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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Typ	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	Strom - Spitzenausgang	FET -Typ	Aktuell	Stromspannung	Spannung - Isolation	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Breakover	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Strom - Breakover
HUF76107P3	0,4300	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1				N-Kanal				30 v	20A (TC)	4,5 V, 10 V.	52mohm @ 20a, 10V	3v @ 250 ähm	10.3 NC @ 10 V	± 16 v	315 PF @ 25 V.	- - -	45W (TC)
MPS8098	0,0400	RFQ	11	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	5.000																										60 v	500 mA	100na			Npn	400mv @ 5 mA, 100 mA	100 @ 1ma, 5V	150 MHz
1N5237BTR	0,0200	RFQ	69	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	1																				1,2 V @ 200 Ma		3 µA @ 6,5 V.							8.2 v	8 Ohm
Fdd8880_nl	0,4400	RFQ	777	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	777				N-Kanal				30 v	13a (ta), 58a (TC)	4,5 V, 10 V.	9mohm @ 35a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	31 NC @ 10 V	± 20 V	1260 PF @ 15 V	- - -	55W (TC)
KST2907A-MTF	0,0200	RFQ	355	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3		KST2907		350 MW	SOT-23-3	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																										60 v	600 mA	10NA (ICBO)			PNP	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	200 MHz
FDMS3624S	- - -	RFQ	6729	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn		FDMS3624	MOSFET (Metalloxid)	2,2 W (TA), 2,5W (TA)	8-PQFN (5x6)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch							25 v	17,5a (TA), 30a (TC), 30A (TA), 60A (TC)		1,8 MOHM @ 30A, 10V, 5MOHM @ 17,5A, 10V	2V @ 250 ähm 2,2 V @ 1ma	26nc @ 10v, 59nc @ 10v		1570PF @ 13V, 4045PF @ 13V	- - -
1N5282	1.0000	RFQ	3457	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			Standard		DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen					Ear99	8541.10.0070	1		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit																	80 v	900 mv @ 100 mA	4 ns	100 na @ 55 V	175 ° C (max)	200 ma	2.5PF @ 0V, 1 MHz
FBA42060	- - -	RFQ	3591	Fairchild Semiconductor	PFC SPM® 45	Schüttgut	Veraltet			K. Loch	26-Powerdip-Modul (1.024 ", 26,00 mm)	IGBT					- - -				2156-FBA42060			1	1 Phase				20 a	600 V	2000VRMs
FQP16N25C-F105	- - -	RFQ	4519	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv										- - -						0000.00.0000	250
FQB6N90TM	1.0000	RFQ	1315	Fairchild Semiconductor	QFET ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1				N-Kanal				900 V	5.8a (TC)	10V	1,9OHM @ 2,9a, 10V	5 V @ 250 ähm	52 NC @ 10 V	± 30 v	1880 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 167W (TC)
Rurd660	- - -	RFQ	4302	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-251-2, ipak			Standard		To-251-2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0080	1.800		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																	600 V	1,5 V @ 6 a	60 ns	100 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	6a	- - -
HUF76437S3S	0,5300	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50				N-Kanal				60 v	71a (TC)	4,5 V, 10 V.	14mohm @ 71a, 10V	3v @ 250 ähm	71 NC @ 10 V	± 16 v	2230 PF @ 25 V.	- - -	155W (TC)
FSBF3CH60B	10.6700	RFQ	108	Fairchild Semiconductor	Motion-SPM®	Rohr	Veraltet			K. Loch	27-Powerdip-Modul (1,205 ", 30.60 mm)	IGBT					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8542.39.0001	10	3 Phase				3 a	600 V	2500 VRMs
FDMS8660As	0,9500	RFQ	134	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	3.000				N-Kanal				30 v	28a (TA), 49a (TC)	4,5 V, 10 V.	2,1 MOHM @ 28a, 10V	3V @ 1ma	83 NC @ 10 V	± 20 V	5865 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA), 104W (TC)
TIP30C	0,1700	RFQ	4759	Fairchild Semiconductor	TIP30C	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				2 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1																										100 v	1 a	300 µA			PNP	700 MV @ 125 Ma, 1a	40 @ 200 Ma, 4V	3MHz
FGH40N60SFTU	2.4800	RFQ	13	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	122
FSBM10SH60A	18.7300	RFQ	171	Fairchild Semiconductor	SPM®	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	32-Powerdip-Modul (1,370 ", 34,80 mm)	IGBT					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	48	3 Phase				10 a	600 V	2500 VRMs
1N4732a	0,0300	RFQ	101	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	9.779
Fci11n60	1.2100	RFQ	64	Fairchild Semiconductor	Superfet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50				N-Kanal				600 V	11a (TC)	10V	380MOHM @ 5.5A, 10V	5 V @ 250 ähm	52 NC @ 10 V	± 30 v	1490 PF @ 25 V.	- - -	125W (TC)
BC850C	- - -	RFQ	9989	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				250 MW	SOT-23-3 (to-236)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	3.000																										45 V	100 ma	15NA (ICBO)			Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	300 MHz
TIP31a	- - -	RFQ	4435	Fairchild Semiconductor	TIP31a	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				2 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1																										60 v	3 a	300 µA			Npn	1,2 V @ 375 Ma, 3a	25 @ 1a, 4V	3MHz
Db3tg	0,0600	RFQ	6252	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		Do-204AH, Do-35, axial					Do-35	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.30.0080	3.371			2 a															30 ~ 34 V																	15 µA
SFH9140	0,6600	RFQ	2935	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Metalloxid)		To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	388				P-Kanal				100 v	19A (TC)	10V	200mohm @ 9.5a, 10V	4v @ 250 ähm	54 NC @ 10 V	± 20 V	1535 PF @ 25 V.	- - -	166W (TC)
BZX85C5V1	0,0300	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 6%	- - -	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial		BZX85C5		1,3 w	DO-41G	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1																				1,2 V @ 200 Ma		1 µa @ 1,5 V							5.1 v	10 Ohm
FDB12N50UTM	0,9000	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv						Fdb12n	- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	800																- - -
FSBS15CH60AA	13.2800	RFQ	82	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	Nicht Anwendbar	3 (168 Stunden)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	1
FDMC0208	0,2500	RFQ	12	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv						FDMC02	- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	3.000																- - -
FGAF40N60UFTU	1.8800	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	160
FSBS15CH60L	15.4800	RFQ	80	Fairchild Semiconductor	SPM®	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	27-Powerdip-Modul (1,205 ", 30.60 mm)	IGBT	FSBS15				- - -	Nicht Anwendbar	3 (168 Stunden)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	20	3 Phase				15 a	600 V	2500 VRMs
PN2907BU	0,0500	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)		PN2907		625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0095	9.078																										40 v	800 mA	20na (ICBO)			PNP	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	- - -

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²