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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
HGT1S12N60C3DS Fairchild Semiconductor HGT1S12N60C3DS 2.1000
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard 104 w To-263ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - 32 ns - - - 600 V 24 a 96 a 2,2 V @ 15V, 15a - - - 71 NC - - -
BZX79C18-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C18-T50A 0,0300
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Ear99 8541.10.0050 11.539 1,5 V @ 100 mA 50 NA @ 12,6 V. 18 v 45 Ohm
2N4403RP Fairchild Semiconductor 2N4403RP 0,0200
RFQ
 ECAD 349 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 2N4403 625 MW To-92 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 1 40 v 600 mA 100na PNP 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 60 @ 1ma, 10V 200 MHz
FFPF60SB60DSTU Fairchild Semiconductor FFPF60SB60DSTU 0,3400
RFQ
 ECAD 946 0.00000000 Fairchild Semiconductor Stealth ™ Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack Standard To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 946 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 600 V 4a 2,6 V @ 4 a 25 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C.
RURD4120S9A Fairchild Semiconductor Rurd4120s9a 0,5700
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 ECAD 5574 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Standard To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 20 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 2.1 V @ 4 a 90 ns 100 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 4a - - -
FVP18030IM3LSG1 Fairchild Semiconductor FVP18030IM3LSG1 19.0600
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 ECAD 305 0.00000000 Fairchild Semiconductor SPM® Tablett Veraltet K. Loch 19-Powerdip-Modul (1,205 ", 30.60 mm) IGBT Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 40 Halbbrücke 180 a 300 V 1500 VRMs
FCH077N65F-F085 Fairchild Semiconductor FCH077N65F-F085 6.1300
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 ECAD 148 0.00000000 Fairchild Semiconductor Automotive, AEC-Q101, Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 49 N-Kanal 650 V 54a (TC) 10V 77mohm @ 27a, 10V 5 V @ 250 ähm 164 NC @ 10 V. ± 20 V 7162 PF @ 25 V. - - - 481W (TC)
FSB50450UD Fairchild Semiconductor FSB50450UD 6.0600
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 ECAD 489 0.00000000 Fairchild Semiconductor Bewegung SPM® 5 Schüttgut Aktiv K. Loch 23-Powerdip-Modul (0,551 ", 14,00 mm) Mosfet FSB50450 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen Ear99 8542.39.0001 1 3 Phase 1,5 a 500 V 1500 VRMs
FDS8962C Fairchild Semiconductor FDS8962C 1.0000
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 ECAD 8273 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS89 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.500 N und p-kanal 30V 7a, 5a 30mohm @ 7a, 10V 3v @ 250 ähm 26nc @ 10v 575PF @ 15V Logikpegel -tor
SS8050DTA Fairchild Semiconductor SS8050DTA 0,0600
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 1 w To-92-3 Herunterladen 0000.00.0000 5,124 25 v 1,5 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 80 mA, 800 mA 160 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FCI7N60 Fairchild Semiconductor Fci7n60 - - -
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 7a (TC) 10V 600 MOHM @ 3,5A, 10 V. 5 V @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 30 v 920 PF @ 25 V. - - - 83W (TC)
KSC2690YSTU Fairchild Semiconductor KSC2690YSTU 0,1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 1,2 w To-126-3 Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-kSC2690YSTU-600039 1.750 120 v 1.2 a 1 µA (ICBO) Npn 700mv @ 200 Ma, 1a 160 @ 300 mA, 5V 155 MHz
1N5243B Fairchild Semiconductor 1n5243b 0,0300
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW Do-35 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 11.539 900 MV @ 200 Ma 500 NA @ 9.9 V. 13 v 13 Ohm
FGH20N6S2D Fairchild Semiconductor FGH20N6S2D 0,7600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 125 w To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 150 390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V 31 ns - - - 600 V 28 a 40 a 2,7 V @ 15V, 7a 25 µJ (EIN), 58 µJ (AUS) 30 NC 7.7ns/87ns
