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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
GBU4M	0,7200	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-ESIP, GBU			Standard		GBU	Herunterladen	Ear99	8541.10.0080	414																1 V @ 4 a		5 µa @ 1 V		2.8 a										Einphase	1 kv
FDS4501H	0,7200	RFQ	40	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS4501		MOSFET (Metalloxid)	1W	8-soic	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	1	N und p-kanal				30 V, 20V	9,3a, 5,6a		18mohm @ 9.3a, 10V	3v @ 250 ähm	27nc @ 4,5V		1958PF @ 10V	Logikpegel -tor
FDS6680As	1.0000	RFQ	2990	Fairchild Semiconductor	Powertrench®, SyncFet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal		30 v	11,5a (ta)	4,5 V, 10 V.	10Mohm @ 11.5a, 10V	3V @ 1ma	30 NC @ 10 V	± 20 V	1240 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
FDS6990A	- - -	RFQ	4289	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS6990		MOSFET (Metalloxid)	900 MW	8-soic	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	1	2 n-kanal (dual)				30V	7.5a		18Mohm @ 7.5a, 10V	3v @ 250 ähm	17nc @ 5v		1235PF @ 15V	Logikpegel -tor
ISL9V3036S3STSB82029A	1.0000	RFQ	1646	Fairchild Semiconductor	ECOSPARK®	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		Logik		150 w	D2pak (to-263)	Herunterladen		0000.00.0000	50				- - -																		- - -	360 V	21 a		1,6 V @ 4V, 6a	- - -	17 NC	-/4,8 µs
MBR3030CTtu	- - -	RFQ	2349	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv										- - -		0000.00.0000	1
DFB2505	1.6400	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, TS-6P	DFB25		Standard		TS-6P	Herunterladen	Ear99	8541.10.0080	199																1,1 V @ 25 a		10 µa @ 50 V		25 a										Einphase	50 v
FGH60N60SFTU	3.7100	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	81
FGH40T120SMD	- - -	RFQ	9903	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		555 w	To-247	Herunterladen		0000.00.0000	1				600 V, 40a, 10ohm, 15 V.													65 ns					TRABENFELD STOPP	1200 V	80 a	160 a	2,4 V @ 15V, 40a	2,7MJ (EIN), 1,1MJ (AUS)	370 NC	40ns/475ns
KSC1008COBU	0,0200	RFQ	1626	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				800 MW	To-92-3	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	3.786																							60 v	700 Ma								100NA (ICBO)			Npn	400 mv @ 50 mA, 500 mA	70 @ 50 Ma, 2V	50 MHz
FDS4935BZ	- - -	RFQ	9371	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS49		MOSFET (Metalloxid)	900 MW (TA)	8-soic	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	1	2 p-kanal (dual)				30V	6.9a (ta)		22mohm @ 6.9a, 10V	3v @ 250 ähm	40nc @ 10v		1360PF @ 15V	- - -
FDMA3027PZ	0,6500	RFQ	21	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-VDFN-Exponiertebad	FDMA3027		MOSFET (Metalloxid)	700 MW	6-microfet (2x2)	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	462	2 p-kanal (dual)				30V	3.3a		87mohm @ 3.3a, 10V	3v @ 250 ähm	10nc @ 10v		435PF @ 15V	Logikpegel -tor
HGTG27N120BN	- - -	RFQ	8388	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		500 w	To-247	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	1				960V, 27a, 3OHM, 15 V.																		Npt	1200 V	72 a	216 a	2,7 V @ 15V, 27a	2,2mj (EINS), 2,3mj (AUS)	270 NC	24ns/195ns
FDD3680	- - -	RFQ	5170	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal		100 v	25a (ta)	6 V, 10V	46mohm @ 6.1a, 10V	4v @ 250 ähm	53 NC @ 10 V	± 20 V	1735 PF @ 50 V	- - -	68W (TA)
FGAF40N60UFDtu	2.4800	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack		Standard		100 w	To-3Pf	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	122				300 V, 20a, 10ohm, 15 V.													95 ns					- - -	600 V	40 a	160 a	3v @ 15V, 20a	470 µJ (EIN), 130 µJ (AUS)	77 NC	15ns/65ns
