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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Strom - reverse -lockage @ vr	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
RFD20N03SM9AR4770	0,8500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv					RFD20		- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	1												- - -
HUFA76633S3S	- - -	RFQ	6617	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	383		N-Kanal		100 v	39a (TC)	4,5 V, 10 V.	35mohm @ 39a, 10V	3v @ 250 ähm	67 NC @ 10 V	± 16 v	1820 PF @ 25 V.	- - -	145W (TC)
BC556CBU	- - -	RFQ	6600	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				500 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	11.478																		65 V	100 ma								15NA (ICBO)			PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	150 MHz
BZX85C12T50A	0,0200	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial				1 w	DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0050	15.000														1,2 V @ 200 Ma	500 NA @ 8.4 V.													12 v	9 Ohm
DF10S	0,2000	RFQ	8376	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	4-smd, Möwenflügel			Standard		Df-s	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1														1,1 V @ 1 a	10 µa @ 1 V	1 a									Einphase	1 kv
BC856CMTF	- - -	RFQ	7356	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BC856			310 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000																		65 V	100 ma								15NA (ICBO)			PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	150 MHz
SFR9214TM	0,2400	RFQ	412	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252-3 (dpak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal		250 V	1,53a (TC)	10V	4OHM @ 770 mA, 10V	4v @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	295 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 19W (TC)
NDS355an-F169	- - -	RFQ	4005	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156S355an-F169-600039			1		N-Kanal		30 v	1.7a (ta)	4,5 V, 10 V.	85mohm @ 1,9a, 10V	2v @ 250 ähm	5 NC @ 5 V.	± 20 V	195 PF @ 15 V	- - -	500 MW (TA)
FDWS9420-F085	0,8100	RFQ	6697	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	FDWS9		MOSFET (Metalloxid)	75W	8-PQFN (5x6)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	312	2 n-kanal (dual)			40V	20A (TC)		5.8mohm @ 20a, 10V	4v @ 250 ähm	43nc @ 10v		2100pf @ 20V	- - -
FDB6670AL	1.0000	RFQ	91	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		30 v	80A (TA)	4,5 V, 10 V.	6,5 MOHM @ 40A, 10V	3v @ 250 ähm	33 NC @ 5 V.	± 20 V	2440 PF @ 15 V	- - -	68W (TC)
MM3Z62VC	0,0300	RFQ	69	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-90, SOD-323F				200 MW	SOD-323F	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 10 mA	45 na @ 43.4 v													62 v	202 Ohm
BC327	0,0600	RFQ	3746	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				1,5 w	To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	5.000																		45 V	800 mA								100na			PNP	700 mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 100 mA, 1V	260 MHz
KSA812GMTF	0,0600	RFQ	56	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				150 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	3.000																		50 v	100 ma								100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 10 mA, 100 mA	200 @ 1ma, 6v	180 MHz
FQB10N20CTM	- - -	RFQ	1549	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		200 v	9,5a (TC)	10V	360MOHM @ 4.75a, 10V	4v @ 250 ähm	26 NC @ 10 V	± 30 v	510 PF @ 25 V.	- - -	72W (TC)
FDB7042L	0,6000	RFQ	119	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		To-263ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		30 v	50a (ta)	4,5 V, 10 V.	7.5Mohm @ 25a, 10V	2v @ 250 mA	51 NC @ 4,5 V.	± 12 V	2418 PF @ 15 V	- - -	83W (TA)
BC640	0,0600	RFQ	29	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	5.000																		80 v	500 mA								100NA (ICBO)			PNP	500 mv @ 50 mA, 500 mA	40 @ 150 mA, 2V	150 MHz
HUF75631SK8T_NB82083	0,7100	RFQ	651	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		100 v	5.5a (TA)	10V	39mohm @ 5.5a, 10V	4v @ 250 ähm	79 NC @ 20 V	± 20 V	1225 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA)
HUF76413D3	0,5000	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		60 v	20A (TC)	4,5 V, 10 V.	49mohm @ 20a, 10V	3v @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 16 v	645 PF @ 25 V.	- - -	60 W (TC)
HUF76639S3S	- - -	RFQ	3617	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	188		N-Kanal		100 v	51a (TC)	4,5 V, 10 V.	26mohm @ 51a, 10V	3v @ 250 ähm	86 NC @ 10 V	± 16 v	2400 PF @ 25 V.	- - -	180W (TC)
HUFA76429D3S	0,6000	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.800		N-Kanal		60 v	20A (TC)	4,5 V, 10 V.	23mohm @ 20a, 10V	3v @ 250 ähm	46 NC @ 10 V	± 16 v	1480 PF @ 25 V.	- - -	110W (TC)
FGH30N6S2	0,9500	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		167 w	To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	150			390 V, 12a, 10ohm, 15 V.														- - -	600 V	45 a	108 a	2,5 V @ 15V, 12a	55 µJ (EIN), 100 µJ (AUS)	23 NC	6ns/40ns
Fqpf9n50t	0,9600	RFQ	11	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		500 V	5.3a (TC)	10V	730MOHM @ 2,65A, 10V	5 V @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 30 v	1450 PF @ 25 V.	- - -	50W (TC)
FQNL2N50BBU	- - -	RFQ	4931	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen)			MOSFET (Metalloxid)		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	6.000		N-Kanal		500 V	350 Ma (TC)	10V	5.3OHM @ 175 mA, 10V	3,7 V @ 250 ähm	8 NC @ 10 V	± 30 v	230 PF @ 25 V.	- - -	1,5 W (TC)
FQPF9N25CT	0,5700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		250 V	8.8a (TC)	10V	430mohm @ 4.4a, 10V	4v @ 250 ähm	35 NC @ 10 V	± 30 v	710 PF @ 25 V.	- - -	38W (TC)
KBU6J	0,7100	RFQ	5162	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, KBU			Standard		KBU	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0080	84														1 V @ 6 a	10 µa @ 50 V	6 a									Einphase	600 V
FQD6N50CTF	0,6000	RFQ	750	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.000		N-Kanal		500 V	4,5a (TC)	10V	1,2OHM @ 2,25A, 10V	4v @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 30 v	700 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 61W (TC)
3n258	0,5200	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-sip, kbpm			Standard		Kbpm	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0080	30														1,1 V @ 3.14 a	5 µa @ 800 V	2 a									Einphase	800 V
FJPF6806DTU	- - -	RFQ	7696	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				40 w	To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50																		750 V	6 a								1ma			Npn	5v @ 1a, 4a	4 @ 4a, 5v	- - -
RFP50N06_NL	- - -	RFQ	3974	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		60 v	50a (TC)	10V	22mohm @ 50a, 10V	4v @ 250 ähm	150 NC @ 20 V	± 20 V	2020 PF @ 25 V	- - -	131W (TC)
FDD5N53TM	0,4000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		530 v	4a (TC)	10V	1,5OHM @ 2a, 10V	5 V @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 30 v	640 PF @ 25 V.	- - -	40W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²