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Diskette HalblerProdukte (5255)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Strom - Spitzenausgang FET -Typ Testedingung Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Breakover Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Strom - Breakover
BC337A Fairchild Semiconductor BC337A 0,0600
RFQ
 ECAD 4993 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 373 45 V 800 mA 100na Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FDA20N50 Fairchild Semiconductor FDA20N50 3.1900
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Rohr Veraltet K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3pn Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 22a (TC) 230mohm @ 11a, 10V 5 V @ 250 ähm 59,5 NC @ 10 V. 3120 PF @ 25 V. - - -
1N5990B Fairchild Semiconductor 1n5990b 1.8400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 163 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 1 V 3,9 v 90 Ohm
1N4749A Fairchild Semiconductor 1N4749a 0,0300
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 9.779 1,2 V @ 200 Ma 5 µA @ 18,2 V. 24 v 25 Ohm
FQP9N90C Fairchild Semiconductor FQP9N90C 2.1200
RFQ
 ECAD 364 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 142 N-Kanal 900 V 8a (TC) 10V 1,4ohm @ 4a, 10V 5 V @ 250 ähm 58 NC @ 10 V ± 30 v 2730 PF @ 25 V. - - - 205W (TC)
HUF75637P3 Fairchild Semiconductor HUF75637P3 0,5200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 100 v 44a (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4v @ 250 ähm 108 NC @ 20 V ± 20 V 1700 PF @ 25 V. - - - 155W (TC)
SFS9640 Fairchild Semiconductor SFS9640 0,5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 200 v 6.2a (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10 V. 4v @ 250 ähm 59 NC @ 10 V ± 30 v 1585 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
FDS2070N3 Fairchild Semiconductor FDS2070N3 1.9800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 150 v 4.1a (ta) 6 V, 10V 78mohm @ 4.1a, 10V 4v @ 250 ähm 53 NC @ 10 V ± 20 V 1884 PF @ 75 V. - - - 3W (TA)
FDC5661N Fairchild Semiconductor FDC5661N - - -
RFQ
 ECAD 2482 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) TSOT-23-6 Herunterladen Ear99 8542.29.0095 1 N-Kanal 60 v 4.3a (TA) 4,5 V, 10 V. 47mohm @ 4.3a, 10V 3v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 763 PF @ 25 V. - - - 1.6W (TA)
MPS8098 Fairchild Semiconductor MPS8098 0,0400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 5.000 60 v 500 mA 100na Npn 400mv @ 5 mA, 100 mA 100 @ 1ma, 5V 150 MHz
FGH40N65UFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU-F085 - - -
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 Fairchild Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 290 w To-247 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. 65 ns Feldstopp 650 V 80 a 120 a 2,4 V @ 15V, 40a 1,28 MJ (EIN), 500 µJ (AUS) 119 NC 23ns/126ns
FQA11N90 Fairchild Semiconductor Fqa11n90 - - -
RFQ
 ECAD 9792 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 900 V 11.4a (TC) 10V 960MOHM @ 5.7A, 10V 5 V @ 250 ähm 94 NC @ 10 V ± 30 v 3500 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
RURP1560-F085 Fairchild Semiconductor RURP1560-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 1525 0.00000000 Fairchild Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 RURP1560 Standard To-220-2 Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,5 V @ 15 a 70 ns 100 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a - - -
FGA6065ADF Fairchild Semiconductor FGA6065ADF - - -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Standard 306 w To-3pn Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 400 V, 60A, 6OHM, 15 V. 110 ns TRABENFELD STOPP 650 V 120 a 180 a 2,3 V @ 15V, 60a 2,46MJ (EIN), 520 µJ (AUS) 84 NC 25,6ns/71ns
SSR1N60BTM-WS Fairchild Semiconductor SSR1N60BTM-WS 0,1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 900 Ma (TC) 10V 12ohm @ 450 mA, 10V 4v @ 250 ähm 7,7 NC @ 10 V ± 30 v 215 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 28 W (TC)
KSP2907ATF Fairchild Semiconductor KSP2907ATF 0,0500
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 6,138 60 v 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 200 MHz
HUF76423D3 Fairchild Semiconductor HUF76423D3 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 60 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 32mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 16 v 1060 PF @ 25 V. - - - 85W (TC)
SSP2N60B Fairchild Semiconductor SSP2N60B 0,1700
RFQ
 ECAD 372 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 2a (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10V 4v @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 30 v 490 PF @ 25 V. - - - 54W (TC)
RGP10D Fairchild Semiconductor RGP10D 0,0600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard DO-204AL (DO-41) Herunterladen Ear99 8541.10.0080 4,915 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
FQNL1N50BBU Fairchild Semiconductor FQNL1N50BBU - - -
RFQ
 ECAD 7014 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 270 Ma (TC) 10V 9ohm @ 135 mA, 10V 3,7 V @ 250 ähm 5,5 NC @ 10 V. ± 30 v 150 PF @ 25 V. - - - 1,5 W (TC)
FSBS15CH60 Fairchild Semiconductor FSBS15CH60 14.7800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Fairchild Semiconductor Bewegung SPM® 3 Schüttgut Aktiv K. Loch 27-Powerdip-Modul (1,205 ", 30.60 mm) IGBT Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen Ear99 8542.39.0001 21 3 Phase Wechselrichter 15 a 600 V 2500 VRMs
FCPF380N60-F152 Fairchild Semiconductor FCPF380N60-F152 0,9600
RFQ
 ECAD 476 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack FCPF380 MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 600 V 10.2a (TC) 10V 380Mohm @ 5a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 20 V 1665 PF @ 25 V. - - - 31W (TC)
MMBZ5223B Fairchild Semiconductor MMBZ5223B 0,0200
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23 Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-mmbz5223b-600039 1 900 mv @ 10 mA 75 µa @ 1 V 2,7 v 30 Ohm
FQPF630 Fairchild Semiconductor Fqpf630 0,6500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 464 N-Kanal 200 v 6.3a (TC) 10V 400mohm @ 3.15a, 10 V. 4v @ 250 ähm 25 NC @ 10 V ± 25 V 550 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
BC848BMTF Fairchild Semiconductor BC848BMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 271 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 300 MHz
DB3TG Fairchild Semiconductor Db3tg 0,0600
RFQ
 ECAD 6252 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Do-204AH, Do-35, axial Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.30.0080 3.371 2 a 30 ~ 34 V 15 µA
BC32716TA Fairchild Semiconductor BC32716ta 0,0300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 800 mA 100na PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FQA27N25 Fairchild Semiconductor FQA27N25 1.5900
RFQ
 ECAD 712 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3pn Herunterladen Ear99 8542.39.0001 189 N-Kanal 250 V 27a (TC) 10V 110MOHM @ 13.5A, 10V 5 V @ 250 ähm 65 NC @ 10 V ± 30 v 2450 PF @ 25 V. - - - 210W (TC)
FGY75N60SMD Fairchild Semiconductor FGY75N60SMD - - -
RFQ
 ECAD 5735 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Standard 750 w Powerto-247-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 400 V, 75A, 3OHM, 15 V. 55 ns Feldstopp 600 V 150 a 225 a 2,5 V @ 15V, 75a 2,3 MJ (EIN), 770 µJ (AUS) 248 NC 24ns/136ns
FJAF4210OTU Fairchild Semiconductor FJAF4210OTU 1.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack 80 w To-3Pf Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 140 v 10 a 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 500 mA, 5a 70 @ 3a, 4V 30 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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