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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
FDD8880_NL Fairchild Semiconductor Fdd8880_nl 0,4400
RFQ
 ECAD 777 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 777 N-Kanal 30 v 13a (ta), 58a (TC) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 35a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 31 NC @ 10 V ± 20 V 1260 PF @ 15 V - - - 55W (TC)
KST2907A-MTF Fairchild Semiconductor KST2907A-MTF 0,0200
RFQ
 ECAD 355 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 KST2907 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 200 MHz
FDMS3624S Fairchild Semiconductor FDMS3624S - - -
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn FDMS3624 MOSFET (Metalloxid) 2,2 W (TA), 2,5W (TA) 8-PQFN (5x6) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 25 v 17,5a (TA), 30a (TC), 30A (TA), 60A (TC) 1,8 MOHM @ 30A, 10V, 5MOHM @ 17,5A, 10V 2V @ 250 ähm 2,2 V @ 1ma 26nc @ 10v, 59nc @ 10v 1570PF @ 13V, 4045PF @ 13V - - -
1N5282 Fairchild Semiconductor 1N5282 1.0000
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Standard DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 80 v 900 mv @ 100 mA 4 ns 100 na @ 55 V 175 ° C (max) 200 ma 2.5PF @ 0V, 1 MHz
ISL9V3040D3ST-R4940 Fairchild Semiconductor ISL9V3040D3ST-R4940 1.0000
RFQ
 ECAD 5008 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 5.000
FQB6N70TM Fairchild Semiconductor FQB6N70TM 2.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 700 V 6.2a (TC) 10V 1,5OHM @ 3,1a, 10 V 5 V @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 30 v 1400 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 142W (TC)
SFR2955TM Fairchild Semiconductor SFR2955TM 0,1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 (dpak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 60 v 7.6a (TC) 10V 300 MOHM @ 3,8a, 10 V. 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 600 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 32W (TC)
FDP5645 Fairchild Semiconductor FDP5645 - - -
RFQ
 ECAD 317 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 80A (TA) 6 V, 10V 9,5 MOHM @ 40A, 10V 4v @ 250 ähm 107 NC @ 10 V ± 20 V 4468 PF @ 30 V - - - 125W (TC)
FDU2572 Fairchild Semiconductor FDU2572 1.0000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 150 v 4a (ta), 29a (TC) 6 V, 10V 54mohm @ 9a, 10V 4v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 1770 PF @ 25 V. - - - 135W (TC)
FDS9945 Fairchild Semiconductor FDS9945 - - -
RFQ
 ECAD 2555 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS99 MOSFET (Metalloxid) 1W (TA) 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 2 n-kanal (dual) 60 v 3,5a (TA) 100mohm @ 3,5a, 10 V 3v @ 250 ähm 13nc @ 5v 420pf @ 30v Logikpegel -tor
NDS335N Fairchild Semiconductor NDS335N 0,1800
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 1.7a (ta) 2,7 V, 4,5 V. 110 MOHM @ 1,7A, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 9 NC @ 4,5 V. 8v 240 PF @ 10 V - - - 500 MW (TA)
FGB40N60SM Fairchild Semiconductor FGB40N60SM - - -
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard 349 w D2pak (to-263) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 400 V, 40a, 6OHM, 15 V. Feldstopp 600 V 80 a 120 a 2,3 V @ 15V, 40a 870 µJ (EIN), 260 µJ (AUS) 119 NC 12ns/92ns
FQB2N50TM Fairchild Semiconductor FQB2N50TM 1.0000
RFQ
 ECAD 3880 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 500 V 2.1a (TC) 10V 5.3OHM @ 1.05a, 10V 5 V @ 250 ähm 8 NC @ 10 V ± 30 v 230 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 55W (TC)
SFH9140 Fairchild Semiconductor SFH9140 0,6600
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 388 P-Kanal 100 v 19A (TC) 10V 200mohm @ 9.5a, 10V 4v @ 250 ähm 54 NC @ 10 V ± 20 V 1535 PF @ 25 V. - - - 166W (TC)
BZX85C5V1 Fairchild Semiconductor BZX85C5V1 0,0300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 6% - - - K. Loch Do-204Al, Do-41, axial BZX85C5 1,3 w DO-41G Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 1,5 V 5.1 v 10 Ohm
FDB12N50UTM Fairchild Semiconductor FDB12N50UTM 0,9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Fdb12n - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 800 - - -
FSBS15CH60AA Fairchild Semiconductor FSBS15CH60AA 13.2800
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1
FDMC0208 Fairchild Semiconductor FDMC0208 0,2500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv FDMC02 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 3.000 - - -
FGAF40N60UFTU Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFTU 1.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8542.39.0001 160
FSBS15CH60L Fairchild Semiconductor FSBS15CH60L 15.4800
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 ECAD 80 0.00000000 Fairchild Semiconductor SPM® Schüttgut Aktiv K. Loch 27-Powerdip-Modul (1,205 ", 30.60 mm) IGBT FSBS15 - - - Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 20 3 Phase 15 a 600 V 2500 VRMs
PN2907BU Fairchild Semiconductor PN2907BU 0,0500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) PN2907 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0095 9.078 40 v 800 mA 20na (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
FDMS5362L Fairchild Semiconductor FDMS5362L 0,2900
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv FDMS5362 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 3.000 - - -
FDB2572 Fairchild Semiconductor FDB2572 1.0000
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 150 v 4a (ta), 29a (TC) 6 V, 10V 54mohm @ 9a, 10V 4v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 1770 PF @ 25 V. - - - 135W (TC)
FCH190N65F-F155 Fairchild Semiconductor FCH190N65F-F155 3.3400
RFQ
 ECAD 4300 0.00000000 Fairchild Semiconductor FRFET®, Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 66 N-Kanal 650 V 20,6a (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5v @ 2MA 78 NC @ 10 V ± 20 V 3225 PF @ 100 V - - - 208W (TC)
FQPF6N50C Fairchild Semiconductor Fqpf6n50c 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Fqpf6n - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1 - - -
IRFS730B Fairchild Semiconductor IRFS730B 0,2900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 5.5a (TJ) 10V 1OHM @ 2,75a, 10V 4v @ 250 ähm 33 NC @ 10 V. ± 30 v 1000 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
1N957B Fairchild Semiconductor 1N957B 2.9800
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 101 150 µa @ 5,2 V 6,8 v 4,5 Ohm
KSH44H11TF Fairchild Semiconductor KSH44H11TF - - -
RFQ
 ECAD 3611 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 1,75 w To-252-3 (dpak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 10 µA Npn 1v @ 400 mA, 8a 40 @ 4a, 1V 50 MHz
MPSA05 Fairchild Semiconductor MPSA05 - - -
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2,203 60 v 500 mA 100na Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FQU8P10TU Fairchild Semiconductor Fqu8p10TU 0,4000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Ear99 8542.39.0001 745 P-Kanal 100 v 6.6a (TC) 10V 530mohm @ 3,3a, 10V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 470 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 44W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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