv
FDH047AN08A0 Fairchild Semiconductor FDH047AN08A0 1.0000
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 75 V 15a (TC) 6 V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 4v @ 250 ähm 138 NC @ 10 V ± 20 V 6600 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
DF01M Fairchild Semiconductor Df01m 0,2600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) Standard DFM Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1,151 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 100 V. 1 a Einphase 100 v
DF005S1 Fairchild Semiconductor DF005S1 0,2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Standard 4-sdip Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 1,1 V @ 1 a 3 µa @ 50 V 1 a Einphase 50 v
FQPF19N20T Fairchild Semiconductor Fqpf19n20t 0,6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Fqpf1 MOSFET (Metalloxid) To-220f - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 100 v 11,8a (TC) 10V 150 MOHM @ 5.9a, 10V 5 V @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 30 v 1600 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
FDZ197PZ Fairchild Semiconductor FDZ197PZ 0,2300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-UFBGA, WLCSP FDZ19 MOSFET (Metalloxid) 6-WLCSP (1,0x1,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 5.000 P-Kanal 20 v 3.8a (TA) 1,5 V, 4,5 V. 64mohm @ 2a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 25 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1570 PF @ 10 V. - - - 1,9W (TA)
D45H2A Fairchild Semiconductor D45H2A 0,7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 D45H 60 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 30 v 8 a 10 µA (ICBO) PNP 1v @ 400 mA, 8a 100 @ 8a, 5V 25 MHz
MMBFJ177 Fairchild Semiconductor MMBFJ177 - - -
RFQ
 ECAD 7221 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBFJ1 225 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 P-Kanal - - - 30 v 1,5 mA @ 15 V 800 mv @ 10 na 300 Ohm
1N4751A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4751A-T50A 0,0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4751 1 w Do-41 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 22,8 V. 30 v 40 Ohm
SS24 Fairchild Semiconductor SS24 0,0900
RFQ
 ECAD 5399 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SS24 Schottky Do-214AA (SMB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 11 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 2a - - -
IRF614BFP001 Fairchild Semiconductor IRF614BFP001 1.0000
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 250 V 2.8a (TC) 2OHM @ 1,4a, 10V 4v @ 250 ähm 10.5 NC @ 10 V ± 30 v 275 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
BZX85C18 Fairchild Semiconductor BZX85C18 0,0300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 12,5 V. 18 v 20 Ohm
HUF75945P3 Fairchild Semiconductor HUF75945p3 1.0000
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 38a (TC) 10V 71Mohm @ 38a, 10V 4v @ 250 ähm 280 NC @ 20 V ± 20 V 4023 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
FDMA8051L Fairchild Semiconductor FDMA8051L - - -
RFQ
 ECAD 8873 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad MOSFET (Metalloxid) 6-microfet (2x2) - - - 0000.00.0000 1 N-Kanal 40 v 10a (TC) 4,5 V, 10 V. 14mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 20 V 1260 PF @ 20 V - - - 2.4W (TA)
KSC3265OMTF Fairchild Semiconductor KSC3265OMTF 0,0400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 25 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 400 mv @ 20 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 120 MHz
FDS2070N7 Fairchild Semiconductor FDS2070N7 2.0100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 150 v 4.1a (ta) 6 V, 10V 78mohm @ 4.1a, 10V 4v @ 250 ähm 53 NC @ 10 V ± 20 V 1884 PF @ 75 V. - - - 3W (TA)
FQP19N20C Fairchild Semiconductor FQP19N20C 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 200 v 19A (TC) 10V 170MOHM @ 9.5A, 10V 4v @ 250 ähm 53 NC @ 10 V ± 30 v 1080 PF @ 25 V. - - - 139W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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