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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Typ	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Testedingung	Gewinnen	Aktuell	Stromspannung	Spannung - Isolation	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
Fjn3309rta	0,0200	RFQ	156	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads		Fjn330			300 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																											40 v	100 ma						100NA (ICBO)					NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 1ma, 10 mA	100 @ 1ma, 5V	250 MHz	4.7 Kohms
FDP7030BL	0,6900	RFQ	72	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	436			N-Kanal						30 v	60a (ta)	4,5 V, 10 V.	9mohm @ 30a, 10V	3v @ 250 ähm	24 nc @ 5 v	± 20 V	1760 PF @ 15 V	- - -	60 W (TC)
1N4752ATR	0,0300	RFQ	9158	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial					1 w		DO-204AL (DO-41)	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	8,208																						5 µA @ 25,1 V.														33 v	45 Ohm
FMC7G15US60	- - -	RFQ	4427	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul					45 w	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	- - -	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	4	Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse																									- - -	600 V	15 a		2,8 V @ 15V, 15a				250 µA	NEIN			948 PF @ 30 V
HUFA76432S3ST	0,5100	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800			N-Kanal						60 v	59a (TC)	4,5 V, 10 V.	17mohm @ 59a, 10V	3v @ 250 ähm	53 NC @ 10 V	± 16 v	1765 PF @ 25 V.	- - -	130W (TC)
SB3100	0,2600	RFQ	26	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	Do-201aa, Do-27, axial		SB31		Schottky			Do-201	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																	100 v	780 mv @ 3 a		600 µa @ 100 V.	-50 ° C ~ 150 ° C.	3a	- - -
FDY100PZ	- - -	RFQ	9774	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-89, SOT-490				MOSFET (Metalloxid)			SOT-523F	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			P-Kanal						20 v	350 Ma (TA)	1,8 V, 4,5 V.	1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	1,4 NC @ 4,5 V.	± 8 v	100 PF @ 10 V	- - -	625 MW (TA)
SS8550BTA	0,0200	RFQ	3697	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads					1 w		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	2.000																											25 v	1,5 a						100NA (ICBO)					PNP	500mv @ 80 mA, 800 mA	85 @ 100 mA, 1V	200 MHz
FMG1G300US60HE	73.7500	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul					892 w	Standard	- - -	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Einzel																									- - -	600 V	300 a		2,7 V @ 15V, 300A				250 µA	NEIN
KSC5402DTTU-FS	1.0000	RFQ	4033	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3					50 w		To-220-3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1																											450 V	2 a						100 µA					Npn	750 MV @ 200ma, 1a	6 @ 1a, 1V	11 MHz
HUFA75852G3-F085	3.1200	RFQ	166	Fairchild Semiconductor	Automobil, AEC-Q101, Ultrafet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Hufa75		MOSFET (Metalloxid)			To-247-3	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal						150 v	75a (TC)	10V	16mohm @ 75a, 10V	4v @ 250 ähm	480 NC @ 20 V	± 20 V	7690 PF @ 25 V.	- - -	500W (TC)
FGA30S120p	- - -	RFQ	8010	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		FGA30S120	Standard		348 w		To-3pn	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1				- - -																						TRABENFELD STOPP	1300 v	60 a	150 a	2,3 V @ 15V, 30a	- - -	78 NC	- - -
PN2222ANLBU	1.0000	RFQ	3032	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)					625 MW		To-92-3	- - -	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	10.000																											40 v	1 a						10NA (ICBO)					Npn	1v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	300 MHz
FGA20S125P	- - -	RFQ	3102	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		FGA20S125	Standard		250 w		To-3pn	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	450				- - -																						TRABENFELD STOPP	1250 V	40 a	60 a	2,5 V @ 15V, 20a	- - -	129 NC	- - -
