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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
KSA1298OMTF Fairchild Semiconductor KSA1298OMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3.000 25 v 800 mA 100NA (ICBO) PNP 400 mv @ 20 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 120 MHz
FDB5690 Fairchild Semiconductor FDB5690 1.6000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 32a (TC) 6 V, 10V 27mohm @ 16a, 10V 4v @ 250 ähm 33 NC @ 10 V. ± 20 V 1120 PF @ 25 V. - - - 58W (TC)
FJX3001RTF Fairchild Semiconductor FJX3001RTF 0,0200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 FJX300 200 MW SC-70-3 (SOT323) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 20 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
FQH18N50V2 Fairchild Semiconductor Fqh18n50v2 3.0300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 450 N-Kanal 500 V 20A (TC) 10V 265mohm @ 10a, 10V 5 V @ 250 ähm 55 NC @ 10 V ± 30 v 3290 PF @ 25 V. - - - 277W (TC)
FQI5N50CTU Fairchild Semiconductor Fqi5n50ctu 0,6600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 500 V 5a (TC) 10V 1,4OHM @ 2,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 24 nc @ 10 v ± 30 v 625 PF @ 25 V. - - - 73W (TC)
KST24MTF Fairchild Semiconductor KST24MTF 0,0200
RFQ
 ECAD 5333 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.789 30 v 100 ma 50na (ICBO) Npn - - - 30 @ 8ma, 10V 620 MHz
RFP8P10 Fairchild Semiconductor RFP8P10 0,2700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 100 v 8a (TC) 10V 400mohm @ 8a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 1500 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
KSC1623LMTF-FS Fairchild Semiconductor KSC1623LMTF-FS 0,0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 KSC1623 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) Npn 300mv @ 10 mA, 100 mA 300 @ 1ma, 6v 250 MHz
FDW264P Fairchild Semiconductor FDW264p 1.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.500 P-Kanal 20 v 9.7a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 10MOHM @ 9.7a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 135 NC @ 5 V ± 12 V 7225 PF @ 10 V - - - 1,3W (TA)
1N4735A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4735A-T50A 0,0300
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Ear99 8541.10.0050 9.616 10 µa @ 3 V 6.2 v 2 Ohm
FDD068AN03L Fairchild Semiconductor Fdd068an03l 0,6100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 17a (ta), 35a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.7mohm @ 35a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 60 nc @ 10 v ± 20 V 2525 PF @ 15 V - - - 80W (TC)
IRFS510A Fairchild Semiconductor IRFS510A - - -
RFQ
 ECAD 6743 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 4,5a (TC) 10V 400mohm @ 2.25a, ​​10 V. 4v @ 250 ähm 12 NC @ 10 V ± 20 V 240 PF @ 25 V. - - - 21W (TC)
FDZ202P Fairchild Semiconductor FDZ202p 0,2700
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 12-WFBGA MOSFET (Metalloxid) 12-bga (2x2,5) Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 5.5a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 45mohm @ 5,5a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 13 NC @ 4,5 V. ± 12 V 884 PF @ 10 V. - - - 2W (TA)
HUFA75309T3ST Fairchild Semiconductor HUFA75309T3ST 0,3400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 55 v 3a (ta) 10V 70 Mohm @ 3a, 10V 4v @ 250 ähm 23 NC @ 20 V ± 20 V 352 PF @ 25 V. - - - 1.1W (TA)
FMM7G20US60N Fairchild Semiconductor FMM7G20US60N 28.1700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Modul 89 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-FMM7G20US60N Ear99 8541.29.0095 1 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 600 V 20 a 2,7 V @ 15V, 20a 250 µA Ja 1.277 NF @ 30 V
IRFW840BTM Fairchild Semiconductor IRFW840BTM 0,4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 500 V 8a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10V 4v @ 250 ähm 53 NC @ 10 V ± 30 v 1800 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 134W (TC)
FQA7N80L Fairchild Semiconductor FQA7N80L - - -
RFQ
 ECAD 5467 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - 0000.00.0000 1
MM3Z22VB Fairchild Semiconductor MM3Z22VB 0,0200
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 45 NA @ 15,4 V. 22 v 51 Ohm
IRFR210BTF Fairchild Semiconductor IRFR210BTF 0,2400
RFQ
 ECAD 224 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 200 v 2.7a (TC) 10V 1,5OHM @ 1,35A, 10V 4v @ 250 ähm 9.3 NC @ 10 V ± 30 v 225 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 26W (TC)
1N969B Fairchild Semiconductor 1N969B 1.8400
RFQ
 ECAD 168 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 163 5 µa @ 16,7 V 22 v 29 Ohm
RFD14N05SM_NL Fairchild Semiconductor RFD14N05SM_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 50 v 14a (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10V 4v @ 250 ähm 40 NC @ 20 V ± 20 V 570 PF @ 25 V. - - - 48W (TC)
BD676AS Fairchild Semiconductor BD676As 0,3000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 BD676 14 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 45 V 4 a 500 ähm PNP - Darlington 2,8 V @ 40 Ma, 2a 750 @ 2a, 3v - - -
FQI2N80TU Fairchild Semiconductor FQI2N80TU 0,5100
RFQ
 ECAD 3145 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 550 N-Kanal 800 V 2.4a (TC) 10V 6.3OHM @ 900 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 550 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 85W (TC)
KSE2955T Fairchild Semiconductor KSE2955T - - -
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 600 MW To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 895 60 v 10 a 700 ähm PNP 8v @ 3,3a, 10a 20 @ 4a, 4V 2MHz
MMBTH10 Fairchild Semiconductor MmbTH10 0,0300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-MMBTH10-600039 1
FDPF041N06BL1 Fairchild Semiconductor FDPF041N06BL1 1.1500
RFQ
 ECAD 755 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 283 N-Kanal 60 v 77a (TC) 10V 4.1MOHM @ 77A, 10V 4v @ 250 ähm 69 NC @ 10 V ± 20 V 5690 PF @ 30 V - - - 44.1W (TC)
FQPF5N30 Fairchild Semiconductor Fqpf5n30 0,4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 300 V 3.9a (TC) 10V 900MOHM @ 1.95a, 10V 5 V @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 30 v 430 PF @ 25 V. - - - 35W (TC)
FDS8874 Fairchild Semiconductor FDS8874 0,5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 16a (ta) 4,5 V, 10 V. 5,5 MOHM @ 16A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 72 NC @ 10 V ± 20 V 3990 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
KSC2316OTA Fairchild Semiconductor KSC2316OTA 1.0000
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) 900 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 120 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
FQB2P40TM Fairchild Semiconductor FQB2P40TM 0,4100
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 29 P-Kanal 400 V 2a (TC) 10V 6,5ohm @ 1a, 10V 5 V @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 30 v 350 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 63W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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