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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
FQD17N08LTM Fairchild Semiconductor FQD17N08LTM - - -
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 (dpak) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 80 v 12,9a (TC) 5v, 10V 100MOHM @ 6.45A, 10V 2v @ 250 ähm 11,5 NC @ 5 V. ± 20 V 520 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 40 W (TC)
DFB2010 Fairchild Semiconductor DFB2010 1.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, TS-6P Standard TS-6P Herunterladen Ear99 8541.10.0080 240 1,1 V @ 20 a 10 µa @ 50 V 20 a Einphase 100 v
MPS751 Fairchild Semiconductor MPS751 0,1400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 2,319 60 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a 75 @ 1a, 2v 75 MHz
1N971BTR Fairchild Semiconductor 1N971BTR 0,0200
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µa @ 20,6 V 27 v 41 Ohm
SGH15N120RUFDTU Fairchild Semiconductor SGH15N120RUFDtu 3.1200
RFQ
 ECAD 626 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 SGH15 Standard 180 w To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 600 V, 15a, 20ohm, 15 V. 100 ns - - - 1200 V 24 a 45 a 3v @ 15V, 15a 108 NC 20ns/60ns
HUF75343G3 Fairchild Semiconductor HUF75343G3 0,8000
RFQ
 ECAD 546 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 150 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 205 NC @ 20 V ± 20 V 3000 PF @ 25 V. - - - 270W (TC)
FDI9406_F085 Fairchild Semiconductor FDI9406_F085 1.3100
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 40 v 110a (TC) 10V 2,2 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 138 NC @ 10 V ± 20 V 7710 PF @ 25 V. - - - 176W (TJ)
HUFA76443P3_NL Fairchild Semiconductor Hufa76443p3_nl - - -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 237 N-Kanal 60 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 8mohm @ 75a, 10V 3v @ 250 ähm 129 NC @ 10 V ± 16 v 4115 PF @ 25 V. - - - 260W (TC)
1N958B Fairchild Semiconductor 1N958B 2.0800
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 145 75 µa @ 5,7 V 7,5 v 5,5 Ohm
BZX55C4V7 Fairchild Semiconductor BZX55C4V7 0,0400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 1.000 1,3 V @ 100 mA 500 na @ 1 v 4,7 v 60 Ohm
SSR1N60BTM-WS Fairchild Semiconductor SSR1N60BTM-WS 0,1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 900 Ma (TC) 10V 12ohm @ 450 mA, 10V 4v @ 250 ähm 7,7 NC @ 10 V ± 30 v 215 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 28 W (TC)
1N5259B Fairchild Semiconductor 1n5259b - - -
RFQ
 ECAD 5042 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-1n5259b-600039 1 1,2 V @ 200 Ma 100 na @ 30 v 39 v 80 Ohm
FDMS8020 Fairchild Semiconductor FDMS8020 1.0000
RFQ
 ECAD 6840 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 30 v 26a (TA), 42A (TC) 4,5 V, 10 V. 2,5 MOHM @ 26A, 10V 3v @ 250 ähm 61 NC @ 10 V ± 20 V 3800 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA), 65 W (TC)
HUF75332P3 Fairchild Semiconductor HUF75332p3 - - -
RFQ
 ECAD 4297 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-HUF75332p3-600039 1 N-Kanal 55 v 60a (TC) 10V 19Mohm @ 60a, 10V 4v @ 250 ähm 85 NC @ 20 V ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 145W (TC)
BZX55C3V6 Fairchild Semiconductor BZX55C3V6 1.0000
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 1.000 1,3 V @ 100 mA 2 µa @ 1 V 3.6 V 85 Ohm
MJD117TF-FS Fairchild Semiconductor MJD117TF-FS - - -
RFQ
 ECAD 6953 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 1,75 w D-Pak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 1 100 v 2 a 20 µA PNP - Darlington 3v @ 40 mA, 4a 1000 @ 2a, 3v 25 MHz
FDB7030BLS Fairchild Semiconductor FDB7030BLS 1.8700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 60a (ta) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 30a, 10V 3v @ 250 ähm 24 nc @ 5 v ± 20 V 1760 PF @ 15 V - - - 60 W (TC)
MPSW56RLRPG Fairchild Semiconductor MPSW56RLRPG 1.0000
RFQ
 ECAD 8987 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) 1 w To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 2.000 80 v 500 mA 500NA PNP 500mv @ 10 mA, 250 mA 50 @ 250 mA, 1V 50 MHz
FDMA291P Fairchild Semiconductor FDMA291p 1.0000
RFQ
 ECAD 6897 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad MOSFET (Metalloxid) 6-microfet (2x2) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 20 v 6.6a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 42mohm @ 6,6a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 14 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1000 PF @ 10 V - - - 2.4W (TA)
FGD3040G2_F085 Fairchild Semiconductor FGD3040G2_F085 - - -
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 Fairchild Semiconductor ECOSPARK® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FGD3040 Logik 150 w To-252, (d-pak) - - - 0000.00.0000 1 300 V, 6,5a, 1kohm, 5 V. - - - 400 V 41 a 1,25 V @ 4V, 6a - - - 21 NC -/4,8 µs
RURD420S9A Fairchild Semiconductor Rurd420s9a 0,4600
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-Rurd420S9A-600039 1
KSC1009YTA Fairchild Semiconductor KSC1009YTA - - -
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads KSC1009 800 MW To-92-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 140 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 700mv @ 20 mA, 200 Ma 120 @ 50 Ma, 2V 50 MHz
FQPF5N20L Fairchild Semiconductor Fqpf5n20l 0,3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 200 v 3,5a (TC) 5v, 10V 1,2OHM @ 1,75A, 10V 2v @ 250 ähm 6.2 NC @ 5 V. ± 20 V 325 PF @ 25 V. - - - 32W (TC)
FMG1G200US60L Fairchild Semiconductor FMG1G200US60L 55.6300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 695 w Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel - - - 600 V 200 a 2,7 V @ 15V, 200a 250 µA NEIN
FQB19N20LTM Fairchild Semiconductor FQB19N20LTM 1.0000
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 200 v 21a (TC) 5v, 10V 140 MOHM @ 10,5a, 10V 2v @ 250 ähm 35 NC @ 5 V. ± 20 V 2200 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 140W (TC)
1N977B Fairchild Semiconductor 1N977B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 163 5 µA @ 35,8 V. 47 v 105 Ohm
FDB14AN06LA0 Fairchild Semiconductor Fdb14an06la0 1.0000
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 10A (TA), 67A (TC) 5v, 10V 11.6mohm @ 67a, 10V 3v @ 250 ähm 31 NC @ 5 V. ± 20 V 2900 PF @ 25 V. - - - 125W (TC)
FQP4N25 Fairchild Semiconductor FQP4N25 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 250 V 3.6a (TC) 10V 1,75OHM @ 1,8a, 10V 5 V @ 250 ähm 5.6 NC @ 10 V ± 30 v 200 PF @ 25 V. - - - 52W (TC)
IRFM120A Fairchild Semiconductor IRFM120A - - -
RFQ
 ECAD 2953 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223-4 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 89 N-Kanal 100 v 2.3a (TA) 10V 200mohm @ 1.15a, 10V 4v @ 250 ähm 22 NC @ 10 V. ± 20 V 480 PF @ 25 V. - - - 2.4W (TA)
KSP2222ABU Fairchild Semiconductor KSP2222ABU 0,0500
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0095 6,483 40 v 600 mA 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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