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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Spannung - Breakdown (V (BR) GSS)	Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
HUF76009P3	0,5300	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal		20 v	20A (TC)	5v, 10V	27mohm @ 20a, 10V	3v @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 20 V	470 PF @ 20 V	- - -	41W (TC)
IRFW610BTMFP001	0,7100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	800			N-Kanal		200 v	3.3a (TC)	10V	1,5OHM @ 1,65A, 10V	4v @ 250 ähm	9.3 NC @ 10 V	± 30 v	225 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 38W (TC)
HGTG20N60B3_NL	1.5900	RFQ	9472	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		165 w		To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	22				- - -																		- - -	600 V	40 a	160 a	2v @ 15V, 20a	- - -	135 NC	- - -
Fdd6670a_nl	0,8700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal		30 v	15a (ta), 66a (TC)	4,5 V, 10 V.	8mohm @ 15a, 10V	3v @ 250 ähm	22 NC @ 5 V	± 20 V	1755 PF @ 15 V	- - -	1,3W (TA), 63W (TC)
FMM7G30US60N	28.1700	RFQ	31	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Modul				104 w	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	- - -	Herunterladen	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen	2156-FMM7G30US60N	Ear99	8541.29.0095	1	Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse																					- - -	600 V	30 a		2,7 V @ 15V, 30a									250 µA	Ja			2.1 NF @ 30 V
FCPF21N60NT	3.0800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		- - -	K. Loch	To-220-3 Full Pack	FCPF21		MOSFET (Metalloxid)			To-220f	- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal		600 V	- - -		- - -	- - -				- - -	- - -
FDMC0223	0,1700	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv											- - -	Nicht Anwendbar	3 (168 Stunden)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	3.000
FCA20N60	- - -	RFQ	5993	Fairchild Semiconductor	Superfet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	FCA20		MOSFET (Metalloxid)			To-3pn	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1			N-Kanal		600 V	20A (TC)	10V	190mohm @ 10a, 10V	5 V @ 250 ähm	98 NC @ 10 V.	± 30 v	3080 PF @ 25 V.	- - -	208W (TC)
FGI3236-F085	2.0500	RFQ	971	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, EcoSospark®	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		Logik		187 w		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1				300 V, 1kohm, 5V																		- - -	360 V	44 a		1,4 V @ 4V, 6a	- - -	20 NC	-/5,4 µs
73389	1.3700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv					- - -						- - -	Nicht Anwendbar	3 (168 Stunden)				0000.00.0000	220
FGB3236-F085	1.4900	RFQ	22	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, EcoSospark®	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		Logik		187 w		D2pak (to-263)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	219				300 V, 1kohm, 5V																		- - -	360 V	44 a		1,4 V @ 4V, 6a	- - -	20 NC	-/5,4 µs
BCW61BMTF	0,0200	RFQ	21	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BCW61			350 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000																							32 v	100 ma											20na					PNP	550 MV @ 1,25 mA, 50 mA	140 @ 2MA, 5V	- - -
FGPF50N33BTTU	0,8000	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-220-3 Full Pack	FGPF5	Standard		43 w		To-220f	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1				- - -																		Graben	330 V	50 a	160 a	1,5 V @ 15V, 20a	- - -	35 NC	- - -
1N4730a	0,0300	RFQ	63	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 0,5%	- - -	K. Loch	Axial	1N4730			1 w		DO-41G	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 100 mA		50 µa @ 1 V																			3,9 v	9 Ohm
KSH47TF	1.0000	RFQ	5767	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	KSH47			1,56 w		D-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	2.000																							250 V	1 a											200 µA					Npn	1v @ 200 Ma, 1a	30 @ 300 mA, 10V	10 MHz
