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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Typ	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Testedingung	Aktuell	Stromspannung	Spannung - Isolation	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
KSE5020S	1.0000	RFQ	2732	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3					30 w		To-126-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.000																												500 V	3 a						10 µA (ICBO)					Npn	1v @ 300 mA, 1,5a	15 @ 300 mA, 5V	18MHz
HUF76439S3S	- - -	RFQ	8222	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400			N-Kanal					60 v	75a (TC)	4,5 V, 10 V.	12mohm @ 75a, 10V	3v @ 250 ähm	84 NC @ 10 V	± 16 v	2745 PF @ 25 V.	- - -	180W (TC)
FCH35N60	3.6600	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Supermos ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3				MOSFET (Metalloxid)			To-247	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal					600 V	35a (TC)	10V	98mohm @ 17.5a, 10V	5 V @ 250 ähm	181 NC @ 10 V.	± 30 v	6640 PF @ 25 V.	- - -	312.5W (TC)
FGA30T65SHD	- - -	RFQ	5102	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		FGA30T65	Standard		238 w		To-3pn	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1				400 V, 30a, 6OHM, 15 V.																		31.8 ns					TRABENFELD STOPP	650 V	60 a	90 a	2,1 V @ 15V, 30a	598 µj (EIN), 167 µJ (AUS)	54.7 NC	14,4ns/52,8ns
FDC855n	0,2400	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6				MOSFET (Metalloxid)			Supersot ™ -6	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1.265			N-Kanal					30 v	6.1a (ta)	4,5 V, 10 V.	27mohm @ 6.1a, 10V	3v @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 20 V	655 PF @ 15 V	- - -	1.6W (TA)
KSH122TM	- - -	RFQ	6734	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		KSH12			1,75 w		D-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	699																												100 v	8 a						10 µA					NPN - Darlington	4v @ 80 Ma, 8a	1000 @ 4a, 4V	- - -
MTD3055V	1.0000	RFQ	2138	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal					60 v	12a (ta)	10V	150 Mohm @ 6a, 10 V	4v @ 250 ähm	17 NC @ 10 V	± 20 V	500 PF @ 25 V.	- - -	3,9W (TA), 48W (TC)
FJB5555TM	0,7600	RFQ	9163	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab					1,6 w		D2pak (to-263)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1																												400 V	5 a						- - -					Npn	1,5 V @ 1a, 3,5a	20 @ 800 mA, 3V	- - -
FDC638p	- - -	RFQ	5721	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6				MOSFET (Metalloxid)			Supersot ™ -6	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			P-Kanal					20 v	4,5a (TA)	2,5 V, 4,5 V.	48mohm @ 4,5a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	14 NC @ 4,5 V.	± 8 v	1160 PF @ 10 V.	- - -	1.6W (TA)
FDD1600N10ALZD	- - -	RFQ	8629	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-5, dpak (4 Leitete + Tab), to-252ad				MOSFET (Metalloxid)			To-252-4	Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal					100 v	6.8a (TC)	5v, 10V	160 Mohm @ 3,4a, 10 V	2,8 V @ 250 ähm	3.61 NC @ 10 V	± 20 V	225 PF @ 50 V	- - -	14.9W (TC)
PN200RM	- - -	RFQ	1823	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads					625 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																												45 V	500 mA						50na					PNP	400mv @ 20 mA, 200 mA	100 @ 150 mA, 1V	250 MHz
HUF76121S3S	0,7000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal					30 v	47a (TC)	4,5 V, 10 V.	21mohm @ 47a, 10V	3v @ 250 ähm	30 NC @ 10 V	± 20 V	850 PF @ 25 V.	- - -	75W (TC)
FFP30UP20DNTU	1.0000	RFQ	3927	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-3				Standard			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																1 Paar Gemeinsamer Kathode	200 v	15a	1,15 V @ 15 a	45 ns	100 µA @ 200 V.	-65 ° C ~ 150 ° C.
