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Diskette HalblerProdukte (5255)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Typ	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Testedingung	Aktuell	Stromspannung	Spannung - Isolation	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
KSD986YSTSSTU	1.0000	RFQ	3733	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3					1 w		To-126-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.880																												80 v	1,5 a								10 µA (ICBO)				NPN - Darlington	1,5 V @ 1ma, 1a	8000 @ 1a, 2v	- - -
FDFMA3P029Z	0,2500	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-WDFN Exponierte Pad				MOSFET (Metalloxid)			6-mlp (2x2)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			P-Kanal					30 v	3.3a (ta)		87mohm @ 3.3a, 10V	3v @ 250 ähm	10 nc @ 10 v		435 PF @ 15 V	Schottky Diode (Isolier)	1.4W (TA)
KSH29CTF	- - -	RFQ	2532	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		KSH29			1,56 w		D-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	2.000																												100 v	1 a								50 µA				Npn	700 MV @ 125 Ma, 1a	15 @ 1a, 4V	3MHz
ZTX614	- - -	RFQ	3011	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)					1 w		To-226	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	378																												100 v	800 mA								100NA (ICBO)				NPN - Darlington	1,25 V @ 8ma, 800 mA	10000 @ 500 mA, 5V	- - -
BZX84C12	- - -	RFQ	6397	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5,42%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3					250 MW		SOT-23-3	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BZX84C12-600039			1																					900 mv @ 10 mA		100 na @ 8 v																12 v	10 Ohm
FDG329N	0,1700	RFQ	383	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363				MOSFET (Metalloxid)			SC-88 (SC-70-6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	3.000			N-Kanal					20 v	1,5a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	90 MOHM @ 1,5A, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	4,6 NC @ 4,5 V.	± 12 V	324 PF @ 10 V.	- - -	420 MW (TA)
1N756a	1.9200	RFQ	141	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial					500 MW		DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0050	156																					1,5 V @ 200 Ma		100 na @ 1 v																8.2 v	8 Ohm
KSC1008COBU	0,0200	RFQ	1626	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)					800 MW		To-92-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	3.786																												60 v	700 Ma								100NA (ICBO)				Npn	400 mv @ 50 mA, 500 mA	70 @ 50 Ma, 2V	50 MHz
FGPF7N60RUFDTU	0,5100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			Standard		41 w		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50				300 V, 7a, 30ohm, 15 V.																		65 ns					- - -	600 V	14 a	21 a	2,8 V @ 15V, 7a	230 µJ (EIN), 100 µJ (AUS)	24 NC	60ns/60ns
FCH077N65F-F155	6.0400	RFQ	66	Fairchild Semiconductor	FRFET®, Superfet® II	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3				MOSFET (Metalloxid)			To-247-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	66			N-Kanal					650 V	54a (TC)	10V	77mohm @ 27a, 10V	5v @ 5.4 mA	164 NC @ 10 V.	± 20 V	7109 PF @ 100 V	- - -	481W (TC)
FDC638p	- - -	RFQ	5721	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6				MOSFET (Metalloxid)			Supersot ™ -6	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			P-Kanal					20 v	4,5a (TA)	2,5 V, 4,5 V.	48mohm @ 4,5a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	14 NC @ 4,5 V.	± 8 v	1160 PF @ 10 V.	- - -	1.6W (TA)
FFP04S60stu	0,4200	RFQ	8003	Fairchild Semiconductor	Stealth ™	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-2				Standard			To-220ac	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																	600 V		2,6 V @ 4 a	25 ns	100 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	4a	- - -
FQPF32N12V2	1.4400	RFQ	83	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000			N-Kanal					120 v	32a (TC)	10V	50mohm @ 16a, 10V	4v @ 250 ähm	53 NC @ 10 V	± 30 v	1860 PF @ 25 V.	- - -	50W (TC)
FDS4935a	- - -	RFQ	1025	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		FDS49		MOSFET (Metalloxid)	900 MW		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 p-kanal (dual)							30V	7a		23mohm @ 7a, 10V	3v @ 250 ähm	21nc @ 5v		1233pf @ 15V	Logikpegel -tor
