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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
FDP20AN06A0 Fairchild Semiconductor FDP20AN06A0 - - -
RFQ
 ECAD 9589 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 60 v 9A (TA), 45A (TC) 10V 20mohm @ 45a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 950 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
SSS10N60B Fairchild Semiconductor SSS10N60B 0,7100
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 470 N-Kanal 600 V 9a (TJ) 10V 800 MOHM @ 4,5A, 10 V. 4v @ 250 ähm 70 nc @ 10 v ± 30 v 2700 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
RF1K49092 Fairchild Semiconductor RF1K49092 0,5200
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 Fairchild Semiconductor Littlefet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) RF1K4 MOSFET (Metalloxid) 2W (TA) 8-soic Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 3 N und p-kanal 12V 3,5a (TA), 2,5a (TA) 50 MOHM @ 3,5A, 5 V, 130 MOHM @ 2,5A, 5V 2v @ 250 ähm 25nc @ 10v, 24nc @ 10v 750pf @ 10v, 775PF @ 10v - - -
MBR460MFST3G Fairchild Semiconductor MBR460MFST3G - - -
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads MBR460 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 740 mv @ 4 a 200 µa @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a - - -
MMSZ5227B Fairchild Semiconductor MMSZ5227B - - -
RFQ
 ECAD 6042 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 15 µa @ 1 V 3.6 V 28 Ohm
1N6014B Fairchild Semiconductor 1N6014B 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 163 1,2 V @ 200 Ma 100 na @ 30 v 39 v 130 Ohm
FFPF06U20DPTU Fairchild Semiconductor FFPF06U20DPTU 0,2000
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack Standard To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 6a 1,2 V @ 6 a 35 ns 6 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C.
1N5241B Fairchild Semiconductor 1n5241b 0,0300
RFQ
 ECAD 154 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Ear99 8541.10.0050 11.539 1,5 V @ 200 Ma 2 µa @ 8,4 V 11 v 22 Ohm
MBRS130L Fairchild Semiconductor MBRS130L - - -
RFQ
 ECAD 5833 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB MBRS130 Schottky SMB (Do-214AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 445 mv @ 2 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C. 2a - - -
FQI16N25CTU Fairchild Semiconductor FQI16N25CTU 0,7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 250 V 15,6a (TC) 10V 270 MOHM @ 7.8a, 10V 4v @ 250 ähm 53,5 NC @ 10 V. ± 30 v 1080 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 139W (TC)
FQAF12P20 Fairchild Semiconductor FQAF12P20 0,7700
RFQ
 ECAD 2377 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 124 P-Kanal 200 v 8.6a (TC) 10V 470MOHM @ 4.3a, 10V 5 V @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 30 v 1200 PF @ 25 V. - - - 70W (TC)
FDG312P Fairchild Semiconductor FDG312p 0,1800
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (Metalloxid) SC-88 (SC-70-6) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 20 v 1.2a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 180 MOHM @ 1,2A, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 5 NC @ 4,5 V. ± 8 v 330 PF @ 10 V. - - - 750 MW (TA)
FCH085N80-F155 Fairchild Semiconductor FCH085N80-F155 - - -
RFQ
 ECAD 7391 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 800 V 46a (TC) 10V 85mohm @ 23a, 10V 4,5 V @ 4,6 mA 255 NC @ 10 V ± 20 V 10825 PF @ 100 V - - - 446W (TC)
FDS3682_NL Fairchild Semiconductor FDS3682_NL 0,8300
RFQ
 ECAD 704 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 6a (ta) 6 V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 4v @ 250 ähm 25 NC @ 10 V ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA)
BC550ABU Fairchild Semiconductor BC550ABU 0,0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 300 MHz
NZT6727 Fairchild Semiconductor NZT6727 1.0000
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-3 1 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 40 v 1,5 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 1a 50 @ 1a, 1V - - -
SFP9614 Fairchild Semiconductor SFP9614 0,3000
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 726 P-Kanal 250 V 1,6a (TC) 10V 4OHM @ 800 mA, 10V 4v @ 250 ähm ± 30 v 295 PF @ 25 V. - - - 20W (TC)
HUF76121S3ST Fairchild Semiconductor HUF76121S3ST 0,4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 47a (TC) 4,5 V, 10 V. 21mohm @ 47a, 10V 3v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 850 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
FDP8441 Fairchild Semiconductor FDP8441 1.6100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 187 N-Kanal 40 v 23a (TA), 80A (TC) 10V 2,7 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 280 nc @ 10 v ± 20 V 15000 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
FFPF12UP20DNTU Fairchild Semiconductor FFPF12UP20DNTU 0,3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack Standard To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 6a 1,15 V @ 6 a 12 ns 100 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C.
MBR2545CT Fairchild Semiconductor MBR2545CT - - -
RFQ
 ECAD 2553 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-3 MBR2545 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 214 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 25a 820 mv @ 25 a 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
73389_Q Fairchild Semiconductor 73389_Q 0,6300
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - 0000.00.0000 216
2N3415 Fairchild Semiconductor 2N3415 - - -
RFQ
 ECAD 8717 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 25 v 500 mA 100NA (ICBO) Npn 300mv @ 3ma, 50 mA 180 @ 2MA, 4,5 V. - - -
GBPC3508W Fairchild Semiconductor GBPC3508W 2.9000
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w Standard Gbpc-w Herunterladen Ear99 8541.10.0080 35 1,1 V @ 17.5 a 5 µa @ 800 V 35 a Einphase 800 V
FDS6692 Fairchild Semiconductor FDS6692 0,6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 12a (ta) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 25 NC @ 5 V ± 16 v 2164 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
FLZ2V4B Fairchild Semiconductor FLZ2V4B 0,0200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 4% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 Ma 84 µa @ 1 V 2,5 v 35 Ohm
FQPF9N30 Fairchild Semiconductor Fqpf9n30 0,7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 300 V 6a (TC) 10V 450Mohm @ 3a, 10V 5 V @ 250 ähm 22 NC @ 10 V. ± 30 v 740 PF @ 25 V. - - - 42W (TC)
TIS74 Fairchild Semiconductor Tis74 - - -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 350 MW To-92-3 - - - ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 18PF @ 10V (VGS) 30 v 20 mA @ 15 V 2 V @ 4 na 40 Ohm
FQU2N90TU Fairchild Semiconductor Fqu2N90TU 0,4800
RFQ
 ECAD 332 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 5.040 N-Kanal 900 V 1.7a (TC) 10V 7.2OHM @ 850 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 500 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 50 W (TC)
FLZ6V8A Fairchild Semiconductor FLZ6v8a 0,0200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 15.000 1,2 V @ 200 Ma 1,1 µa bei 3,5 V 6,5 v 6.6 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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