SIC
close

Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
BAV103-G Fairchild Semiconductor BAV103-G 0,0400
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 2.500
BD240BTU Fairchild Semiconductor BD240BTU 1.0000
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 30 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 80 v 2 a 300 µA PNP 700mv @ 200 Ma, 1a 15 @ 1a, 4V - - -
BZX79C16 Fairchild Semiconductor BZX79C16 0,0200
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 100 mA 50 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
MMBT2907A-D87Z Fairchild Semiconductor MMBT2907A-D87Z - - -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Nicht Anwendbar Ear99 8541.21.0075 10.000 60 v 800 mA 20na (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 200 MHz
1N964B Fairchild Semiconductor 1N964B 2.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 149 5 µa @ 9,9 V 13 v 13 Ohm
BZX79C36-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C36-T50A 0,0200
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 100 mA 50 NA @ 25.2 V. 36 v 90 Ohm
FDN358P Fairchild Semiconductor Fdn358p - - -
RFQ
 ECAD 6844 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FDN358 MOSFET (Metalloxid) Supersot-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 30 v 1,5a (ta) 4,5 V, 10 V. 125mohm @ 1,5a, 10 V 3v @ 250 ähm 5.6 NC @ 10 V ± 20 V 182 PF @ 15 V - - - 500 MW (TA)
GBU8G Fairchild Semiconductor Gbu8g - - -
RFQ
 ECAD 2664 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-ESIP, GBU Standard GBU Herunterladen Ear99 8541.10.0080 146 1 V @ 8 a 5 µa @ 400 V 5.6 a Einphase 400 V
FPAB30PH60 Fairchild Semiconductor FPAB30PH60 14.6200
RFQ
 ECAD 275 0.00000000 Fairchild Semiconductor SPM® Rohr Veraltet K. Loch 27-Powerdip-Modul (1,205 ", 30.60 mm) IGBT Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 10 2 Phase 20 a 600 V 2500 VRMs
JFTJ105 Fairchild Semiconductor Jftj105 - - -
RFQ
 ECAD 9816 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1 w SOT-223-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal - - - 25 v 500 mA @ 15 V 4,5 V @ 1 µA 3 Ohm
FDMC8010A Fairchild Semiconductor FDMC8010A 1.1100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv FDMC8010 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 3.000 - - -
HUFA75329S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75329S3ST 0,4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 49a (TC) 10V 24MOHM @ 49A, 10V 4v @ 250 ähm 75 NC @ 20 V ± 20 V 1060 PF @ 25 V. - - - 128W (TC)
FLZ39VA Fairchild Semiconductor FLZ39VA 0,0200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 Ma 133 na @ 30 v 35,6 v 72 Ohm
MMBT5401 Fairchild Semiconductor MMBT5401 - - -
RFQ
 ECAD 5571 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT23-3 (to-236) - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-MMBT5401-600039 1 150 v 600 mA 50na (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50 mA 60 @ 10ma, 5V 300 MHz
MMSZ5229B Fairchild Semiconductor MMSZ5229B - - -
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 4.3 v 23 Ohm
FDS6689S Fairchild Semiconductor FDS6689s 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 16a (ta) 4,5 V, 10 V. 5.4mohm @ 16a, 10V 3V @ 1ma 78 NC @ 10 V ± 20 V 3290 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
FDS4410A Fairchild Semiconductor FDS4410a 1.0000
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS44 MOSFET (Metalloxid) 8-soic - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 10a (ta) 13,5 MOHM @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 16 NC @ 5 V 1205 PF @ 15 V - - - - - -
FDMA0104 Fairchild Semiconductor FDMA0104 0,3100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad FDMA01 MOSFET (Metalloxid) 6-microfet (2x2) - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 3.000 N-Kanal 20 v 9,4a (TA) 14,5 MOHM @ 9,4a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 17,5 NC @ 4,5 V. 1680 PF @ 10 V. - - - 1,9W (TA)
1N4734A Fairchild Semiconductor 1N4734a 0,0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Ear99 8541.10.0050 9.779 10 µa @ 2 V 5.6 v 5 Ohm
GBPC15005 Fairchild Semiconductor GBPC15005 2.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, GBPC Standard GBPC Herunterladen Ear99 8541.10.0080 121 1,1 V @ 7,5 a 5 µa @ 50 V 15 a Einphase 50 v
ISL9N302AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N302AS3ST 2.0700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,3 MOHM @ 75A, 10V 3v @ 250 ähm 300 NC @ 10 V. ± 20 V 11000 PF @ 15 V - - - 345W (TC)
FLZ24VC Fairchild Semiconductor FLZ24VC 0,0200
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 9.784 1,2 V @ 200 Ma 133 NA @ 19 V. 23,8 v 29 Ohm
FJNS4202RTA Fairchild Semiconductor FJNS4202RTA 0,0200
RFQ
 ECAD 477 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper Fjns42 300 MW To-92s Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
BC33716BU Fairchild Semiconductor BC33716BU 0,0400
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 7.474 45 V 800 mA 100na Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
1N5224B Fairchild Semiconductor 1n5224b 2.4100
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5224 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 125 900 MV @ 200 Ma 50 µa @ 1 V 2,8 v 30 Ohm
FJN3310RTA Fairchild Semiconductor Fjn3310rta 0,0200
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads Fjn331 300 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 10 Kohms
HUFA76639P3 Fairchild Semiconductor HUFA76639P3 0,6600
RFQ
 ECAD 973 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 100 v 51a (TC) 4,5 V, 10 V. 26mohm @ 51a, 10V 3v @ 250 ähm 86 NC @ 10 V ± 16 v 2400 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
FFAF10U120DNTU Fairchild Semiconductor FFAF10U120DNTU 1.4800
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch TO-3P-3 Full Pack Standard To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 10a 3,5 V @ 10 a 100 ns 10 µa @ 1200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BZX84C27 Fairchild Semiconductor BZX84C27 0,0200
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 250 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 18,9 v 27 v 80 Ohm
HUF76139S3ST Fairchild Semiconductor HUF76139S3ST 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 7,5 MOHM @ 75A, 10V 3v @ 250 ähm 78 NC @ 10 V ± 20 V 2700 PF @ 25 V. - - - 165W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen