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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
FQPF2N70 Fairchild Semiconductor FQPF2N70 0,6300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 700 V 2a (TC) 10V 6.3OHM @ 1a, 10V 5 V @ 250 ähm 11 NC @ 10 V ± 30 v 350 PF @ 25 V. - - - 28W (TC)
MJD47TF-FS Fairchild Semiconductor MJD47TF-FS 0,3400
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MJD47 1,56 w To-252-3 (dpak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 2.000 200 µA Npn 1v @ 200 Ma, 1a 30 @ 300 mA, 10V 10 MHz
FDMA710PZ Fairchild Semiconductor FDMA710PZ - - -
RFQ
 ECAD 8028 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad MOSFET (Metalloxid) 6-microfet (2x2) Herunterladen Ear99 8542.29.0095 1 P-Kanal 20 v 7.8a (ta) 1,8 V, 5 V. 24MOHM @ 7.8a, 5V 1,5 V @ 250 ähm 42 NC @ 5 V ± 8 v 2015 PF @ 10 V - - - 900 MW (TA)
HUF76429D3ST Fairchild Semiconductor HUF76429D3ST 0,5300
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 404 N-Kanal 60 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 46 NC @ 10 V ± 16 v 1480 PF @ 25 V. - - - 110W (TC)
FDMS8660AS Fairchild Semiconductor FDMS8660As 0,9500
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 28a (TA), 49a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,1 MOHM @ 28a, 10V 3V @ 1ma 83 NC @ 10 V ± 20 V 5865 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA), 104W (TC)
1N6005B Fairchild Semiconductor 1N6005b 1.8400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 163 1,2 V @ 200 Ma 100 Na @ 12 V. 16 v 36 Ohm
FPF2C110BI07AS2 Fairchild Semiconductor FPF2C110BI07AS2 77.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-FPF2C110BI07AS2-600039 1
1N970BNL Fairchild Semiconductor 1N970BNL 0,0600
RFQ
 ECAD 4802 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.830 5 µA @ 18,2 V. 24 v 33 Ohm
HGTP3N60A4D Fairchild Semiconductor HGTP3N60A4D 1.2300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Standard 70 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 390 V, 3a, 50 Ohm, 15 V 29 ns - - - 600 V 17 a 40 a 2,7 V @ 15V, 3a 37 µJ (EIN), 25 µJ (AUS) 21 NC 6ns/73ns
FDS6984AS Fairchild Semiconductor FDS6984As 0,4200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench®, SyncFet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS69 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 2 n-kanal (dual) 30V 5,5a, 8,5a 31mohm @ 5,5a, 10V 3v @ 250 ähm 11nc @ 10v 420PF @ 15V Logikpegel -tor
FMM6G30US60 Fairchild Semiconductor FMM6G30US60 28.1700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Modul 104 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-FMM6G30US60 Ear99 8541.29.0095 1 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 600 V 30 a 2,7 V @ 15V, 30a 250 µA Ja 2.1 NF @ 30 V
FLZ10VC Fairchild Semiconductor FLZ10VC 1.0000
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 Ma 110 na @ 7 v 10.1 v 6.6 Ohm
2N4401NLBU Fairchild Semiconductor 2N4401NLBU 0,2900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 40 v 600 mA - - - Npn 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 1V 250 MHz
FCBS0650 Fairchild Semiconductor FCBS0650 8.0000
RFQ
 ECAD 820 0.00000000 Fairchild Semiconductor SPM® Rohr Veraltet K. Loch 27-Powerdip-Modul (1,205 ", 30.60 mm) Mosfet Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 60 3 Phase 6 a 500 V 2500 VRMs
HUF75345S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75345S3ST_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 275 NC @ 20 V ± 20 V 4000 PF @ 25 V. - - - 325W (TC)
FDA20N50 Fairchild Semiconductor FDA20N50 3.1900
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Rohr Veraltet K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3pn Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 22a (TC) 230mohm @ 11a, 10V 5 V @ 250 ähm 59,5 NC @ 10 V. 3120 PF @ 25 V. - - -
