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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Typ	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Strom - Hold (ih) (max)	Testedingung	Aktuell	Stromspannung	Spannung - Isolation	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Staat	Strom - Auf Status (It (RMS)) (max)	Spannung - Gate Trigger (VGT) (max)	Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM)	Strom - Gate Trigger (IGT) (max)	Spannung - Im Zustand (VTM) (max)	Aktuell - Aus dem Zustand (max)	SCR -Typ	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
PN2907ta	0,0200	RFQ	101	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)					625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000																														40 v	800 mA						20na (ICBO)			PNP	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	- - -
Huf75545p3_nl	2.1100	RFQ	9855	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	100		N-Kanal						80 v	75a (TC)	10V	10MOHM @ 75A, 10V	4v @ 250 ähm	235 NC @ 20 V	± 20 V	3750 PF @ 25 V.	- - -	270W (TC)
FDMC86320	- - -	RFQ	7757	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn				MOSFET (Metalloxid)		8-MLP (3,3x3,3)	Herunterladen						0000.00.0000	1		N-Kanal						80 v	10.7a (ta), 22a (TC)	8 V, 10V	11.7mohm @ 10.7a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	41 nc @ 10 v	± 20 V	2640 PF @ 40 V	- - -	2,3 W (TA), 40 W (TC)
MM3Z43VB	0,0300	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-90, SOD-323F					200 MW	SOD-323F	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	1																										1 V @ 10 mA		45 NA @ 30.1 V.										43 v	141 Ohm
FDP040N06	1.7300	RFQ	800	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal						60 v	120a (TC)	10V	4mohm @ 75a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	133 NC @ 10 V	± 20 V	8235 PF @ 25 V.	- - -	231W (TC)
1N5242BTR	0,0200	RFQ	103	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial					500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	1																										1,2 V @ 200 Ma		1 µa @ 9,1 V										12 v	30 Ohm
1N4755a	0,0300	RFQ	43	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch						1 w		Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	9.616																												5 µA @ 32,7 V.										43 v	70 Ohm
FGH40N65UFDTU-F085	- - -	RFQ	1254	Fairchild Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			Standard		290 w	To-247	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1				400 V, 40a, 10ohm, 15 V.																							65 ns		Feldstopp	650 V	80 a	120 a	2,4 V @ 15V, 40a	1,28 MJ (EIN), 500 µJ (AUS)	119 NC	23ns/126ns
FQD6N40TM	1.0000	RFQ	4740	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal						400 V	4.2a (TC)	10V	1,15OHM @ 2,1a, 10 V.	5 V @ 250 ähm	17 NC @ 10 V	± 30 v	620 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 50 W (TC)
MCR100-8RLG	- - -	RFQ	7605	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 110 ° C.	K. Loch	To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen)						To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.30.0080	2.000			5 Ma															600 V	800 mA	800 mV	10a @ 60Hz	200 µA	1,7 v	10 µA	Sensibler tor
SGR15N40LTM	0,8000	RFQ	765	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		SGR15	Standard		45 w	To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500				- - -																									Graben	400 V		130 a	8v @ 4,5 V, 130a	- - -		- - -
TIP112	- - -	RFQ	4968	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3					2 w	To-220-3	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	Reichweiite Betroffen	2156-Tip112-600039	Ear99	8541.29.0095	1																														100 v	2 a						2ma			NPN - Darlington	2,5 V @ 8ma, 2a	1000 @ 1a, 4V	- - -
MMBZ5241B	0,0200	RFQ	39	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3		MMBZ52			300 MW	SOT-23	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	961																										900 mv @ 10 mA		2 µa @ 8,4 V										11 v	22 Ohm
FDMJ1023PZ	0,3000	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-WFDFN exponiert Pad		FDMJ1023		MOSFET (Metalloxid)	700 MW	SC-75, Mikrofet	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	3.000	2 p-kanal (dual)							20V	2.9a		112mohm @ 2,9a, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	6,5nc @ 4,5V		400PF @ 10V	Logikpegel -tor