SS8050CTA	0,1200	RFQ	42	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads					1 w		To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.29.0075	2.567																											25 v	1,5 a						100NA (ICBO)					Npn	500mv @ 80 mA, 800 mA	120 @ 100 mA, 1V	100 MHz
FGB20N6S2	0,6000	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			Standard		125 w		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50				390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V																						- - -	600 V	28 a	40 a	2,7 V @ 15V, 7a	25 µJ (EIN), 58 µJ (AUS)	30 NC	7.7ns/87ns
BZX84C13	0,0200	RFQ	178	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3		BZX84C13			300 MW		SOT-23	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																				900 mv @ 10 mA		100 na @ 8 v														13 v	30 Ohm
Fqi7n10ltu	0,3200	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa				MOSFET (Metalloxid)			I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal						100 v	7.3a (TC)	5v, 10V	350MOHM @ 3.65A, 10V	2v @ 250 ähm	6 NC @ 5 V.	± 20 V	290 PF @ 25 V.	- - -	3,75W (TA), 40W (TC)
BAV21	0,0200	RFQ	339	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		BAV21		Standard			Do-35	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	10.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																	250 V	1,25 V @ 200 Ma	50 ns	100 Na @ 200 V.	-50 ° C ~ 200 ° C.	250 Ma	5PF @ 0V, 1MHz
Mm5z36v	1.0000	RFQ	9820	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-79, SOD-523F		MM5Z3			200 MW		SOD-523F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	8.000																						50 NA @ 25.2 V.														36 v	90 Ohm
2SJ646-tl-e	0,2100	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv												Herunterladen		Verkäfer undefiniert	Verkäfer undefiniert	2156-2SJ646-TL-E-600039			1
KSC5030FRTU	0,9000	RFQ	7247	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		- - -	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack					60 w		To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	300																											800 V	6 a						10 µA (ICBO)					Npn	2v @ 600 mA, 3a	10 @ 600 mA, 5V	- - -
FSBM20SM60A	20.6100	RFQ	122	Fairchild Semiconductor	SPM®	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	32-Powerdip-Modul (1,370 ", 34,80 mm)	IGBT							Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	48	3 Phase					20 a	600 V	2500 VRMs
MPS5179	- - -	RFQ	9849	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		- - -	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads					200 MW		To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	774					- - -																						12V	50 ma											Npn		25 @ 3ma, 1V	2GHz		- - -
FDP8880	0,5200	RFQ	62	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	573			N-Kanal						30 v	11A (TA), 54a (TC)	4,5 V, 10 V.	11,6 MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	29 NC @ 10 V	± 20 V	1240 PF @ 15 V	- - -	55W (TC)
Fga90n30dtu	2.5200	RFQ	70	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3			Standard		219 w		To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	30				- - -																	21 ns					- - -	300 V	90 a	220 a	1,4 V @ 15V, 20a	- - -	87 NC	- - -
FDD6780	0,2500	RFQ	12	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal						25 v	16,5a (TA), 30a (TC)	4,5 V, 10 V.	8.5Mohm @ 16.5a, 10V	3v @ 250 ähm	29 NC @ 10 V	± 20 V	1590 PF @ 13 V.	- - -	3,7W (TA), 32,6W (TC)
FDS6685	1.3900	RFQ	19	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)				MOSFET (Metalloxid)			8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500			P-Kanal						30 v	8.8a (ta)	4,5 V, 10 V.	20mohm @ 8.8a, 10V	3v @ 250 ähm	24 nc @ 5 v	± 25 V	1604 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
KSC1730YBU	0,0200	RFQ	584	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)					250 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	1.000					- - -																						15 v	50 ma											Npn		120 @ 5ma, 10 V.	1,1 GHz		- - -
FDD8882	0,5100	RFQ	11	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	588			N-Kanal						30 v	12,6a (TA), 55A (TC)	4,5 V, 10 V.	11,5 MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	33 NC @ 10 V.	± 20 V	1260 PF @ 15 V	- - -	55W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²