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Diskette HalblerProdukte (5251)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
DF005S1	0,2100	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	4-smd, Möwenflügel			Standard		4-sdip	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1													1,1 V @ 1 a		3 µa @ 50 V	1 a									Einphase	50 v
FDS9435a	- - -	RFQ	8938	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	P-Kanal		30 v	5.3a (ta)	4,5 V, 10 V.	50mohm @ 5.3a, 10V	3v @ 250 ähm	14 NC @ 10 V	± 25 V	528 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
FGH30N6S2	0,9500	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		167 w	To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	150		390 V, 12a, 10ohm, 15 V.															- - -	600 V	45 a	108 a	2,5 V @ 15V, 12a	55 µJ (EIN), 100 µJ (AUS)	23 NC	6ns/40ns
Fqpf9n50t	0,9600	RFQ	11	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000	N-Kanal		500 V	5.3a (TC)	10V	730MOHM @ 2,65A, 10V	5 V @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 30 v	1450 PF @ 25 V.	- - -	50W (TC)
FQNL2N50BBU	- - -	RFQ	4931	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen)			MOSFET (Metalloxid)		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	6.000	N-Kanal		500 V	350 Ma (TC)	10V	5.3OHM @ 175 mA, 10V	3,7 V @ 250 ähm	8 NC @ 10 V	± 30 v	230 PF @ 25 V.	- - -	1,5 W (TC)
KBU6J	0,7100	RFQ	5162	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, KBU			Standard		KBU	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0080	84													1 V @ 6 a		10 µa @ 50 V	6 a									Einphase	600 V
FJPF6806DTU	- - -	RFQ	7696	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				40 w	To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50																		750 V	6 a								1ma			Npn	5v @ 1a, 4a	4 @ 4a, 5v	- - -
HUFA76429D3S	0,6000	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.800	N-Kanal		60 v	20A (TC)	4,5 V, 10 V.	23mohm @ 20a, 10V	3v @ 250 ähm	46 NC @ 10 V	± 16 v	1480 PF @ 25 V.	- - -	110W (TC)
HUF76639S3S	- - -	RFQ	3617	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	188	N-Kanal		100 v	51a (TC)	4,5 V, 10 V.	26mohm @ 51a, 10V	3v @ 250 ähm	86 NC @ 10 V	± 16 v	2400 PF @ 25 V.	- - -	180W (TC)
3n258	0,5200	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-sip, kbpm			Standard		Kbpm	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0080	30													1,1 V @ 3.14 a		5 µa @ 800 V	2 a									Einphase	800 V
FQPF9N25CT	0,5700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000	N-Kanal		250 V	8.8a (TC)	10V	430mohm @ 4.4a, 10V	4v @ 250 ähm	35 NC @ 10 V	± 30 v	710 PF @ 25 V.	- - -	38W (TC)
FQD6N50CTF	0,6000	RFQ	750	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.000	N-Kanal		500 V	4,5a (TC)	10V	1,2OHM @ 2,25A, 10V	4v @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 30 v	700 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 61W (TC)
FQI19N20TU	0,6700	RFQ	11	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000	N-Kanal		200 v	19,4a (TC)	10V	150 MOHM @ 9.7a, 10V	5 V @ 250 ähm	40 nc @ 10 v	± 30 v	1600 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 140W (TC)
BZX85C5V1TR5K	0,0600	RFQ	50	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial				1 w	DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.10.0050	5.000													1,2 V @ 200 Ma		1 µa @ 2 V.													5.1 v	10 Ohm
GBPC2506W	- - -	RFQ	6685	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4 Quadratmeter, gbpc-w			Standard		Gbpc-w	Herunterladen						0000.00.0000	1													1,1 V @ 12.5 a		5 µa @ 600 V	25 a									Einphase	600 V
FCH104N60	1.0000	RFQ	7227	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	FCH104		MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal		600 V	37a (TC)	10V	104mohm @ 18.5a, 10V	3,5 V @ 250 ähm	82 NC @ 10 V	± 20 V	4165 PF @ 380 V	- - -	357W (TC)
SGS6N60UFDTU	1.0000	RFQ	9771	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	SGS6N	Standard		22 w	To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		300 V, 3a, 80 Ohm, 15 V												52 ns			- - -	600 V	6 a	25 a	2,6 V @ 15V, 3a	57 µJ (EIN), 25 µJ (AUS)	15 NC	15ns/60ns
FDH038AN08A1	6.3800	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			MOSFET (Metalloxid)		To-247	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	51	N-Kanal		75 V	22A (TA), 80A (TC)	6 V, 10V	3,8 MOHM @ 80A, 10V	4v @ 250 ähm	160 nc @ 10 v	± 20 V	8665 PF @ 25 V.	- - -	450W (TC)
Fdd16an08a0_nf054	1.0000	RFQ	3965	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.29.0095	2.500	N-Kanal		75 V	9A (TA), 50A (TC)	6 V, 10V	16mohm @ 50a, 10V	4v @ 250 ähm	47 NC @ 10 V	± 20 V	1874 PF @ 25 V.	- - -	135W (TC)
FDN304p	- - -	RFQ	6522	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen						0000.00.0000	1	P-Kanal		20 v	2.4a (TA)	1,8 V, 4,5 V.	52mohm @ 2,4a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	20 NC @ 4,5 V.	± 8 v	1312 PF @ 10 V	- - -	500 MW (TA)
3n250	0,3000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	K. Loch	4-sip, kbpm			Standard		Kbpm	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0080	30													1 V @ 1 a		5 µa @ 600 V	1,5 a									Einphase	600 V
1N757a	2.0800	RFQ	133	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0050	145													1,5 V @ 200 Ma		100 na @ 1 v													9.1 v	10 Ohm
1N749a	2.0800	RFQ	101	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.10.0050	156													1,5 V @ 200 Ma		2 µa @ 1 V													4.3 v	22 Ohm
Mm5z12v	- - -	RFQ	7658	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-79, SOD-523F				200 MW	SOD-523F	- - -		Verkäfer undefiniert	Verkäfer undefiniert	2156-mm5Z12V-600039			1															100 na @ 8 v													12 v	25 Ohm
SGP15N60RUFTU	3.0300	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	SGP15N	Standard		160 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		300 V, 15a, 13ohm, 15 V.															- - -	600 V	24 a	45 a	2,8 V @ 15V, 15a	320 µJ (EIN), 356 µJ (AUS)	42 NC	17ns/44ns
FDS6682	- - -	RFQ	4662	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal		30 v	14a (ta)	4,5 V, 10 V.	7,5 MOHM @ 14A, 10V	3v @ 250 ähm	31 NC @ 5 V.	± 20 V	2310 PF @ 15 V	- - -	1W (TA)
GBPC2506	- - -	RFQ	6367	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC -terminal	4 Quadratmeter, GBPC			Standard		GBPC	Herunterladen						0000.00.0000	1													1,1 V @ 12.5 a		5 µa @ 600 V	25 a									Einphase	600 V
DFB2510	1.6400	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, TS-6P	DFB25		Standard		TS-6P	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	199													1,1 V @ 25 a		10 µa @ 100 V.	25 a									Einphase	100 v
Df08m	- - -	RFQ	3254	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm)			Standard		DFM	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	1,202													1,1 V @ 1 a		10 µa @ 800 V	1 a									Einphase	800 V
Gbu8a	0,8200	RFQ	890	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-ESIP, GBU			Standard		GBU	Herunterladen					Ear99	8541.10.0080	367													1 V @ 8 a		5 µa @ 50 V	5.6 a									Einphase	50 v

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5251)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²