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Diskette HalblerProdukte (5251)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
KBL08 Fairchild Semiconductor KBL08 - - -
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, kbl Standard Kbl Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 108 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 800 V 4 a Einphase 800 V
FLZ36VB Fairchild Semiconductor FLZ36VB 0,0200
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 Ma 133 na @ 27 v 33,6 v 63 Ohm
SB560 Fairchild Semiconductor SB560 1.0000
RFQ
 ECAD 3074 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-201aa, Do-27, axial Schottky Do-201 Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 670 mv @ 5 a 500 µa @ 60 V -50 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
FYP2004DNTU Fairchild Semiconductor FYP2004DNTU 0,2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 20a 670 mv @ 20 a 1 ma @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C.
S3A Fairchild Semiconductor S3a 1.0000
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 Fairchild Semiconductor Allianz Plastik, s Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard SMC (Do-214AB) Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1,15 V @ 3 a 1,5 µs 5 µa @ 50 V -50 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
1N5822 Fairchild Semiconductor 1N5822 - - -
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-201aa, Do-27, axial Schottky Axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1,250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 525 mv @ 3 a 2 ma @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C. 3a - - -
FQP12N60 Fairchild Semiconductor FQP12N60 1.2500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 10.5a (TC) 10V 700MOHM @ 5.3A, 10V 5 V @ 250 ähm 54 NC @ 10 V ± 30 v 1900 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
2SC5200OTU Fairchild Semiconductor 2SC5200OTU - - -
RFQ
 ECAD 3778 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa 150 w To-264-3 Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-2SC5200OTU-600039 1 250 V 17 a 5 µA (ICBO) Npn 3v @ 800 mA, 8a 80 @ 1a, 5V 30 MHz
KSC2334Y Fairchild Semiconductor KSC2334Y 0,7000
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 1,5 w To-220-3 Herunterladen 0000.00.0000 429 100 v 7 a 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 500 mA, 5a 120 @ 3a, 5V - - -
BC80725MTFNL Fairchild Semiconductor BC80725MTFNL - - -
RFQ
 ECAD 8520 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC80725 310 MW SOT-23 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 800 mA 100na PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FQAF6N80 Fairchild Semiconductor FQAF6N80 1.6000
RFQ
 ECAD 892 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 360 N-Kanal 800 V 4.4a (TC) 10V 1,95OHM @ 2,2a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 31 NC @ 10 V ± 30 v 1500 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
FJPF13007H1TTU Fairchild Semiconductor FJPF13007H1TTU 0,4300
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 40 w To-220f-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 400 V 8 a - - - Npn 3v @ 2a, 8a 15 @ 2a, 5v 4MHz
2N7002 Fairchild Semiconductor 2N7002 - - -
RFQ
 ECAD 1501 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 (to-236) Herunterladen Ear99 8541.21.0095 1 N-Kanal 60 v 115 Ma (TC) 5v, 10V 7.5OHM @ 50 Ma, 5V ± 20 V 50 PF @ 25 V. 200 MW (TC)
BC846AMTF Fairchild Semiconductor BC846AMTF 0,0300
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC846 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 65 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 300 MHz
1N5997B Fairchild Semiconductor 1n5997b 1.8400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 163 1,2 V @ 200 Ma 500 µa @ 6 V 7,5 v 7 Ohm
1N4740A Fairchild Semiconductor 1N4740A 0,0300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 9.779 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 7,6 V 10 v 7 Ohm
PN4122 Fairchild Semiconductor PN4122 - - -
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 1.446 40 v 100 ma 25na PNP 300mv @ 5ma, 50 mA 150 @ 1ma, 1V - - -
FQAF14N30 Fairchild Semiconductor FQAF14N30 1.0400
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 310 N-Kanal 300 V 11.4a (TC) 10V 290MOHM @ 5.7A, 10V 5 V @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 30 v 1360 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
FDZ293P Fairchild Semiconductor FDZ293p 0,2400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 9-VFBGA MOSFET (Metalloxid) 9-bga (1,5x1,6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 4.6a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 46mohm @ 4,6a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 11 NC @ 4,5 V. ± 12 V 754 PF @ 10 V. - - - 1.7W (TA)
FQPF34N20 Fairchild Semiconductor Fqpf34n20 1.0000
RFQ
 ECAD 4376 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 200 v 17,5a (TC) 10V 75mohm @ 8.75a, 10V 5 V @ 250 ähm 78 NC @ 10 V ± 30 v 3100 PF @ 25 V. - - - 55W (TC)
2SD1619T-TD-E-FS Fairchild Semiconductor 2SD1619T-TD-E-FS 0,1100
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 1.000
PN2907ATF Fairchild Semiconductor PN2907ATF 0,0400
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 7.036 60 v 800 mA 20na (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 200 MHz
MMSD4448 Fairchild Semiconductor MMSD4448 0,0300
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123 Standard SOD-123 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 10.764 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 100 v 1 V @ 100 mA 4 ns 5 µa @ 75 V 150 ° C (max) 200 ma 2PF @ 0V, 1MHz
HUF76633S3ST Fairchild Semiconductor HUF76633S3ST 0,5000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 39a (TC) 4,5 V, 10 V. 35mohm @ 39a, 10V 3v @ 250 ähm 67 NC @ 10 V ± 16 v 1820 PF @ 25 V. - - - 145W (TC)
FDC604P Fairchild Semiconductor FDC604p 1.0000
RFQ
 ECAD 3775 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) Supersot ™ -6 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 20 v 5.5a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 33mohm @ 5,5a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 30 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1926 PF @ 10 V. - - - 1.6W (TA)
MTD3055VL Fairchild Semiconductor MTD3055VL 1.0000
RFQ
 ECAD 3602 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 60 v 12a (TC) 5v 180Mohm @ 6a, 5V 2v @ 250 ähm 10 nc @ 5 v ± 20 V 570 PF @ 25 V. - - - 3,9W (TA), 48W (TC)
FQAF16N25 Fairchild Semiconductor FQAF16N25 0,9200
RFQ
 ECAD 682 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 360 N-Kanal 250 V 12,4a (TC) 10V 230mohm @ 6.2a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 30 v 1200 PF @ 25 V. - - - 85W (TC)
FJC2383OTF Fairchild Semiconductor FJC2383OTF 0,0700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 500 MW SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 4.000 160 v 1 a 1 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 200 Ma, 5V 100 MHz
FDP6676 Fairchild Semiconductor FDP6676 0,9800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 84a (ta) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 42a, 10V 3v @ 250 ähm 60 NC @ 5 V ± 16 v 5324 PF @ 15 V - - - 93W (TC)
1N750ATR Fairchild Semiconductor 1N750ATR 1.0000
RFQ
 ECAD 7270 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 Ma 2 µa @ 1 V 4,7 v 19 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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