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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FDS6162N7	2.0100	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal	20 v	23a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	3,5 MOHM @ 23A, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	73 NC @ 4,5 V.	± 12 V	5521 PF @ 10 V	- - -	3W (TA)
PN2907atar	1.0000	RFQ	4109	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	1																					60 v	800 mA	20na (ICBO)			PNP	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	200 MHz
MPSA06RA	- - -	RFQ	8479	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1																					80 v	500 mA	100na			Npn	250mv @ 10 mA, 100 mA	100 @ 100 mA, 1V	100 MHz
KSC1507YTSTU	- - -	RFQ	3507	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			15 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	50																					300 V	200 µA	100 µA (ICBO)			Npn	2v @ 5ma, 50 mA	120 @ 10 mA, 10V	80MHz
EGP20f	0,2200	RFQ	35	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	DO-204AC, DO-15, Axial		Standard		Do-15	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-EGP20F-600039			1,348		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												300 V	1,25 V @ 2 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	2a	45PF @ 4V, 1 MHz
HUF75229P3_NL	0,7000	RFQ	1655	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	319			N-Kanal	50 v	44a (TC)	10V	22mohm @ 44a, 10V	4v @ 250 ähm	75 NC @ 20 V	± 20 V	1060 PF @ 25 V.	- - -	90W (TC)
FJX3004RTF	0,0500	RFQ	2035	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	FJX300		200 MW	SC-70-3 (SOT323)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	1.778																					50 v	100 ma	100NA (ICBO)			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	68 @ 5ma, 5v	250 MHz	47 Kohms	47 Kohms
RFD16N05	1.0000	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa	RFD16	MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	Rohs Nick Konform				Ear99	8541.29.0095	75			N-Kanal	50 v	16a (TC)	10V	47mohm @ 16a, 10V	4v @ 250 ähm	80 nc @ 20 V	± 20 V	900 PF @ 25 V.	- - -	72W (TC)
Fqpf44n08t	0,6700	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	Fqpf4	MOSFET (Metalloxid)		To-220f	- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal	80 v	25a (TC)	10V	34mohm @ 12.5a, 10V	4v @ 250 ähm	50 nc @ 10 v	± 25 V	1430 PF @ 25 V.	- - -	41W (TC)
FDU6N50TU	0,4100	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa		MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal	500 V	6a (TC)	10V	900mohm @ 3a, 10V	5 V @ 250 ähm	16.6 NC @ 10 V.	± 30 v	940 PF @ 25 V.	- - -	89W (TC)
BZX84C4V3	0,0200	RFQ	90	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BZX84C4		250 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000															900 mv @ 10 mA		5 µa @ 1 V							4.3 v	90 Ohm
KSA812YMTF	- - -	RFQ	7403	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			150 MW	SOT-23-3	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-kSA812YMTF-600039			1																					50 v	100 ma	100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 10 mA, 100 mA	135 @ 1ma, 6v	180 MHz
1N4448	0,0300	RFQ	115	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		Standard		Do-35	Herunterladen					Ear99	8541.10.0070	11.539		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit												100 v	1 V @ 100 mA	4 ns	5 µa @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	200 ma	2PF @ 0V, 1MHz
EGP10C	0,1300	RFQ	25	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial		Standard		DO-204AL (DO-41)	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	2.576		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												150 v	950 mv @ 1 a	50 ns	5 µa @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	- - -
FDS9953a	- - -	RFQ	9946	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS99	MOSFET (Metalloxid)	900 MW	8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 p-kanal (dual)			30V	2.9a		130Mohm @ 1a, 10V	3v @ 250 ähm	3,5nc @ 10v		185pf @ 15V	Logikpegel -tor
FQA90N15	- - -	RFQ	2864	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Metalloxid)		To-3pn	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal	150 v	90a (TC)	10V	18mohm @ 45a, 10V	4v @ 250 ähm	285 NC @ 10 V	± 25 V	8700 PF @ 25 V.	- - -	375W (TC)
PN2222ATF	0,0400	RFQ	2756	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	50																					40 v	1 a	10NA (ICBO)			Npn	1v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	300 MHz
Si9424dy	0,4400	RFQ	2179	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	140			P-Kanal	20 v	8a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	24MOHM @ 8a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	33 NC @ 5 V.	± 10 V	2260 PF @ 10 V	- - -	2,5 W (TA)
BC237	0,0500	RFQ	16	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			350 MW	To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																					45 V	100 ma	15na			Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	120 @ 2MA, 5V	200 MHz
HUF75645p3	- - -	RFQ	3066	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal	100 v	75a (TC)	10V	14mohm @ 75a, 10V	4v @ 250 ähm	238 NC @ 20 V	± 20 V	3790 PF @ 25 V.		310W (TC)
SI6463DQ	0,4600	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-tssop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	2.500			P-Kanal	20 v	8.8a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	12,5 MOHM @ 8,8a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	66 NC @ 4,5 V.	± 12 V	5045 PF @ 10 V	- - -	600 MW (TA)
FDP8870-F085	1.1200	RFQ	291	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.29.0095	291			N-Kanal	30 v	19A (TA), 156a (TC)	4,5 V, 10 V.	4.1MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	132 NC @ 10 V	± 20 V	5200 PF @ 15 V	- - -	160W (TC)
HUF76129S3S	0,5900	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal	30 v	56a (TC)	4,5 V, 10 V.	16ohm @ 56a, 10V	3v @ 250 ähm	45 nc @ 10 v	± 20 V	1350 PF @ 25 V.	- - -	105W (TC)
FCPF1300N80zyd	1.0700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Vollpackung, Geformete-Leads		MOSFET (Metalloxid)		To-220F-3 (Y-Forming)	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal	800 V	4a (TC)	10V	1,3OHM @ 2a, 10V	4,5 V @ 400 ähm	21 NC @ 10 V	± 20 V	880 PF @ 100 V	- - -	24W (TC)
FDMB506P	0,6600	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn		MOSFET (Metalloxid)		8-mlp, Mikrofet (3x1.9)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	3.000			P-Kanal	20 v	6.8a (ta)	1,8 V, 4,5 V.	30mohm @ 6,8a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	30 NC @ 4,5 V.	± 8 v	2960 PF @ 10 V.	- - -	1,9W (TA)
1N914a	0,0200	RFQ	340	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		Standard		DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0070	2.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit												100 v	1 V @ 20 mA	4 ns	5 µa @ 75 V	175 ° C (max)	200 ma	4PF @ 0V, 1MHz
FCP380N60E	1.3000	RFQ	26	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	231			N-Kanal	600 V	10.2a (TC)	10V	380Mohm @ 5a, 10V	3,5 V @ 250 ähm	45 nc @ 10 v	± 20 V	1770 PF @ 25 V.	- - -	106W (TC)
FQP2NA90	0,5700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000			N-Kanal	900 V	2.8a (TC)	10V	5.8ohm @ 1.4a, 10V	5 V @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 30 v	680 PF @ 25 V.	- - -	107W (TC)
FDW258p	1.3600	RFQ	92	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-tssop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.500			P-Kanal	12 v	9a (ta)	1,8 V, 4,5 V.	11MOHM @ 9A, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	73 NC @ 4,5 V.	± 8 v	5049 PF @ 5 V.	- - -	1,3W (TA)
FDS8878	0,2200	RFQ	586	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1,505			N-Kanal	30 v	10.2a (ta)	4,5 V, 10 V.	14mohm @ 10.2a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	26 NC @ 10 V	± 20 V	897 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²