FDMS3008SDC	1.3000	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	FDMS30		MOSFET (Metalloxid)			Dual Cool ™ 56	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	3.000			N-Kanal		30 v	29a (ta)	4,5 V, 10 V.	2,6 MOHM @ 28a, 10V	3V @ 1ma	64 NC @ 10 V	± 20 V	4520 PF @ 15 V	- - -	3.3W (TA), 78W (TC)
MMBZ5254B	0,0200	RFQ	516	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				225 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																900 mv @ 10 mA		100 na @ 21 V																			27 v	41 Ohm
MBR1060	- - -	RFQ	3061	Fairchild Semiconductor	SwitchMode ™	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-220-2	MBR106		Schottky			To-220-2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													60 v	800 mV @ 10 a		1 ma @ 60 v	-65 ° C ~ 175 ° C.	- - -	- - -
IRFS634BT	0,1800	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv					IRFS634		- - -				- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert				1.803													- - -
2N7002V	- - -	RFQ	3042	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666	2N7002		MOSFET (Metalloxid)	250 MW		SOT-563F	Herunterladen						0000.00.0000	1	2 n-kanal (dual)				60 v	280 Ma		7.5OHM @ 50 Ma, 5V	2,5 V @ 250 ähm	- - -		50pf @ 25v	Logikpegel -tor
EGP20K	0,2500	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	DO-204AC, DO-15, Axial			Standard			Do-15	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													800 V	1,7 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	2a	45PF @ 4V, 1 MHz
FDS4501H	0,7200	RFQ	40	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS4501		MOSFET (Metalloxid)	1W		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N und p-kanal				30 V, 20V	9,3a, 5,6a		18mohm @ 9.3a, 10V	3v @ 250 ähm	27nc @ 4,5V		1958PF @ 10V	Logikpegel -tor
FDS6961a	- - -	RFQ	7843	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS69		MOSFET (Metalloxid)	900 MW		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 n-kanal (dual)				30V	3.5a		90 MOHM @ 3,5A, 10V	3v @ 250 ähm	4nc @ 5v		220PF @ 15V	Logikpegel -tor
MMBF5461	0,0900	RFQ	5635	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Nicht für Designs		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				225 MW		SOT-23-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0095	2			P-Kanal									7pf @ 15V																				40 v	2 ma @ 15 v	1 V @ 1 µA
FDMA3027PZ	0,6500	RFQ	21	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-VDFN-Exponiertebad	FDMA3027		MOSFET (Metalloxid)	700 MW		6-microfet (2x2)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	462	2 p-kanal (dual)				30V	3.3a		87mohm @ 3.3a, 10V	3v @ 250 ähm	10nc @ 10v		435PF @ 15V	Logikpegel -tor
GBPC1506	- - -	RFQ	3822	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC -terminal	4 Quadratmeter, GBPC	GBPC15		Standard			GBPC	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1																1,1 V @ 7,5 a		5 µa @ 600 V		15 a										Einphase	600 V
DF08S2	- - -	RFQ	1041	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	4-smd, Möwenflügel			Standard			4-sdip	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	672																1,1 V @ 2 a		3 µa @ 800 V		2 a										Einphase	800 V
SGL50N60RUFDTU	- - -	RFQ	3313	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-264-3, to-264aa	SGL50N60	Standard		250 w		HPM F2	- - -						0000.00.0000	1				300 V, 50A, 5,9OHM, 15 V.													100 ns					- - -	600 V	80 a	150 a	2,8 V @ 15V, 50a	1,68MJ (EIN), 1,03 MJ (AUS)	145 NC	26ns/66ns
Fdpf18n20ft-g	0,7100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal		200 v	18a (TC)	10V	140MOHM @ 9A, 10V	5 V @ 250 ähm	26 NC @ 10 V	± 30 v	1180 PF @ 25 V.	- - -	35W (TC)
FGH40T120SMD	- - -	RFQ	9903	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		555 w		To-247	Herunterladen						0000.00.0000	1				600 V, 40a, 10ohm, 15 V.													65 ns					TRABENFELD STOPP	1200 V	80 a	160 a	2,4 V @ 15V, 40a	2,7MJ (EIN), 1,1MJ (AUS)	370 NC	40ns/475ns

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²