FMG1G100US60H	41.1600	RFQ	60	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	19 Uhr-Ga					400 w	Standard	19 Uhr-Ga	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	15	Einzel																										- - -	600 V	100 a		2,8 V @ 15V, 100a				250 µA	NEIN			10.84 NF @ 30 V
SB5100	0,5600	RFQ	24	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	Do-201aa, Do-27, axial				Schottky			Do-201	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																	100 v		790 mv @ 5 a		500 µa @ 100 V.	-50 ° C ~ 150 ° C.	5a	- - -
BD441Stu	- - -	RFQ	9609	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3					36 w		To-126-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	60																												80 v	4 a						100 µA					Npn	800mv @ 200 Ma, 2a	40 @ 500 mA, 1V	3MHz
FQB5N60CTM	0,6000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		FQB5		MOSFET (Metalloxid)			D²pak (to-263ab)	- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	800			N-Kanal					600 V	4,5a (TC)	10V	2,5OHM @ 2,25a, 10 V.	4v @ 250 ähm	19 NC @ 10 V	± 30 v	670 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 100 W (TC)
FQI32N12V2TU	0,5100	RFQ	592	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa				MOSFET (Metalloxid)			I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	592			N-Kanal					120 v	32a (TC)	10V	50mohm @ 16a, 10V	4v @ 250 ähm	53 NC @ 10 V	± 30 v	1860 PF @ 25 V.	- - -	3,75W (TA), 150W (TC)
Mm3z5v6c	0,0300	RFQ	90	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-90, SOD-323F					200 MW		SOD-323F	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	11.539																					1 V @ 10 mA		900 NA @ 2 V.														5.6 v	37 Ohm
FDS9945	- - -	RFQ	2555	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		FDS99		MOSFET (Metalloxid)	1W (TA)		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 n-kanal (dual)							60 v	3,5a (TA)		100mohm @ 3,5a, 10 V	3v @ 250 ähm	13nc @ 5v		420pf @ 30v	Logikpegel -tor
FDMS0352s	0,4800	RFQ	259	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn				MOSFET (Metalloxid)			8-PQFN (5x6), Power56	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000			N-Kanal					30 v	26a (TA), 42A (TC)	4,5 V, 10 V.	2,4 MOHM @ 25a, 10V	3V @ 1ma	90 nc @ 10 v	± 20 V	6120 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA), 83W (TC)
HGTG40N60C3	- - -	RFQ	7264	Fairchild Semiconductor	UFS	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			Standard		291 w		To-247	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-HGTG40N60C3-600039			1				480 V, 40a, 3OHM, 15 V.																							- - -	600 V	75 a	300 a	1,8 V @ 15V, 40a	850 mJ (EIN), 1MJ (AUS)	395 NC	47ns/185ns
FYV0203DNMTF	0,0200	RFQ	4382	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				Schottky			SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0070	1,935		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit																1 Paar Gemeinsamer Kathode	30 v	200 ma	1 V @ 200 Ma		2 µa @ 30 V	150 ° C (max)
HUF76432S3ST	0,9300	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal					60 v	59a (TC)	4,5 V, 10 V.	17mohm @ 59a, 10V	3v @ 250 ähm	53 NC @ 10 V	± 16 v	1765 PF @ 25 V.	- - -	130W (TC)
S3M-F065	1.0000	RFQ	6109	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv												Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-S3M-F065-600039			1
FDD8586	0,3300	RFQ	83	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal					20 v	35a (TC)	4,5 V, 10 V.	5,5 MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	48 nc @ 10 v	± 20 V	2480 PF @ 10 V.	- - -	77W (TC)
BCW69	1.0000	RFQ	8640	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3					350 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	3.000																												45 V	100 ma						100NA (ICBO)					PNP	300 mV @ 500 µA, 10 mA	120 @ 2MA, 5V	- - -
FCBS0550	15.4000	RFQ	20	Fairchild Semiconductor	SPM®	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	27-Powerdip-Modul (1,205 ", 30.60 mm)	Mosfet	FCBS0						Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8542.39.0001	20	3 Phase				5 a	500 V	2500 VRMs
IRF740A	1.0000	RFQ	8305	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)			To-220ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform				Ear99	8541.29.0095	1.000			N-Kanal					400 V	10a (TC)	10V	550Mohm @ 6a, 10V	4v @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 30 v	1030 PF @ 25 V.	- - -	125W (TC)
FDY1002PZ	- - -	RFQ	1950	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666		FDY1002		MOSFET (Metalloxid)	446 MW		SOT-563F	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	20	2 p-kanal (dual)							20V	830 Ma		500MOHM @ 830 Ma, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	3.1nc @ 4.5V		135PF @ 10V	Logikpegel -tor

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²