BD237STU Fairchild Semiconductor BD237stu - - -
RFQ
 ECAD 7331 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 25 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 80 v 2 a 100 µA (ICBO) Npn 600mv @ 100 mA, 1a 40 @ 150 mA, 2V 3MHz
FGPF4565 Fairchild Semiconductor FGPF4565 1.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Standard 30 w To-220f-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 400 V, 30a, 5ohm, 15 V. TRABENFELD STOPP 650 V 170 a 1,88 V @ 15V, 30a - - - 40.3 NC 11,2ns/40,8ns
FCH25N60N Fairchild Semiconductor FCH25N60N 3.7500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Fairchild Semiconductor Supremos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 80 N-Kanal 600 V 25a (TC) 10V 126mohm @ 12.5a, 10V 4v @ 250 ähm 74 NC @ 10 V ± 30 v 3352 PF @ 100 V - - - 216W (TC)
FDS6679Z Fairchild Semiconductor FDS6679Z - - -
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 13a (ta) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 13a, 10V 3v @ 250 ähm 94 NC @ 10 V +20V, -25 V. 3803 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
FGA40T65SHDF Fairchild Semiconductor FGA40T65SHDF 1.0000
RFQ
 ECAD 8593 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Standard 268 w To-3pn Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 400 V, 40a, 6OHM, 15 V. 101 ns TRABENFELD STOPP 650 V 80 a 120 a 1,81v @ 15V, 40a 1,22 MJ (EIN), 440 µJ (AUS) 68 NC 18ns/64ns
MMBF4392 Fairchild Semiconductor MMBF4392 - - -
RFQ
 ECAD 1075 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 N-Kanal 14pf @ 20V 30 v 25 mA @ 20 V 2 V @ 1 na 60 Ohm
FDMS3606AS Fairchild Semiconductor FDMS3606As 1.0900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn FDMS3606 MOSFET (Metalloxid) 1W 8-PQFN (5x6) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 30V 13a, 27a 8mohm @ 13a, 10V 2,7 V @ 250 ähm 29nc @ 10v 1695PF @ 15V Logikpegel -tor
UF4006 Fairchild Semiconductor UF4006 0,0800
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial UF400 Standard Do-41 Herunterladen Ear99 8541.10.0080 3.643 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 V -50 ° C ~ 175 ° C. 1a - - -
1N6008B Fairchild Semiconductor 1N6008B 1.8400
RFQ
 ECAD 546 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 163 1,2 V @ 200 Ma 100 na @ 17 v 22 v 55 Ohm
FDS6572A Fairchild Semiconductor FDS6572A 1.7300
RFQ
 ECAD 373 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 20 v 16a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 6mohm @ 16a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 80 NC @ 4,5 V. ± 12 V 5914 PF @ 10 V - - - 2,5 W (TA)
PN2222TFR Fairchild Semiconductor PN2222TFR - - -
RFQ
 ECAD 6552 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 10.000 30 v 600 mA 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
NDB7052L Fairchild Semiconductor NDB7052L 0,7600
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 50 v 75a (TC) 5v, 10V 7,5 MOHM @ 37,5a, 10V 2v @ 250 ähm 130 nc @ 5 v ± 16 v 4030 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
FGA20S125P Fairchild Semiconductor FGA20S125P - - -
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 FGA20S125 Standard 250 w To-3pn Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 450 - - - TRABENFELD STOPP 1250 V 40 a 60 a 2,5 V @ 15V, 20a - - - 129 NC - - -
FDB0170N607L Fairchild Semiconductor FDB0170N607L - - -
RFQ
 ECAD 3824 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) MOSFET (Metalloxid) To-263-7 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 60 v 300A (TC) 10V 1,4 MOHM @ 39A, 10V 4v @ 250 ähm 243 NC @ 10 V ± 20 V 19250 PF @ 30 V - - - 3,8 W (TA), 250 W (TC)
BC32725 Fairchild Semiconductor BC32725 0,0600
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 800 mA 100na PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 100 MHz
NDS9956A Fairchild Semiconductor NDS9956a - - -
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 900 MW (TA) 8-soic - - - 2156-NDS9956a 1 2 N-Kanal 30V 3.7a (ta) 80MOHM @ 2,2a, 10V 2,8 V @ 250 ähm 27nc @ 10v 320pf @ 10v Standard
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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