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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FLZ33VB Fairchild Semiconductor FLZ33VB 0,0200
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 Ma 133 na @ 25 v 31.1 v 55 Ohm
BZX55C15 Fairchild Semiconductor BZX55C15 0,0600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 1.000 1,3 V @ 100 mA 100 na @ 11 v 15 v 30 Ohm
1N4744A-T50R Fairchild Semiconductor 1N4744A-T50R 0,0500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4744 1 w Do-41 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 5 µa @ 11,4 V 15 v 14 Ohm
KSA643CYTA Fairchild Semiconductor KSA643CYTA 0,0400
RFQ
 ECAD 6054 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 1.850 20 v 500 mA 200na (ICBO) PNP 400 mv @ 50 mA, 500 mA 120 @ 100 mA, 1V - - -
FJY4008R Fairchild Semiconductor Fjy4008r 0,0200
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 Fjy400 200 MW SOT-523F Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
BD17510STU Fairchild Semiconductor BD17510stu - - -
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 30 w To-126-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 553 45 V 3 a 100 µA (ICBO) Npn 800mv @ 100 mA, 1a 63 @ 150 mA, 2V 3MHz
1N5228BTR Fairchild Semiconductor 1N5228BTR 0,0200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5228 500 MW Do-35 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 1 V 3,9 v 23 Ohm
FDH210N08 Fairchild Semiconductor FDH210N08 - - -
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 75 V - - - 10V - - - - - - ± 20 V - - - 462W (TC)
FJC2383YTF Fairchild Semiconductor FJC2383YTF 1.0000
RFQ
 ECAD 8581 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 500 MW SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 4.000 160 v 1 a 1 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 160 @ 200 Ma, 5V 100 MHz
HUF75333S3 Fairchild Semiconductor HUF75333S3 0,6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 55 v 66a (TC) 10V 16mohm @ 66a, 10V 4v @ 250 ähm 85 NC @ 20 V ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
1N756A Fairchild Semiconductor 1N756a 1.9200
RFQ
 ECAD 141 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 156 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 v 8.2 v 8 Ohm
BC850AMTF Fairchild Semiconductor BC850AMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC850 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 300 MHz
SB2003M-TL-E Fairchild Semiconductor Sb2003m-tl-e 0,1900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 6-smd, Flache Leitungen Schottky 6-mcph Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-SB2003M-TL-E-600039 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 500 mV @ 2 a 20 ns 30 µa @ 15 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a 75PF @ 10V, 1 MHz
BCX19 Fairchild Semiconductor BCX19 0,0500
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BCX19 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 2.800 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 620 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V - - -
FDW2511NZ Fairchild Semiconductor FDW2511NZ 0,3600
RFQ
 ECAD 348 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) FDW25 MOSFET (Metalloxid) 1.6W 8-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss 20V 7.1a 20mohm @ 7.1a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 17.3nc @ 4,5V 1000pf @ 10v Logikpegel -tor
HUF76609D3S Fairchild Semiconductor HUF76609D3S 0,3900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 100 v 10a (TC) 4,5 V, 10 V. 160 Mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 16 NC @ 10 V ± 16 v 425 PF @ 25 V. - - - 49W (TC)
MPSW3725 Fairchild Semiconductor MPSW3725 0,1000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 1 w To-226-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 1.500 40 v 1.2 a 100NA (ICBO) Npn 950 mv @ 100 mA, 1a 60 @ 100 mA, 1V 250 MHz
FQPF4N60 Fairchild Semiconductor Fqpf4n60 0,7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 2.6a (TC) 10V 2,2OHM @ 1,3a, 10 V 5 V @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 30 v 670 PF @ 25 V. - - - 36W (TC)
KSB1116SYTA Fairchild Semiconductor KSB1116SYTA 0,0500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 750 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 50 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300 mV @ 50 Ma, 1a 135 @ 100 mA, 2V 120 MHz
FLZ30VC Fairchild Semiconductor FLZ30VC 0,0200
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 4,045 1,2 V @ 200 Ma 133 na @ 23 v 29.1 v 46 Ohm
FDI8442 Fairchild Semiconductor FDI8442 1.5300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 40 v 23a (TA), 80A (TC) 10V 2,9 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 235 NC @ 10 V ± 20 V 12200 PF @ 25 V. - - - 254W (TC)
FJC1308RTF Fairchild Semiconductor FJC1308RTF 0,0700
RFQ
 ECAD 5963 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 500 MW SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2156-FJC1308RTF Ear99 8541.21.0095 4.000 30 v 3 a 500NA PNP 450 MV @ 150 Ma, 1,5a 180 @ 500 mA, 2V - - -
SS9012GBU Fairchild Semiconductor SS9012GBU 0,0200
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 20 v 500 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 50 mA, 500 mA 64 @ 50 Ma, 1V - - -
2N5400RA Fairchild Semiconductor 2N5400RA 0,0400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 120 v 600 mA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50 mA 40 @ 10ma, 5V 400 MHz
FDS6688AS Fairchild Semiconductor FDS6688as 0,6700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 14,5a (ta) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 14.5a, 10V 3v @ 250 ähm 63 NC @ 10 V ± 20 V 2510 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
HUF76145S3S Fairchild Semiconductor HUF76145S3S 1,9000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 4,5 MOHM @ 75A, 10V 3v @ 250 ähm 156 NC @ 10 V ± 20 V 4900 PF @ 25 V. - - - 270W (TC)
HP4936DY Fairchild Semiconductor HP4936dy 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) HP4936 MOSFET (Metalloxid) 2W (TA) 8-soic Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 30V 5.8a (ta) 37mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250 ähm 25nc @ 10v 625PF @ 25v Logikpegel -tor
IRFP254BFP001 Fairchild Semiconductor IRFP254BFP001 - - -
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen 0000.00.0000 1 N-Kanal 250 V 25a (TC) 10V 140 MOHM @ 12.5A, 10V 4v @ 250 ähm 123 NC @ 10 V ± 30 v 3400 PF @ 25 V. - - - 221W (TC)
FDR836P Fairchild Semiconductor FDR836p 0,9000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-lsop (0,130 ", 3,30 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) Supersot ™ -8 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 6.1a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 30mohm @ 6.1a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 44 NC @ 4,5 V. ± 8 v 2200 PF @ 25 V. - - - 900 MW (TA)
FCA20N60 Fairchild Semiconductor FCA20N60 - - -
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 FCA20 MOSFET (Metalloxid) To-3pn Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 600 V 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5 V @ 250 ähm 98 NC @ 10 V. ± 30 v 3080 PF @ 25 V. - - - 208W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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