PN2907ATAR Fairchild Semiconductor PN2907atar 1.0000
RFQ
 ECAD 4109 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 60 v 800 mA 20na (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 200 MHz
FNB51060T1 Fairchild Semiconductor FNB51060T1 7.5500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Fairchild Semiconductor Motion SPM® 55 Rohr Aktiv K. Loch 20-Powerdip-Modul (1,220 ", 31,00 mm) IGBT FNB51 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen Ear99 8542.39.0001 13 3 Phase Wechselrichter 10 a 600 V 1500 VRMs
HUF76407D3 Fairchild Semiconductor HUF76407D3 0,3700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 60 v 12a (TC) 4,5 V, 10 V. 92mohm @ 13a, 10V 3v @ 250 ähm 11.3 NC @ 10 V ± 16 v 350 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
FAM65V05DF1 Fairchild Semiconductor Fam65v05df1 41.0100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild Semiconductor Auto SPM® Schüttgut Aktiv K. Loch 27-Powerdip-Modul (0,300 ", 7,62 mm) IGBT Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 3 Phase 50 a 650 V 2500 VRMs
FDPF55N06 Fairchild Semiconductor FDPF55N06 0,8700
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 344 N-Kanal 60 v 55a (TC) 10V 22mohm @ 27.5a, 10V 4v @ 250 ähm 37 NC @ 10 V. ± 25 V 1510 PF @ 25 V. - - - 48W (TC)
FSB50550T Fairchild Semiconductor FSB50550T 10.5600
RFQ
 ECAD 410 0.00000000 Fairchild Semiconductor Bewegung SPM® 5 Schüttgut Aktiv K. Loch 23-Powerdip-Modul (0,748 ", 19,00 mm) Mosfet FSB505 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen Ear99 8542.39.0001 29 3 Phase 1,8 a 500 V 1500 VRMs
FCP165N65S3R0 Fairchild Semiconductor FCP165N65S3R0 2.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® III Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-FCP165N65S3R0 Ear99 8541.29.0095 155 N-Kanal 650 V 19A (TC) 10V 165mohm @ 9.5a, 10V 4,5 V @ 440 mA 39 NC @ 10 V. ± 30 v 1500 PF @ 400 V - - - 154W (TC)
2N4125BU Fairchild Semiconductor 2N4125BU - - -
RFQ
 ECAD 6970 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 - - - ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 1.000 30 v 200 ma 50na (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 2MA, 1V - - -
FDS3601 Fairchild Semiconductor FDS3601 0,3700
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS36 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 100V 1.3a 480MOHM @ 1,3a, 10V 4v @ 250 ähm 5nc @ 10v 153pf @ 50V Logikpegel -tor
RFD16N05LSM_NL Fairchild Semiconductor RFD16N05LSM_NL - - -
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 50 v 16a 4V, 5V 47mohm @ 16a, 5V 2v @ 250 mA 80 nc @ 10 v ± 10 V - - - 60W
FQAF44N08 Fairchild Semiconductor FQAF44N08 0,8300
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 80 v 35.6a (TC) 10V 34mohm @ 17.8a, 10V 4v @ 250 ähm 50 nc @ 10 v ± 25 V 1430 PF @ 25 V. - - - 83W (TC)
FQA10N80 Fairchild Semiconductor FQA10N80 1.7100
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 800 V 9,8a (TC) 10V 1,05OHM @ 4,9a, 10V 5 V @ 250 ähm 71 NC @ 10 V ± 30 v 2700 PF @ 25 V. - - - 240W (TC)
FFP06U40DNTU Fairchild Semiconductor FFP06U40DNTU 0,3600
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Standard To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 617 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 6a 1,4 V @ 6 a 50 ns 20 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C.
FCI25N60N-F102 Fairchild Semiconductor FCI25N60N-F102 - - -
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 Fairchild Semiconductor Supremos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 600 V 25a (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4v @ 250 ähm 74 NC @ 10 V ± 30 v 3352 PF @ 100 V - - - 216W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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