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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS Feuchtigitesempfindlich (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FQPF6N50 Fairchild Semiconductor Fqpf6n50 0,5900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 500 V 3.6a (TC) 10V 1,3OHM @ 1,8a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 22 NC @ 10 V. ± 30 v 790 PF @ 25 V. - - - 42W (TC)
FDPF12N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF12N50NZ 0,9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor UNIFET-II ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 306 N-Kanal 500 V 11,5a (TC) 10V 520MOHM @ 5.75A, 10V 5 V @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 25 V 1235 PF @ 25 V. - - - 42W (TC)
FCH20N60 Fairchild Semiconductor FCH20N60 2.6500
RFQ
 ECAD 838 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5 V @ 250 ähm 98 NC @ 10 V. ± 30 v 3080 PF @ 25 V. - - - 208W (TC)
FDS6692A Fairchild Semiconductor FDS6692A 0,5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 582 N-Kanal 30 v 9a (ta) 4,5 V, 10 V. 11,5 MOHM @ 9A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V 1610 PF @ 15 V - - - 1.47W (TA)
FDMC7672 Fairchild Semiconductor FDMC7672 0,4200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench®, SyncFet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn MOSFET (Metalloxid) 8-MLP (3,3x3,3) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 715 N-Kanal 30 v 16,9a (TA), 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 5.7mohm @ 16.9a, 10V 3v @ 250 ähm 57 NC @ 10 V ± 20 V 3890 PF @ 15 V - - - 2,3 W (TA), 33W (TC)
MMSZ5246ET1G Fairchild Semiconductor MMSZ5246ET1G - - -
RFQ
 ECAD 3310 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 500 MW SOD-123 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-mmsz5246ET1G-600039 1 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 12 V. 16 v 17 Ohm
KSC1008OBU Fairchild Semiconductor KSC1008OBU - - -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 800 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 60 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 400 mv @ 50 mA, 500 mA 70 @ 50 Ma, 2V 50 MHz
FDPF7N50F Fairchild Semiconductor FDPF7N50F 0,7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 6a (TC) 10V 1,15OHM @ 3a, 10V 5 V @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 30 v 960 PF @ 25 V. - - - 38,5W (TC)
FDMS86320 Fairchild Semiconductor FDMS86320 0,7200
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 69 N-Kanal 80 v 10.5a (TA), 22A (TC) 8 V, 10V 11.7mohm @ 10.5a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 20 V 2640 PF @ 40 V - - - 2,5 W (TA), 69W (TC)
KST06MTF-FS Fairchild Semiconductor KST06MTF-FS - - -
RFQ
 ECAD 4273 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 80 v 500 mA 100na Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 50 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FDS5692Z Fairchild Semiconductor FDS5692Z 1.0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 50 v 5.8a (ta) 4,5 V, 10 V. 24MOHM @ 5.8a, 10V 3v @ 250 ähm 25 NC @ 10 V ± 20 V 1025 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA)
1N5231B_NL Fairchild Semiconductor 1N5231B_NL 0,0200
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 2 V. 5.1 v 17 Ohm
MMBZ5239B Fairchild Semiconductor MMBZ5239B 0,0200
RFQ
 ECAD 379 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 7 V. 9.1 v 10 Ohm
SFS9630 Fairchild Semiconductor SFS9630 0,4100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 200 v 4.4a (TC) 10V 800MOHM @ 2,2A, 10 V. 4v @ 250 ähm 36 NC @ 10 V ± 30 v 965 PF @ 25 V. - - - 33W (TC)
FDS9431A Fairchild Semiconductor FDS9431a - - -
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 20 v 3,5a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 130 MOHM @ 3,5A, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 8,5 NC @ 4,5 V ± 8 v 405 PF @ 10 V. - - - 2,5 W (TA)
NDP7061 Fairchild Semiconductor NDP7061 2.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 64a (TC) 10V 16mohm @ 35a, 10V 4v @ 250 ähm 100 nc @ 10 v ± 20 V 1930 PF @ 25 V. - - - 130W (TC)
FJZ733OTF Fairchild Semiconductor FJZ733OTF 0,6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-623F 100 MW SOT-623F Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 70 @ 1ma, 6v 180 MHz
BZX79C5V6 Fairchild Semiconductor BZX79C5v6 0,0300
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW Do-35 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 11.539 1,5 V @ 100 mA 1 µa @ 2 V. 5.6 v 40 Ohm
BC859BMTF Fairchild Semiconductor BC859BMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC859 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 150 MHz
FDS6986AS Fairchild Semiconductor FDS6986As 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench®, SyncFet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS69 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 728 2 n-kanal (dual) 30V 6,5a, 7,9a 29mohm @ 6.5a, 10V 3v @ 250 ähm 17nc @ 10v 720PF @ 10V Logikpegel -tor
FQPF13N06L Fairchild Semiconductor FQPF13N06L 1.0000
RFQ
 ECAD 5466 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 10a (TC) 5v, 10V 110Mohm @ 5a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 6.4 NC @ 5 V. ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 24W (TC)
US1AFA Fairchild Semiconductor US1AFA 1.0000
RFQ
 ECAD 4051 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123W Standard SOD-123FA Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 950 mv @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4v, 1 MHz
MBR2050CT Fairchild Semiconductor MBR2050CT 0,5900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 MBR2050 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 50 v - - - 800 mV @ 10 a 1 ma @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C.
MBR1545CT Fairchild Semiconductor MBR1545CT 1.0000
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-3 Schottky To-220-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 15a 840 mv @ 15 a 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
FQU8N25TU Fairchild Semiconductor Fqu8n25tu 0,6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 70 N-Kanal 250 V 6.2a (TC) 10V 550MOHM @ 3.1a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 530 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 50 W (TC)
MMSZ5252B Fairchild Semiconductor MMSZ5252B 0,0200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 18 V. 24 v 33 Ohm
BC307BBU Fairchild Semiconductor BC307BBU - - -
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 45 V 100 ma 15na PNP 500 mV @ 5ma, 100 mA 180 @ 2MA, 5V 130 MHz
TIP106 Fairchild Semiconductor TIP106 0,2700
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 80 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 890 80 v 8 a 50 µA PNP - Darlington 2,5 V @ 80 Ma, 8a 1000 @ 3a, 4V 4MHz
FJX4008RTF Fairchild Semiconductor FJX4008RTF 0,0500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 FJX400 200 MW SC-70-3 (SOT323) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5ma, 5V 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
MMBZ5227B Fairchild Semiconductor MMBZ5227B - - -
RFQ
 ECAD 8785 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 15 µa @ 1 V 3.6 V 24 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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