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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuell Stromspannung Spannung - Isolation ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FJY4008R Fairchild Semiconductor Fjy4008r 0,0200
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 Fjy400 200 MW SOT-523F Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
FSAM20SH60A Fairchild Semiconductor FSAM20SH60A - - -
RFQ
 ECAD 7731 0.00000000 Fairchild Semiconductor Bewegung SPM® 2 Schüttgut Aktiv K. Loch 32-Powerdip-Modul (1,370 ", 34,80 mm) IGBT FSAM20 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen Ear99 8542.39.0001 1 3 Phase 20 a 600 V 2500 VRMs
HUF75321S3ST Fairchild Semiconductor HUF75321S3ST 0,3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 55 v 35a (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4v @ 250 ähm 44 NC @ 20 V ± 20 V 680 PF @ 25 V. - - - 93W (TC)
FDD6296 Fairchild Semiconductor FDD6296 0,4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 697 N-Kanal 30 v 15a (ta), 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 8,8 MOHM @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 31.5 nc @ 10 v ± 20 V 1440 PF @ 15 V - - - 3,8 W (TA), 52W (TC)
MBR1560CT Fairchild Semiconductor MBR1560CT 1.0000
RFQ
 ECAD 5560 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-3 Schottky To-220-3 Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 15a 900 mv @ 15 a 1 ma @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C.
FDD6512A Fairchild Semiconductor FDD6512a 0,4100
RFQ
 ECAD 516 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 20 v 10.7a (TA), 36a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 21mohm @ 10.7a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 19 NC @ 4,5 V. ± 12 V 1082 PF @ 10 V - - - 3,8 W (TA), 43W (TC)
1N486B-T50A Fairchild Semiconductor 1N486B-T50A 0,0200
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Standard DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Nicht Anwendbar Ear99 8541.10.0070 5.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 250 V 1 V @ 100 mA 50 na @ 225 V 175 ° C (max) 200 ma - - -
1N457TR Fairchild Semiconductor 1N457TR 0,0400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Standard DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Ear99 8541.10.0070 8,172 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 70 V 1 V @ 20 mA 25 na @ 60 v 175 ° C (max) 200 ma 8PF @ 0V, 1 MHz
MJE171STU Fairchild Semiconductor MJE171Stu - - -
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 1,5 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 60 60 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 1,7 V @ 600 Ma, 3a 50 @ 100 mA, 1V 50 MHz
MJD350TF Fairchild Semiconductor MJD350TF - - -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 1,56 w Dpak-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-MJD350TF-600039 1 300 V 500 mA 100 µA PNP 1v @ 10 mA, 100 mA 30 @ 50 Ma, 10 V 10 MHz
FMM7G20US60I Fairchild Semiconductor FMM7G20US60I 28.1700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Modul 89 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-FMM7G20US60i Ear99 8541.29.0095 1 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 600 V 20 a 2,7 V @ 15V, 20a 250 µA Ja 1.277 NF @ 30 V
FLZ9V1C Fairchild Semiconductor FLZ9V1C 1.0000
RFQ
 ECAD 7960 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 27.500 1,2 V @ 200 Ma 300 na @ 6 v 9.1 v 6.6 Ohm
IRF730B Fairchild Semiconductor Irf730b 0,3200
RFQ
 ECAD 471 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 5.5a (TC) 10V 1OHM @ 2,75a, 10V 4v @ 250 ähm 33 NC @ 10 V. ± 30 v 1000 PF @ 25 V. - - - 73W (TC)
1N4737ATR Fairchild Semiconductor 1N4737ATR 0,0300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4737 1 w Do-41 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 10 µa @ 5 V 7,5 v 4 Ohm
KSA928AOTA Fairchild Semiconductor KSA928AOTA - - -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) KSA928 1 w To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 30 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 2v @ 30 mA, 1,5a 100 @ 500 mA, 2V 120 MHz
FDPF7N50F Fairchild Semiconductor FDPF7N50F 0,7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 6a (TC) 10V 1,15OHM @ 3a, 10V 5 V @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 30 v 960 PF @ 25 V. - - - 38,5W (TC)
ISL9N307AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N307As3st - - -
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 67 N-Kanal 30 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 75a, 10V 3v @ 250 ähm 75 NC @ 10 V ± 20 V 3000 PF @ 15 V - - - 100 w (ta)
EGP20J Fairchild Semiconductor EGP20J 0,2200
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial Standard Do-15 Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1,385 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 45PF @ 4V, 1 MHz
FDS3612 Fairchild Semiconductor FDS3612 0,6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 3.4a (TA) 6 V, 10V 120 MOHM @ 3,4a, 10V 4v @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 20 V 632 PF @ 50 V - - - 2,5 W (TA)
FDMB506P Fairchild Semiconductor FDMB506P 0,6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn MOSFET (Metalloxid) 8-mlp, Mikrofet (3x1.9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 6.8a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 30mohm @ 6,8a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 30 NC @ 4,5 V. ± 8 v 2960 PF @ 10 V. - - - 1,9W (TA)
FSBM15SM60A Fairchild Semiconductor FSBM15SM60A 19.8200
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Fairchild Semiconductor SPM® Schüttgut Aktiv K. Loch 32-Powerdip-Modul (1,370 ", 34,80 mm) IGBT Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 48 3 Phase 15 a 600 V 2500 VRMs
KSC5305DFTTU-FS Fairchild Semiconductor KSC5305DFTTU-FS 0,5100
RFQ
 ECAD 9836 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack KSC5305 To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 1 10 µA (ICBO) Npn 500mv @ 400 mA, 2a 8 @ 2a, 1V - - -
FJPF13009H1TU Fairchild Semiconductor FJPF13009H1TU 0,8900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Vollpackung, Geformete-Leads 50 w To-220F-3 (Y-Forming) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 337 400 V 12 a - - - Npn 3v @ 3a, 12a 6 @ 8a, 5V 4MHz
2N5401RA Fairchild Semiconductor 2n5401ra 1.0000
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 2N5401 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 150 v 600 mA 50 µA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50 mA 60 @ 10ma, 5V 400 MHz
BC560BTA Fairchild Semiconductor BC560BTA 1.0000
RFQ
 ECAD 7158 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 150 MHz
FGAF40N60UFTU Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFTU 1.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8542.39.0001 160
MMBT3416 Fairchild Semiconductor MMBT3416 0,0200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 0000.00.0000 3.000 50 v 500 mA - - - Npn - - - - - - - - -
1N5407 Fairchild Semiconductor 1N5407 - - -
RFQ
 ECAD 4168 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-201aa, Do-27, axial Standard Axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1 V @ 3 a 10 µa @ 800 V -65 ° C ~ 170 ° C. 3a - - -
MMBZ5256B Fairchild Semiconductor MMBZ5256B - - -
RFQ
 ECAD 9886 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 23 v 30 v 49 Ohm
FDS6898AZ-F085 Fairchild Semiconductor FDS6898Az-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 9659 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-FDS6898Az-F085-600039 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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