KSH31TF	0,2300	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63					1,56 w	To-252, (d-pak)	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-ksh31tf	Ear99	8541.29.0095	1																														40 v	3 a						50 µA			Npn	1,2 V @ 375 Ma, 3a	25 @ 1a, 4V	3MHz
FLZ20VB	0,0200	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80					500 MW	SOD-80	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0050	15.000																										1,2 V @ 200 Ma		133 NA @ 15 V										19.1 v	23,5 Ohm
FDW2601NZ	0,4000	RFQ	3463	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit)		FDW26		MOSFET (Metalloxid)	1.6W	8-tssop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	26	2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss							30V	8.2a		15mohm @ 8.2a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	30nc @ 4,5V		1840pf @ 15V	Logikpegel -tor
FDB2532	1.0000	RFQ	3378	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		FDB253		MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal						150 v	8A (TA), 79a (TC)	6 V, 10V	16mohm @ 33a, 10V	4v @ 250 ähm	107 NC @ 10 V	± 20 V	5870 PF @ 25 V.	- - -	310W (TC)
FJP5027Rtu	- - -	RFQ	2330	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3						To-220-3	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-FJP5027Rtu-600039			1																																					10 µA (ICBO)			Npn	2v @ 300 mA, 1,5a	10 @ 200 Ma, 5V	15 MHz
SFW9Z34TM	0,6400	RFQ	36	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		P-Kanal						60 v	18a (TC)	10V	140MOHM @ 9A, 10V	4v @ 250 ähm	38 nc @ 10 v	± 30 v	1155 PF @ 25 V.	- - -	3,8 W (TA), 82W (TC)
ISL9N310AD3ST	- - -	RFQ	4782	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MOSFET (Metalloxid)		To-252-3 (dpak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	995		N-Kanal						30 v	35a (TC)	4,5 V, 10 V.	10ohm @ 35a, 10a	3v @ 250 ähm	48 nc @ 10 v	± 20 V	1800 PF @ 15 V	- - -	70W (TA)
HUF75309P3	0,4100	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	Rohs Nick Konform				Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal						55 v	19A (TC)	10V	70 MOHM @ 19A, 10V	4v @ 250 ähm	24 NC @ 20 V	± 20 V	350 PF @ 25 V.	- - -	55W (TC)
Fqpf9n50ct	0,7800	RFQ	604	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal						500 V	9a (TC)	10V	800 MOHM @ 4,5A, 10 V.	4v @ 250 ähm	35 NC @ 10 V	± 30 v	1030 PF @ 25 V.	- - -	44W (TC)
FNB50560T1	7.3700	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Motion SPM® 55	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	20-Powerdip-Modul (1,220 ", 31,00 mm)	IGBT	FNB50					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8542.39.0001	41	3 Phase Wechselrichter				5 a	600 V	1500 VRMs
Rurd420s9a	0,4600	RFQ	61	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv											Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-Rurd420S9A-600039			1
1N970BNL	0,0600	RFQ	4802	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial					500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.830																												5 µA @ 18,2 V.										24 v	33 Ohm
PN100TF	0,0500	RFQ	177	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv											- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	6.662
MMBZ5223B	0,0200	RFQ	99	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3					300 MW	SOT-23	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-mmbz5223b-600039			1																										900 mv @ 10 mA		75 µa @ 1 V										2,7 v	30 Ohm
BSR18A	- - -	RFQ	7229	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3					350 MW	SOT-23-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	1																														40 v	200 ma						50na (ICBO)			PNP	400mv @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 Ma, 1V	250 MHz
FDB8160	1.7000	RFQ	17	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		FDB816		MOSFET (Metalloxid)		To-263ab	- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	800		N-Kanal						30 v	80A (TC)	10V	1,8 MOHM @ 80A, 10V	4v @ 250 ähm	243 NC @ 10 V	± 20 V	11825 PF @ 15 V	- - -	254W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²