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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
SSF10N80A Fairchild Semiconductor SSF10N80A 2.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 6,5a (TC) 10V 950mohm @ 3a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 165 NC @ 10 V. ± 30 v 3500 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
FDS6688 Fairchild Semiconductor FDS6688 1.0700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 16a (ta) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 16a, 10V 3v @ 250 ähm 56 NC @ 5 V. ± 20 V 3888 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
HUF75925P3 Fairchild Semiconductor HUF75925p3 0,7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 11a (TC) 10V 275mohm @ 11a, 10V 4v @ 250 ähm 78 NC @ 20 V ± 20 V 1030 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
1N749ATR Fairchild Semiconductor 1N749atr 0,0200
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 Ma 2 µa @ 1 V 4.3 v 22 Ohm
KSC2001YBU Fairchild Semiconductor KSC2001YBU 0,0200
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 600 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 10.000 25 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 600mv @ 70 mA, 700 mA 135 @ 100 mA, 1V 170 MHz
FJX3906TF Fairchild Semiconductor FJX3906TF 0,0500
RFQ
 ECAD 268 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv - - - Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 350 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 40 v 200 ma 50na PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
1N5282 Fairchild Semiconductor 1N5282 1.0000
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Standard DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 80 v 900 mv @ 100 mA 4 ns 100 na @ 55 V 175 ° C (max) 200 ma 2.5PF @ 0V, 1 MHz
ISL9N312AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N312AS3ST 0,8700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 58a (TC) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 58a, 10V 3v @ 250 ähm 38 nc @ 10 v ± 20 V 1450 PF @ 15 V - - - 75W (TA)
BC239BTA Fairchild Semiconductor BC239BTA 0,0200
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1,241 25 v 100 ma 15na Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 180 @ 2MA, 5V 250 MHz
KSC10080BU Fairchild Semiconductor KSC10080BU 0,0200
RFQ
 ECAD 630 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 800 MW To-92-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-kSC10080BU-600039 Ear99 8541.21.0095 1 60 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 400 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 50 Ma, 2V 50 MHz
FQD2N50TF Fairchild Semiconductor FQD2N50TF 0,3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 500 V 1,6a (TC) 10V 5.3OHM @ 800 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 8 NC @ 10 V ± 30 v 230 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 30W (TC)
MMBZ5232B Fairchild Semiconductor MMBZ5232B 0,0200
RFQ
 ECAD 8809 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 14.852 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 3 V 5.6 v 11 Ohm
1N4738A Fairchild Semiconductor 1N4738a 0,0300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 9.616 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 6 V 8.2 v 4,5 Ohm
1N4745ATR Fairchild Semiconductor 1N4745atr 0,0300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4745 1 w Do-41 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 10,193 5 µA @ 12,2 V. 16 v 16 Ohm
FJNS4206RTA Fairchild Semiconductor FJNS4206RTA 0,0200
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper Fjns42 300 MW To-92s Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.998 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
FFP06U20DNTU Fairchild Semiconductor FFP06U20DNTU 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Standard To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 6a 1,2 V @ 6 a 35 ns 6 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C.
MMBD1202 Fairchild Semiconductor MMBD1202 - - -
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBD12 Standard SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 100 v 1 V @ 200 Ma 4 ns 25 na @ 100 v 150 ° C (max) 200 ma - - -
FGA90N30TU Fairchild Semiconductor FGA90N30TU 1.1500
RFQ
 ECAD 891 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Standard 219 w To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - - 300 V 90 a 220 a 1,4 V @ 15V, 20a - - - 87 NC - - -
SB360 Fairchild Semiconductor SB360 0,1700
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-201aa, Do-27, axial Schottky Do-201 Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 680 mv @ 3 a 500 µa @ 60 V -50 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
FFPF04U40DPTU Fairchild Semiconductor FFPF04U40DPTU 0,2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack Standard To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 400 V 4a 1,4 V @ 4 a 45 ns 10 µa @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C.
KST06MTF-FS Fairchild Semiconductor KST06MTF-FS - - -
RFQ
 ECAD 4273 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 80 v 500 mA 100na Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 50 @ 100 mA, 1V 100 MHz
BAS16 Fairchild Semiconductor Bas16 0,0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas16 Standard SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 75 V 1,25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 80 V 150 ° C (max) 215 Ma 1.2PF @ 0V, 1 MHz
FDMA86551L Fairchild Semiconductor FDMA86551L 1.0000
RFQ
 ECAD 7782 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad MOSFET (Metalloxid) 6-microfet (2x2) Herunterladen 0000.00.0000 1 N-Kanal 60 v 7.5a (ta) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 7.5a, 10V 3v @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 20 V 1235 PF @ 30 V - - - 2.4W (TA)
IRFW610BTM Fairchild Semiconductor IRFW610BTM 1.0000
RFQ
 ECAD 5820 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 3.3a ​​(TC) 10V 1,5OHM @ 1,65A, 10V 4v @ 250 ähm 9.3 NC @ 10 V ± 30 v 225 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 38W (TC)
MB2S Fairchild Semiconductor Mb2s - - -
RFQ
 ECAD 5890 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel MB2 Standard Md-s Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 1,05 V @ 400 mA 5 µa @ 200 V. 500 mA Einphase 200 v
FCPF380N60E-F152 Fairchild Semiconductor FCPF380N60E-F152 - - -
RFQ
 ECAD 5776 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 - - - 2156-FCPF380N60E-F152 1 N-Kanal 600 V 10.2a (TC) 10V 380Mohm @ 5a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 45 nc @ 10 v ± 20 V 1770 PF @ 25 V. - - - 31W (TC)
1N5237BTR Fairchild Semiconductor 1N5237BTR 0,0200
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 3 µA @ 6,5 V. 8.2 v 8 Ohm
FSAM30SM60A Fairchild Semiconductor FSAM30SM60A 62.5600
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 Fairchild Semiconductor Bewegung SPM® 2 Schüttgut Aktiv K. Loch 32-Powerdip-Modul (1,370 ", 34,80 mm) IGBT FSAM30 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen Ear99 8542.39.0001 1 3 Phase 30 a 600 V 2500 VRMs
EGF1B Fairchild Semiconductor EGF1B 0,2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Standard Do-214AC (SMA) Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1.205 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
BZX55C6V2 Fairchild Semiconductor BZX55C6v2 0,0400
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 1.000 1,3 V @ 100 mA 100 na @ 2 v 6.2 v 10 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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