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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
BCX70K	- - -	RFQ	9201	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				225 MW	SOT-23-3	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BCX70K-600039			1																									45 V	200 ma								20na			Npn	550 MV @ 1,25 mA, 50 mA	380 @ 2MA, 5V	125 MHz
1N4754a	0,0300	RFQ	102	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 20 ° C.	K. Loch	Axial				1 w	Axial	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	9.779																				5 µA @ 29.7 V.															39 v	60 Ohm
BZX79C39	0,0200	RFQ	31	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	15.000																		1,5 V @ 100 mA		50 na @ 27.3 v															39 v	130 Ohm
IRLR120ATF	0,6100	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.000			N-Kanal		100 v	8.4a (TC)	5v	220mohm @ 4.2a, 5V	2v @ 250 ähm	15 NC @ 5 V	± 20 V	440 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 35 W (TC)
BZX85C12	0,0300	RFQ	21	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial				1 w	DO-204AL (DO-41)	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	10,230																		1,2 V @ 200 Ma		500 NA @ 8.4 V.															12 v	9 Ohm
FGP20N6S2D	- - -	RFQ	2535	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		Standard		125 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400				390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V															31 ns					- - -	600 V	28 a	40 a	2,7 V @ 15V, 7a	25 µJ (EIN), 58 µJ (AUS)	30 NC	7.7ns/87ns
Bas70SV	0,0700	RFQ	197	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666	Bas70		Schottky		SOT-563F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit													2 Unabhängig	70 V	70 Ma	1 V @ 15 mA	8 ns	2,5 µa @ 70 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MMSZ5250B	- - -	RFQ	7912	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5%	- - -	Oberflächenhalterung	SOD-123	MMSZ52			500 MW	SOD-123	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	1																		900 mv @ 10 mA		100 na @ 15 V															20 v	17 Ohm
1N4938	2.9200	RFQ	57	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			Standard		DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0070	112		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)														200 v		1 V @ 100 mA	50 ns	100 na @ 75 V	175 ° C (max)	500 mA	5PF @ 0V, 1MHz
Fdj127p	0,5100	RFQ	43	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-75-6 FLMP			MOSFET (Metalloxid)		SC75-6 FLMP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	3.000			P-Kanal		20 v	4.1a (ta)	1,8 V, 4,5 V.	60MOHM @ 4.1a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	10 NC @ 4,5 V.	± 8 v	780 PF @ 10 V.	- - -	1.6W (TA)
FCH041N65EF	8.3400	RFQ	110	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv					FCH041		- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1													- - -
MMBZ5234B	- - -	RFQ	9072	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	MMBZ52			300 MW	SOT-23	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																		900 mv @ 10 mA		5 µa @ 4 V															6.2 v	7 Ohm
KSP55TA	- - -	RFQ	9254	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1																									60 v	500 mA								100na			PNP	250mv @ 10 mA, 100 mA	50 @ 100 mA, 1V	50 MHz
FDS4435a	1.2100	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500			P-Kanal		30 v	9a (ta)	4,5 V, 10 V.	17mohm @ 9a, 10V	2v @ 250 ähm	30 NC @ 5 V	± 20 V	2010 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
BZX84C20	0,0200	RFQ	5579	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Bzx84			300 MW	SOT23-3 (to-236)	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	1																				50 na @ 14 v															20 v	55 Ohm
FQP2N50	0,4400	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000			N-Kanal		500 V	2.1a (TC)	10V	5.3OHM @ 1.05a, 10V	5 V @ 250 ähm	8 NC @ 10 V	± 30 v	230 PF @ 25 V.	- - -	55W (TC)
FDH5500	1.5600	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			MOSFET (Metalloxid)		To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	300			N-Kanal		55 v	75a (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10V	4v @ 250 ähm	268 NC @ 20 V	± 30 v	3565 PF @ 25 V.	- - -	375W (TC)
MPSA14D26Z	- - -	RFQ	9603	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	2.000																									30 v	1.2 a								100NA (ICBO)			NPN - Darlington	1,5 V @ 100 µA, 100 mA	20000 @ 100ma, 5V	125 MHz
BAT43XV2	0,0300	RFQ	2524	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-79, SOD-523			Schottky		SOD-523F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1.830		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit														30 v		1 V @ 200 Ma	5 ns	500 NA @ 25 V.	125 ° C.	200 ma	7PF @ 1V, 1MHz
IRFI630BTU	0,2300	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal		200 v	9a (TC)	10V	400 MOHM @ 4,5A, 10V	4v @ 250 ähm	29 NC @ 10 V	± 30 v	720 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 72W (TC)
FQAF9P25	1.1300	RFQ	590	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	360			P-Kanal		250 V	7.1a (TC)	10V	620mohm @ 3,55a, 10V	5 V @ 250 ähm	38 nc @ 10 v	± 30 v	1180 PF @ 25 V.	- - -	70W (TC)
SI6426DQ	0,1900	RFQ	23	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-tssop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal		20 v	5.4a (TA)	2,5 V, 4,5 V.	35mohm @ 5,4a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	10 NC @ 4,5 V.	± 8 v	710 PF @ 10 V.	- - -	1.1W (TA)
NDH8521C	0,7700	RFQ	39	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm Breit)	NDH8521		MOSFET (Metalloxid)	800 MW (TA)	Supersot ™ -8	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.21.0095	3.000	N und p-kanal				30V	3,8a (TA), 2,7a (TA)		33MOHM @ 3,8a, 10 V, 70 MOHM @ 2,7a, 10 V.	2v @ 250 ähm	25nc @ 10v, 27nc @ 10v		500pf @ 15V, 560pf @ 15V	- - -
IRFS634B	0,1800	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal		250 V	8.1a (TJ)	10V	450MOHM @ 4.05A, 10V	4v @ 250 ähm	38 nc @ 10 v	± 30 v	1000 PF @ 25 V.	- - -	38W (TC)
FGPF4533	0,7800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-220-3 Full Pack	FGPF4	Standard		28,4 w	To-220f	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1				- - -																				Graben	330 V		200 a	1,8 V @ 15V, 50a	- - -	44 NC	- - -
BC80840MTF	1.0000	RFQ	9964	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BC808			310 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000																									25 v	800 mA								100na			PNP	700 mv @ 50 mA, 500 mA	250 @ 100 mA, 1V	100 MHz
BC636	- - -	RFQ	8586	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				1 w	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																									45 V	1 a								100NA (ICBO)			PNP	500 mv @ 50 mA, 500 mA	40 @ 150 mA, 2V	100 MHz
FQPF2N60C	0,6000	RFQ	37	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	501			N-Kanal		600 V	2a (TC)	10V	4.7ohm @ 1a, 10V	4v @ 250 ähm	12 NC @ 10 V	± 30 v	235 PF @ 25 V.	- - -	23W (TC)
KBU8D	- - -	RFQ	4108	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, KBU			Standard		KBU	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0080	200																		1 V @ 8 a		10 µA @ 200 V.		8 a										Einphase	200 v
FDB8445	- - -	RFQ	5935	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-FDB8445	Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal		40 v	70a (TC)	10V	9mohm @ 70a, 10V	4v @ 250 ähm	62 NC @ 10 V	± 20 V	3805 PF @ 25 V.	- - -	92W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²