HGTG30N60C3D	6.9600	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		208 w	To-247	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	44				- - -													60 ns					- - -	600 V	63 a	252 a	1,8 V @ 15V, 30a	1,05MJ (EIN), 2,5mj (AUS)	162 NC	- - -
FDN306P	- - -	RFQ	1935	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	1			P-Kanal		12 v	2.6a (TA)	1,8 V, 4,5 V.	40mohm @ 2,6a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	17 NC @ 4,5 V.	± 8 v	1138 PF @ 6 V	- - -	500 MW (TA)
GBPC1204W	2.4800	RFQ	626	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4 Quadratmeter, gbpc-w			Standard		Gbpc-w	Herunterladen	Ear99	8541.10.0080	122																1,1 V @ 6 a		5 µa @ 400 V		12 a										Einphase	400 V
FDBL0120N40	- - -	RFQ	4932	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerfn			MOSFET (Metalloxid)		8-hpsof	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal		40 v	240a (TC)	10V	1,2 MOHM @ 80A, 10V	4v @ 250 ähm	107 NC @ 10 V	± 20 V	7735 PF @ 25 V.	- - -	300W (TJ)
1N4746ATR	- - -	RFQ	7736	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial				1 w	DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	Ear99	8541.10.0050	1																		5 µa @ 13,7 V															18 v	20 Ohm
Df005m	0,2300	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm)			Standard		DFM	Herunterladen	Ear99	8541.10.0080	1,296																1,1 V @ 1 a		10 µa @ 50 V		1 a										Einphase	50 v
Fdd5n50nzftm	- - -	RFQ	3985	Fairchild Semiconductor	UNIFET-II ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal		500 V	3.7a (TC)	10V	1,75OHM @ 1,85a, 10V	5 V @ 250 ähm	12 NC @ 10 V	± 25 V	485 PF @ 25 V.	- - -	62,5W (TC)
GBPC12005	- - -	RFQ	1499	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC -terminal	4 Quadratmeter, GBPC			Standard		GBPC	Herunterladen	Ear99	8541.10.0080	1																1,1 V @ 6 a		5 µa @ 50 V		12 a										Einphase	50 v
GBPC1508	2.5700	RFQ	4019	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC -terminal	4 Quadratmeter, GBPC			Standard		GBPC	Herunterladen	Ear99	8541.10.0080	100																1,1 V @ 7,5 a		5 µa @ 800 V		15 a										Einphase	800 V
EGP20K	0,2500	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	DO-204AC, DO-15, Axial			Standard		Do-15	Herunterladen	Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													800 V	1,7 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	2a	45PF @ 4V, 1 MHz
FQB6N40CTM	0,8100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	- - -		0000.00.0000	1			N-Kanal		400 V	6a (TC)	10V	1ohm @ 3a, 10 V	4v @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 30 v	625 PF @ 25 V.	- - -	73W (TC)
1N5252BTR	0,0200	RFQ	7944	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	Ear99	8541.10.0050	1																1,2 V @ 200 Ma		100 Na @ 18 V.															24 v	33 Ohm
Fdn327n	- - -	RFQ	9268	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	1			N-Kanal		20 v	2a (ta)	1,8 V, 4,5 V.	70 MOHM @ 2A, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	6,3 NC @ 4,5 V.	± 8 v	423 PF @ 10 V.	- - -	500 MW (TA)
FDMS7694	0,3200	RFQ	25	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	943			N-Kanal		30 v	13,2a (TA), 20A (TC)	4,5 V, 10 V.	9,5 MOHM @ 13,2a, 10V	3v @ 250 ähm	22 NC @ 10 V.	± 20 V	1410 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA), 27W (TC)
FGH40T65SPD-F085	2.4800	RFQ	1587	Fairchild Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		267 w	To-247	Herunterladen	Ear99	8542.39.0001	1				400 V, 40a, 6OHM, 15 V.																		Npt	650 V	80 a	120 a	2,4 V @ 15V, 40a	1,16 MJ (EIN), 270 µJ (AUS)	36 NC	18ns/35ns

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²