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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Gewinnen Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
FPDB30PH60 Fairchild Semiconductor FPDB30PH60 29.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor PFC SPM® 3 Schüttgut Aktiv K. Loch 27-Powerdip-Modul (1,205 ", 30.60 mm) IGBT FPDB30 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 1 2 Phase 20 a 600 V 2500 VRMs
FJA4313RTU Fairchild Semiconductor FJA4313Rtu 1.0000
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 130 w To-3pn Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 250 V 17 a 5 µA (ICBO) Npn 3v @ 800 mA, 8a 55 @ 1a, 5v 30 MHz
RURD620CCS9A-SB82215 Fairchild Semiconductor Rurd620ccs9a-SB82215 0,8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-Rurd620ccs9a-SB82215-600039 1
SS9015-DBU Fairchild Semiconductor SS9015-DBU 0,0200
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 450 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 9.900 45 V 100 ma 50na (ICBO) PNP 700 mv @ 5ma, 100 mA 400 @ 1ma, 5v 190 MHz
MMBT4403 Fairchild Semiconductor MMBT4403 - - -
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBT4403 250 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1 40 v 600 mA 100na PNP 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 200 MHz
FQPF11N50CF Fairchild Semiconductor Fqpf11n50cf 1.5600
RFQ
 ECAD 985 0.00000000 Fairchild Semiconductor FRFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 193 N-Kanal 500 V 11a (TC) 10V 550MOHM @ 5.5A, 10V 4v @ 250 ähm 55 NC @ 10 V ± 30 v 2055 PF @ 25 V. - - - 48W (TC)
KSB564ACGBU Fairchild Semiconductor KSB564ACGBU 0,0700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 800 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 4,798 25 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 1a 200 @ 100ma, 1V 110 MHz
IRFS640A Fairchild Semiconductor IRFS640A 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 9,8a (TC) 10V 180 MOHM @ 4,9a, 10V 4v @ 250 ähm 58 NC @ 10 V ± 30 v 1500 PF @ 25 V. - - - 43W (TC)
FDZ1905PZ Fairchild Semiconductor FDZ1905PZ 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-UFBGA, WLCSP FDZ1905 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 6-WLCSP (1x1.5) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 2 p-kanal (dual) - - - - - - 126mohm @ 1a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm - - - - - - Logikpegel -tor
FDD6776A Fairchild Semiconductor FDD6776A 0,3700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 25 v 17.7a (TA), 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 7,5 Mohm @ 17.7a, 10V 3v @ 250 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V 1490 PF @ 13 V. - - - 3.7W (TA), 39W (TC)
FQPF7N10 Fairchild Semiconductor Fqpf7n10 1.0000
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 5.5a (TC) 10V 350 MOHM @ 2,75A, 10V 4v @ 250 ähm 7,5 NC @ 10 V ± 25 V 250 PF @ 25 V. - - - 23W (TC)
MMBTH10-FS Fairchild Semiconductor MMBTH10-FS - - -
RFQ
 ECAD 3518 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 - - - 25 v - - - Npn 60 @ 4ma, 10V 650 MHz - - -
1N4150TR Fairchild Semiconductor 1N4150TR 0,0200
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Standard DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0070 5 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 50 v 1 V @ 200 Ma 6 ns 100 na @ 50 V 175 ° C (max) 200 ma 2.5PF @ 0V, 1 MHz
1N914_NL Fairchild Semiconductor 1N914_NL 0,0200
RFQ
 ECAD 5289 0.00000000 Fairchild Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Standard DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.835 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 100 v 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µa @ 75 V -55 ° C ~ 175 ° C. 200 ma 4PF @ 0V, 1MHz
MMBZ5239B Fairchild Semiconductor MMBZ5239B 0,0200
RFQ
 ECAD 379 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 7 V. 9.1 v 10 Ohm
FSB50660SFS Fairchild Semiconductor FSB50660SFS - - -
RFQ
 ECAD 5766 0.00000000 Fairchild Semiconductor Motion SPM® 5 Superfet® Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 23-Powermd-Modul, Möwenflügel Mosfet Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 3 Phase 3.1 a 600 V 1500 VRMs
MMBZ5232B Fairchild Semiconductor MMBZ5232B 0,0200
RFQ
 ECAD 8809 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 14.852 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 3 V 5.6 v 11 Ohm
1N4745ATR Fairchild Semiconductor 1N4745atr 0,0300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4745 1 w Do-41 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 10,193 5 µA @ 12,2 V. 16 v 16 Ohm
1N4738A Fairchild Semiconductor 1N4738a 0,0300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 9.616 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 6 V 8.2 v 4,5 Ohm
1N749ATR Fairchild Semiconductor 1N749atr 0,0200
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 Ma 2 µa @ 1 V 4.3 v 22 Ohm
FJNS4206RTA Fairchild Semiconductor FJNS4206RTA 0,0200
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper Fjns42 300 MW To-92s Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.998 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
KSC10080BU Fairchild Semiconductor KSC10080BU 0,0200
RFQ
 ECAD 630 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 800 MW To-92-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-kSC10080BU-600039 Ear99 8541.21.0095 1 60 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 400 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 50 Ma, 2V 50 MHz
PN2222TF Fairchild Semiconductor PN2222TF 0,0500
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 5,805 30 v 600 mA 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10mV 300 MHz
ISL9N312AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N312AS3ST 0,8700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 58a (TC) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 58a, 10V 3v @ 250 ähm 38 nc @ 10 v ± 20 V 1450 PF @ 15 V - - - 75W (TA)
1N5261B Fairchild Semiconductor 1n5261b 1.8600
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 162 1,2 V @ 200 Ma 100 na @ 36 v 47 v 105 Ohm
FQD2N50TF Fairchild Semiconductor FQD2N50TF 0,3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 500 V 1,6a (TC) 10V 5.3OHM @ 800 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 8 NC @ 10 V ± 30 v 230 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 30W (TC)
FQPF7N20 Fairchild Semiconductor Fqpf7n20 0,3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 200 v 4.8a (TC) 10V 690MOHM @ 2,4a, 10V 5 V @ 250 ähm 10 nc @ 10 v ± 30 v 400 PF @ 25 V. - - - 37W (TC)
SSF10N80A Fairchild Semiconductor SSF10N80A 2.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 6,5a (TC) 10V 950mohm @ 3a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 165 NC @ 10 V. ± 30 v 3500 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
1N5282 Fairchild Semiconductor 1N5282 1.0000
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Standard DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 80 v 900 mv @ 100 mA 4 ns 100 na @ 55 V 175 ° C (max) 200 ma 2.5PF @ 0V, 1 MHz
FDS6688 Fairchild Semiconductor FDS6688 1.0700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 16a (ta) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 16a, 10V 3v @ 250 ähm 56 NC @ 5 V. ± 20 V 3888 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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196-LFBGA Expositionspad

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