FFAF40U60DNTU	1.2500	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	TO-3P-3 Full Pack				Standard			To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0080	360		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																1 Paar Gemeinsamer Kathode	600 V	40a	2.1 V @ 40 a	110 ns	20 µa @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
Fje5304dtu	- - -	RFQ	1613	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		- - -	K. Loch	To-225aa, to-126-3					30 w		To-126-3	Herunterladen						0000.00.0000	1																												400 V	4 a								100 µA				Npn	1,5 V @ 500 Ma, 2,5a	8 @ 2a, 5V	- - -
FDP46N30	- - -	RFQ	6188	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv												Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-FDP46N30-600039		0000.00.0000	1
BC557B	0,0500	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads					625 MW		To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	5,770																												45 V	100 ma								100na				PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	180 @ 2MA, 5V	320 MHz
HUF75631S3ST	2.1100	RFQ	321	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal					100 v	33a (TC)	10V	40mohm @ 33a, 10V	4v @ 250 ähm	79 NC @ 20 V	± 20 V	1220 PF @ 25 V.	- - -	120W (TC)
BC548CTA	0,0400	RFQ	22	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads					500 MW		To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	8,266																												30 v	100 ma								15NA (ICBO)				Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	300 MHz
FDS2170N3	2.0700	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)				MOSFET (Metalloxid)			8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal					200 v	3a (ta)	10V	128mohm @ 3a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 20 V	1292 PF @ 100 V	- - -	3W (TA)
FDMS0346	0,1800	RFQ	108	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn				MOSFET (Metalloxid)			Power56	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal					25 v	17a (ta), 28a (TC)	4,5 V, 10 V.	5.8mohm @ 17a, 10V	3v @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 20 V	1625 PF @ 13 V.	- - -	2,5 W (TA), 33W (TC)
FDP16AN08A0	0,9100	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	357			N-Kanal					75 V	9A (TA), 58a (TC)	6 V, 10V	16mohm @ 58a, 10V	4v @ 250 ähm	42 NC @ 10 V.	± 20 V	1857 PF @ 25 V.	- - -	135W (TC)
Fyp2006dntu	0,7300	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-220-3		FYP2006		Schottky			To-220-3	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	412		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																1 Paar Gemeinsamer Kathode	60 v	20a	710 mv @ 20 a		1 ma @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C.
GBPC15005W	2.6200	RFQ	500	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4 Quadratmeter, gbpc-w		GBPC15005		Standard			Gbpc-w	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	125																					1,1 V @ 7,5 a		5 µa @ 50 V		15 a										Einphase	50 v
Fmb857b	0,2400	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6					700 MW		Supersot ™ -6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	3.000																												45 V	500 mA								15NA (ICBO)				PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	220 @ 2MA, 5V	- - -
FMG1G150US60L	51.0200	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul					595 w	Standard	- - -	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Einzel																										- - -	600 V	150 a		2,7 V @ 15V, 150a						250 µA	NEIN
1N4305	10.8400	RFQ	112	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				Standard			DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0070	30		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																	75 V		850 mv @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	175 ° C (max)	300 ma	2PF @ 0V, 1MHz
FSB50260SF	4.4800	RFQ	540	Fairchild Semiconductor	Motion SPM® 5 Superfet®	Rohr	Veraltet			K. Loch	23-Powerdip-Modul (0,551 ", 14,00 mm)	Mosfet							Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8542.39.0001	270	3 Phase				1.7 a	600 V	1500 VRMs
EGP30f	0,2600	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	Do-201ad, axial				Standard			Do-201ad	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1.156		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																	300 V		1,25 V @ 3 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	3a	75PF @ 4V, 1 MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5255)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²